KR920018824A - 박막 트랜지스터의 제조방법 - Google Patents
박막 트랜지스터의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 (가)∼(바)는 본 발명의 박막 트랜지스터의 제조방법에 따른 제조공정을 단계적으로 보인 도면.
Claims (2)
- 박막 트랜지스터의 제조공정에 있어서, 유리기판(1)위에 게이트전극 패턴(2)을 형성하고 상기 게이트 전극 패턴(2)위에 실리콘 나이트 라이드(4), 제1도전형 비정질 실리콘(5) 및 제2도전형 비정질 실리콘(6)을 연속으로 증착하고 감광막을 입힌후에 상기 게이트전극 패턴(2)이 마스크 작용하도록 상기 유리기판(1)밑에서 광선을 주사하여 상기 제1도전형 비정질 실리콘(5) 및 제2도전형 비정질 실리콘(6)의 패턴을 형성하고 나서 후속과정에 의해 드레인/소스전극의 패턴을 형성시키는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 드레인/소스전극의 패턴을 형성시킬 때에는 크롬층(7)과 알루미늄층(8)을 연속으로 증착한 후 마스크를 사용하여 광(Photo)작업을 하고 상기 크롬층(7)과 알루미늄층(8)에 대하여 각각의 식각용액으로 연속적으로 식각하여 드레인/소스패턴을 형성시키는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910005037A KR100241467B1 (ko) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 박막 트랜지스터의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910005037A KR100241467B1 (ko) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 박막 트랜지스터의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR920018824A true KR920018824A (ko) | 1992-10-22 |
| KR100241467B1 KR100241467B1 (ko) | 2000-02-01 |
Family
ID=19312665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910005037A KR100241467B1 (ko) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 박막 트랜지스터의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100241467B1 (ko) |
-
1991
- 1991-03-29 KR KR1019910005037A patent/KR100241467B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100241467B1 (ko) | 2000-02-01 |
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