KR900017198A - 듀얼게이트 박막트랜지스터(tft) 제조방법 - Google Patents
듀얼게이트 박막트랜지스터(tft) 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1도 가-마는 본 발명 방법의 공정을 설명하기 위한 공정도.
Claims (1)
- 유리기판(1)위에 게이트 전극용 크롬(Cr)을 증착하여 사진식각법에 의해 게이트 전극(2)을 형성하는 제1공정과; 그 위에 질화 실리콘(SiNx) 절연층(3)과 비정질 실리콘(A-Si) 박막층(4)을 증착시키는 제 2공정과; 비정질 실리콘 박막층(4)위에 n+형 비정질 실리콘 박막층(5)과 니켈크롬(NiCr)의 소오스, 드레인전극(6)을 차례로 증착시킨후 사진식각에 의해 소오스, 드레인 전극(6)과 n+형 비정질 실리콘 박막층(5)을 연이어 식각하는 제3공정과; 그위에 제2의 질화 실리콘 절연층(7)과 알루미늄(A1)의 제2게이트 전극(8)을 증착시키는 제4공정으로된 박막트랜지스터 제조 방법에 있어서, 제2공정과 제3공정 사이에 제2의 질화 실리콘 보호층(9)을 증착하여 사진식각에 의해 패턴을 형성하는 공정을 추가하여서 된 듀얼게이트 박막트랜지스터(TFT) 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019890005744A KR900017198A (ko) | 1989-04-29 | 1989-04-29 | 듀얼게이트 박막트랜지스터(tft) 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019890005744A KR900017198A (ko) | 1989-04-29 | 1989-04-29 | 듀얼게이트 박막트랜지스터(tft) 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR900017198A true KR900017198A (ko) | 1990-11-15 |
Family
ID=67776955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019890005744A KR900017198A (ko) | 1989-04-29 | 1989-04-29 | 듀얼게이트 박막트랜지스터(tft) 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR900017198A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8847228B2 (en) | 2012-06-05 | 2014-09-30 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor array panel |
-
1989
- 1989-04-29 KR KR1019890005744A patent/KR900017198A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8847228B2 (en) | 2012-06-05 | 2014-09-30 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor array panel |
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