KR950028019A - 파워디바이스 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 파워디바이스 제조방법에 관한 것으로, 작은 크기를 가지면서 큰 출력을 낼 수 있는 파원 MESFET를 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 기판상에 적어도 2층이상의 활성층과 2층이상의 게이트를 번갈아가며 형성하는 공정과, 상기 활성층을 선택적으로 식각하여 소자간 격리를 행하는 공정, 상기 활성층 상부에 고농도 활성층을 형성하는 공정, 상기 고농도 활성층 양단부위에 소오스전극 및 드레인전극을 형성하는 공정, 상기 게이트영역상의 상기 고농도 활성층 및 상기 최상부층의 활성층영역을 선택적으로 식각하는 공정, 상기 게이트영역상의 상기 고농도 활성층 및 상기 최상부층의 활성층영역의 식각된 부분에 상부 게이트를 형성하는 공정으로 이루어진 파워디바이스 제조방법을 제공한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 파워디바이스 제조방법을 도시한 공정순서도.
Claims (1)
- 기판상에 적어도 2층이상의 활성층과 2층이상의 게이트를 번갈아가며 형성하는 공정과, 상기 활성층을 선택적으로 식각하여 소자간 격리를 행하는 공정, 상기 활성층 상부에 고농도 활성층을 형성하는 공정 상기 고농도 활성층 양단부위에 소오스전극 및 드레인 전극을 형성하는 공정, 상기 게이트영역상의 상기 고농도 활성층 및 상기 최상부층의 활성층영역의 식각된 부분에 상부 게이트를 형성하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 파워디바이스 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940005137A KR950028019A (ko) | 1994-03-15 | 1994-03-15 | 파워디바이스 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940005137A KR950028019A (ko) | 1994-03-15 | 1994-03-15 | 파워디바이스 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950028019A true KR950028019A (ko) | 1995-10-18 |
Family
ID=66690031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940005137A KR950028019A (ko) | 1994-03-15 | 1994-03-15 | 파워디바이스 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950028019A (ko) |
-
1994
- 1994-03-15 KR KR1019940005137A patent/KR950028019A/ko not_active Application Discontinuation
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| WITN | Withdrawal due to no request for examination |