KR970018737A - 플래쉬 이이피롬 셀 및 그 제조방법 - Google Patents

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양태흠
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김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명에 의하면 플로팅 게이트의 표면적을 증가시킴으로써 플로팅 게이트와 컨트롤 게이트간의 커플링비를 증가시키기 위해 제1언도프 실리콘층, 도프 실리콘층 및 제2언도프 실리콘층이 순차적으로 형성된다. 상기 도프 실리콘층의 일부가 선택적으로 식각되어 언더컷이 플로팅게이트가 완성된다.

Description

플래쉬 이이피롬 셀 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 2C도는 본 발명의 제1실시예에 따른 플래쉬 이이피롬 셀의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도,
제3도는 본 발명의 제2실시예에 따른 플래쉬 이이피롬 셀의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도.

Claims (4)

  1. 플래쉬 이이피롬 셀의 제조 방법에 있어서, 필드 산화막이 형성된 실리콘 기판상의 액티브 영역에 터널 산화막을 형성하는 단계와, 상기 터널 산화막층을 포함한 전체 구조상에 제1언도프 실리콘층, 도프 실리콘층 및 제2언도프 실리콘층을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 제2언도프 실리콘층, 도프 실리콘층 및 제1언도프 실리콘층을 패터닝 하는 단계와, 상기 도프 실리콘층의 일부를 선택적으로 식각하여 측벽에 언더 컷이 형성된 플로팅 게이트를 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 플래쉬 이이피롬 셀의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 플로팅 게이트 제1도프 실리콘층, 언도프 실리콘층 및 제2도프 실리콘층으로 순차적으로 형성되데, 상기 언도프 실리콘층이 돌출되도록 형성된 것을 특징으로 하는 플래쉬 이이피롬 셀의 제조방법.
  3. 소오스 영역, 드레인 영역, 플로팅 게이트 및 콘트롤 게이트를 갖는 플래쉬 이이피롬 셀에 있어서, 상기 플로팅 게이트가 제1언도프 실리콘층, 도프 실리콘층 및 제2언도프 실리콘층으로 이루어지되 상기 도프 실리콘층에 언더 컷이 형성된 것을 특징으로 하는 플래쉬 이이피롬 셀.
  4. 제3항에 있어서, 상기 플로팅 게이트가 제1도프 실리콘층, 언도프 실리콘층 및 제2도프 실리콘층으로 이루어지되, 상기 언도프 실리콘층이 돌출되도록 형성된 것을 특징으로 하는 플래쉬 이이피롬 셀.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950029992A 1995-09-14 1995-09-14 플래쉬 이이피롬 셀 및 그 제조방법 KR970018737A (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6943403B2 (en) 2002-12-20 2005-09-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Non-volatile memory cells having floating gate and method of forming the same
KR100559995B1 (ko) * 2003-07-31 2006-03-13 동부아남반도체 주식회사 플래쉬메모리 소자의 플로팅게이트 제조방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6943403B2 (en) 2002-12-20 2005-09-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Non-volatile memory cells having floating gate and method of forming the same
US7338859B2 (en) 2002-12-20 2008-03-04 Samsung Electronics Co., Ltd Non-volatile memory cells having floating gate and method of forming the same
KR100559995B1 (ko) * 2003-07-31 2006-03-13 동부아남반도체 주식회사 플래쉬메모리 소자의 플로팅게이트 제조방법

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