KR950002058A - 박막 트랜지스터 제조방법 - Google Patents

박막 트랜지스터 제조방법 Download PDF

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KR950002058A
KR950002058A KR1019930010079A KR930010079A KR950002058A KR 950002058 A KR950002058 A KR 950002058A KR 1019930010079 A KR1019930010079 A KR 1019930010079A KR 930010079 A KR930010079 A KR 930010079A KR 950002058 A KR950002058 A KR 950002058A
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성강현
허창우
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이헌조
주식회사 금성사
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
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Abstract

본 발명은 박막 트랜지스터의 제조방법에 관란 것으로, TFT의 이동도를 증기시켜 특성을 향상시키기 위하여 TFT의 활성층을 다이아몬드 박막으로 형성하고, 오믹접촉층을 n+－ａ－SiC로 형성하여 ｎ채널 TFT를 제조하는 방법을 제공한다.

Description

박막 트랜지스터 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2조는 본 발명의 일실시예에 의한 박막 트랜지스터 구조를 나타낸 단면도, 제3조는 본 발명의 다른 실시예에 의한 박막 트랜지스터 구조를 나타낸 단면도, 제4도는 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 박막 트랜지스터 제조방법을 나타낸 도면.

Claims (3)

  1. 절연기판(1)상에 활성층(23,27)과 게이트전극(2) 및 소오스/드레인전극(25,35)을 구비하여 이루어지는 박막 트랜지스터의 제조방법에 있어서, 상기 게이트전극(2) 전면에 절연막(3)을 형성하는 공정과, 상기 절연막(3) 상에 다이아몬드 박막으로 된 활성층(23)을 형성하는 공정, 상기 활성층(23)상에 상기 활성층(23)과 소오스/드레이전극(25)간의 오믹접촉을 위해 n+-a-SiC로 오믹접촉층(24)을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법.
  2. 절연기판(1)상에 게이트전극(2)을 형성하는 공정과, 상기 게이트전극(2)상에 게이트절연막(3)과 다이아몬드 박막으로 된 활성층(23)을 차례로 형성하는 공정, 상기 활성층(23)상에 n+－ａ－SiC로 된 오믹접촉층(24)과 소오스전극(25)을 차례로 형성하는 공정, 결과물 전면에 절연층(26)을 형성하는 공정, 결과물 전면에 다이아몬드 박막과 n+－ａ－SiC 및 금속을 연속적으로 증착하고 패터닝하여 다이아몬드 박막으로 된 활성층(27)과 n+－ａ－SiC로 된 오믹접촉층(28) 및 드레인전극(35)을 형성하는 공정을 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법.
  3. 제1항 및 2항에 있어서, 상기 절연막(3,33)은 SiNx 또는 Al2O3중의 어느 하나로 형성함을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법.
    참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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