KR940001454A - 박막트랜지스터 구조 및 제조방법 - Google Patents

박막트랜지스터 구조 및 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 박막트랜지스터의 구조 및 제조방법에 관한 것으로, 종래의 박막트랜지스터는 게이트버스전극과 소오스버스전극의 교차부분에 단차가 커져 소오스전극이 단선되는 문제점이 있었다.
본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 게이트버스전극과 소오스버스전극의 교차부분에 증착되는 비정질 실리콘층과 제2절연층의 패턴을 형성시키지 않고 제조하여 단차률 줄임으로써 소오스전극이 단선되는 문제점을 해결하는 것으로, 박막트랜지스터 제조에 유용하게 사용될 수 있다.

Description

박막 트랜지스터 구조 및 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도의 (가) 내지 (라)는 본 발명 박막트랜지스터의 제조공정도,
제4도는 제3도에 따른 어레이 평면도.

Claims (3)

  1. 절연기판(1)위에 패턴이 형성된 게이트전극(2)이 형성되고, 그 게이트전극(2)과 상기 절연기판(1)위에 제1절연층(3), 비정질실리콘층(4), 재2절연층(5), n+비정질실리콘층(6)이 연속적으로 형성되고, 그 n+비정질실리콘층(6)과 상기 투명전극(7)위에 소오스-드레인전극(8)이 형성되어 제조된 박막트랜지스터의 구조.
  2. 제1항에 있어서, 비정질실리콘층(4)과 제2절연층(5)은 패턴을 형성하지 않음을 특징으로 하는 박막트랜지스터 의 구조.
  3. 절연기판(1)위에 게이트전극(2)을 증착한 후 포토레지스터를 이용한 사진식각공정으로 식각하여 패턴을 형성하고 그 게이트전극(2)위에 연속적으로 제1절연층(3), 비정질실리콘층(4), 제2절연층(5), n+비정질실리콘층(6)을 증착하고, 그 n+비정질실리콘층 (6)위에 투명 전극 (7)을 증착한 후 사진식각공정으로 선택적 식각하여 패턴을 형성하고, 그 투명전극(7)위에 소오스-드레인전극(8)을 증착한후, 패턴을 형성하여 제조함을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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