KR950021463A - 박막트랜지스터 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 박막트랜지스터 제조방법에 관한 것으로, CdSe박막트랜지스터의 안정성을 높이기 위해 절연기판상에 제1게이트전극을 형성하는 공정과, 상기 결과물 전면에 제1절연층을 형성하는 공정, 상기 제1절연층상에 금속을 증착한 후, 엣지부분이 경사각이 20도 이하가 되도록 테이퍼식각하여 소오스 및 드레인전극을 형성하는 공정, 상기 결과물상에 CdSe활성층을 형성하는 공정, 상기 결과물 전면에 제2절연층을 형성하는 공정, 및 상기 제2절연층상에 제2게이트전극을 형성하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법을 제공한다. 본 발명에 의하면, CdSe박막트랜지스터 특성이 향상되며, 박막트랜지스터 열화에 따른 특성불량을 최소화할수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 CdSe박막트랜지스터의 접합부위를 도시한 단면도.
Claims (4)
- 절연기판상에 제1게이트전극을 형성하는 공정과, 상기 결과물 전면에 제1절연층을 형성하는 공정, 상기 제1절연층상에 금속을 증착한 후, 엣지부분이 경사각이 20도 이하가 되도록 테이퍼 식각하여 소오스 및 드레인전극을 형성하는 공정, 상기 결과물상에 CdSe활성층을 형성하는 공정, 상기 결과물 전면에 제2절연층을 형성하는 공정, 및 상기 제2절연층상에 제2게이트전극을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 테이퍼식각에 의해 소오스 및 드레인전극을 형성하는 공정은 식각용 용액에 HNO3용액을 첨가한 용액을 이용하여 금속을 식각하는 방법에 의해 행하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 테이퍼식각에 의해 소오스 및 드레인전극을 형성하는 공정은 식각용 마스크로 사용되는 포토레지스트를 열처리할때 포토레지스트에 가해지는 열부하를 감소시켜 열처리를 행하고 이를 마스크로 이용하여 상기 금속을 식각하는 방법에 의해 행하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 테이퍼식각에 의해 소오스 및 드레인전극을 형성하는 공정은 식각용 용액을 좌우로 방향을 변환시키면서 분사시키는 방법에 의해 행하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019930031542A KR950021463A (ko) | 1993-12-30 | 1993-12-30 | 박막트랜지스터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019930031542A KR950021463A (ko) | 1993-12-30 | 1993-12-30 | 박막트랜지스터 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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KR950021463A true KR950021463A (ko) | 1995-07-26 |
Family
ID=66853433
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019930031542A KR950021463A (ko) | 1993-12-30 | 1993-12-30 | 박막트랜지스터 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR950021463A (ko) |
-
1993
- 1993-12-30 KR KR1019930031542A patent/KR950021463A/ko not_active Application Discontinuation
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