KR970077727A - 메스패트(mesfet)의 제조방법 - Google Patents

메스패트(mesfet)의 제조방법 Download PDF

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    • H01L29/66863—Lateral single gate transistors
    • H01L29/66871—Processes wherein the final gate is made after the formation of the source and drain regions in the active layer, e.g. dummy-gate processes

Abstract

본 발명은 MESFET 제조방법에 관한 것으로 특히, 하나의 기판상에 문턱전압이 서로 다른 MESFET를 제조하는데 적당하도록 한 MESFET 제조방법에 관한 것이다.
이를 위한 본 발명의 MESFET 제조방법은 기판상에 복수개의 활성층을 형성하는 제1공정과, 상기 각 활성층상에 하나의 소오스 전극과 드레인 전극이 위치되도록 복수개의 금속전극을 형성하는 제2공정과, 상기 소오스 전극 및 드레인 전극 사이의 활성층과 상기 소오스 전극, 드레인 전극 또는 상기 소오스 전극과 드레인 전극 양측의 활성층상에 적어도 하나의 개구부를 갖는 절연막을 형성하는 제3공정과, 상기 절연막을 마스크로 이용하여 활성층을 소정깊이로 식각하는 제4공정과, 상기 활성층이 소정깊이로 제거된 부분에 게이트 전극을 형성하는 제5공정을 포함하여 형성함을 특징으로 한다.

Description

메스패트(MESFET)의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 (a) - (e)는 본 발명 MESFET의 제조방법을 나타낸 공정단면도.

Claims (4)

  1. 기판상에 복수개의 활성층을 형성하는 제1공정과, 상기 각 활성층상에 하나의 소오스 전극과 드레인 전극이 위치되도록 복수개의 금속전극을 형성하는 제2공정과, 상기 소오스 전극 및 드레인 전극 사이의 활성층과 상기 소오스 전극, 드레인 전극 또는 상기 소오스 전극과 드레인 전극 양측의 활성층상에 적어도 하나의 개구부를 갖는 절연막을 형성하는 제3공정과, 상기 절연막을 마스크로 이용하여 활성층을 소정깊이로 식각하는 제4공정과, 상기 활성층이 소정깊이로 제거된 부분에 게이트 전극을 형성하는 제5공정을 포함하여 형성함을 특징으로 하는 MESFET의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 소오스전극 또는 드레인 전극상의 개구부 면적을 조절하여 소자의 문턱전압을 조절하여 형성함을 특징으로 하는 MESFET의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 소오스 전극과 드레인 전극 양측의 개구부 면적을 가변하여 소자의 문턱전압을 조절함을 특징으로 하는 MESFET이 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 소오스 전극, 드레인 전극 또는 상기 소오스 전극과 드레인 전극 양측의 개구부 면적을 가변하여 소자의 문턱전압을 조절함을 특징으로 하느 MESFET이 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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