KR960026981A - 반도체장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 액티 매트릭스형 표시장치의 화소 스위치 또는 구동회로 등에 유용한 반도체 장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 반도체장치는 절연성 재료로 이루어지는 기판과, 기판상에 형성된 게이트 전극과, 게이트 전극상에 게이트 절연막을 통하여 형성된 규화물 반도체로 이루어지는 박막과, 박막상에 형성되고 대향하는 2개의 주표면을 갖는 보호막과, 박막과 전기적으로 접속하도록 형성된 소스전극 및 드레인 전극을 포함하고, 보호막의 2개의 주표면 중 제1주표면이 박막과 접촉하고 있고, 보호막의 제2주표면 근방의 영역은 산호를 함유하며, 반도체 장치의 제조방법은 절연성재료로 이루어지는 기판상에 게이트 전극을 형성하고, 게이트 전극상에 게이트 절연막을 통하여 규화물 반도체로 이루어지는 박막을 형성하고, 대향하는 2개의 주표면을 갖고 있으며, 2개의 주표면 중 제1주표면이 박막과 접촉하고, 제2주표면 근방의 영역에 산소를 함유하는 보호막을 박막상 형성하여 박막과 전기적으로 접속하도록 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 것을 특징으로 한다.

Description

반도체장치 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 반도체 장치의 일부를 나타내는 정면도, 제3A도 내지 제3F도는 제2도에 나타낸 반도체 장치의 제조프로세스를 설명하기 위한 단면도.

Claims (18)

  1. 절연성 재료로 이루어지는 기판; 상기 기판상에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 전극상에 게이트 절연막을 통하여 성형된 규화물 반도체로 이루어지는 박막; 상기 박막상에 형성되고 대향하는 2개의 주표면을 갖는 보호막; 및 상기 박막과 전기적으로 접속하도록 형성된 소스 전극 및 드레인 전극을 구비하고, 상기 보호막의 상기 2개의 주표면 중 제1주표면이 상기 박막과 접촉하고 있으며, 상기 보호막이 제2주표면 근방의 영역은 산호를 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 보호막은 제1주표면 근방의 영역은 실질적으로 산호를 함유하지 않는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 보호막은 질화 실리콘층 및 상소함유 질화실리콘층을 포함하고, 상기 질화 실리콘층의 제1주표면을 구성하며, 상기 산고함유 질화실리콘층이 제2주표면을 구성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 보호막은 질화 실리콘으로 구성되며, 상기 제2주표면 근방의 영역이 산소로 변성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제2주표면 근방의 영역은 상기 제2주표면에서 약 300A 이하의 깊이의 영역인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  6. 절연성 재료로 이루어지는 기판상에 규화물 반도체로 이루어지는 박막을 형성하는공정; 대항하는 2개의 주표면을 갖고 있으며, 상기 2개의 주표면 중 제1주표면이 상기 박막과 접촉하고, 제2주표면 근방의 영역에 산소를 함유하는 보호막을 형성하는 공정; 및 상기 보호막을 소망하는 형상으로 패터닝하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도에 장치의 제조방법.
  7. 절연성 재료로 이루어지는 기판상에 게이트 전극을 형성하고, 상기 게이트 전극상에 게이트 절연막을 통하여 규화물 반도체로 이루어지는 박막을 형성하는 공정; 대향하는 2개의 주표면을 갖고 있으며, 상기 2개의 주표면 중 제1주표면이 상기 박막과 접촉하고, 제2주표면 근방의 영역에 산소를 함유하는 보호막을 상기 박막상에 형성하는 공정; 및 상기 박막과 전기적으로 접속하도록 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  8. 제7항에 있어서, 보호막을 박막상에 형성하는 공정은 상기 박막상에 제1절연막을 형성하는 공정과, 상기 제1절연막상에 산소를 함유하는 제2절연막을 형성하는 공정과, 상기 제1 및 제2절연막을 패터닝하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  9. 제7항에 있어서, 보호막을 박막상에 형성하는 공정은 상기 박막상에 절연막을 형성하는 공정과, 상기 절연막의 표면에 산화처리를 실시하는 공정과, 상기 절연막을 패터닝하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 산화처리는 상기 절연막을 상기 박막상에 형성한 후에 상기 절연막을 대기에 방치하는 일이 없이 실질적으로 연속하여 실실되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  11. 제7항에 있어서, 상기 제1주표면 근방의 영영은 실질적으로 산소를 함유하지 않는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  12. 제7항에 있어서, 상기 제2주표면 근방의 영역은 상기 제2주표면에서 약 300A 이하의 깊이의 영역인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  13. 절연성 재료로 이루어지는 기판상에 게이트 전극을 형성하고, 상기 게이트 전극상에 게이트 절연막을 통하여 규화물 반도체로 이루어지는 박막을 형성하는 공정; 상기 박막상에 절연막을 형성하는 공정; 상기 절연막에 N2O가스를 이용한 산화처리를 실시하여 대향하는 2개의 주표면을 갖고 있으며, 상기 2개의 주표면 중 제1주표면이 상기 박막과 접촉하고, 제2주표면 근방의 영역에 산소를 함유하는 보호막을 형성하는 공정; 및 상기 박막과 전기적으로 접속하는 것과 같이 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 상기 규화물 반도체가 비정실 실리콘, 미결정 실리콘 및 다결정 실리콘으로 이루어지는 군에서 선택된 것임을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  15. 제13항에 있어서, 상기 절연막을 상기 게이트 전극에 자기정합시켜 패터닝하는 공정을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  16. 제13항에 있어서, 상기 산화처리는 상기 절연막을 상기 박막상에 형성한 후에 상기 절연막을 대기에 방치하는 일이 없이 실질적으로 연속하여 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  17. 제13항에 있어서, 상기 제1주표면 근방의 영역은 실질적으로 산소를 함유하지 않는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  18. 제13항에 있어서, 상기 제2주표면 근방의 영역은 상기 제2주표면에서 약 300A 이하의 깊이의 영역인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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