KR970071096A - 액정표시장치의 제조방법 및 액정표시장치의 구조 - Google Patents

액정표시장치의 제조방법 및 액정표시장치의 구조 Download PDF

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Abstract

본 발명은 투명기판, 게이트전극, 게이트절연막층, 반도체층, 소스전극과 드레인전극을 포함하는 액정표시장치의 제조방법에 있어서 상기 게이트절연막을 가스유량비 SiH4: O2가 1 : 10~20이고, 기판의 온도가 350℃이하이고, 희석가스로 N2를 사용하는 조건에서 투명기판에 중착하여 형성하는 제조방법을 적용한다.
이와 같은 제조방법은 게이트전극을 형성한 후 400℃이상의 고온으로 절연막을 중착하지 않으므로 게이트전극 등의 금속이 스트레스를 받아서 힐락이 발생할 염려가 없으며, 일반적으로 저항이 놓은 고융점 물질을 사용하는 것보다 저항이 낮은 저융점 물질을 사용할 수 있기 때문에 전도도를 향상시킬 수 있다.

Description

액정표시장치의 제조방법 및 액정표시장치의 구조
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 따른 액정표시장치의 실시예를 설명하기 위한 공정 단면도.

Claims (7)

  1. 기판, 게이트전극, 절연막, 반도체층, 소스전극과 드레인전극을 포함하는 액정표시장치의 제조방법에 있어서; 상기 절연막은 가스유량비 SiH4: O2가 1 : 10~20이고, 상기 기판의 온도가 350℃이하의 조건에서 중착되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 절연막은 상압 CVD에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 절연막은 게이트절연막이 되는 제1절연막을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1절연막은 SiOx인 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  5. 기판과; 상기 기판 위에 형성된 게이트전극과; 상기 게이트전극이 형성된 기판 위에 상압 CVD에 의하여 SiH4: O2가 1 : 10~20이고, 상기 기판의 온도가 350℃이하의 조건에 형성된 제1절연막과; 상기 게이트전극부의 제1절연막 위에 섬 모양으로 형성된 반도체층과; 상기 반도체층 위에 양쪽으로 분리되어 형성된 오믹접촉층과; 상기 양쪽의 오믹접촉층 위에 형성된 소스전극 및 드레인전극과; 상기 소스 드레인전극이 형성된 기판을 덮도록 형성된 보호막과; 상기 보호막을 통하여 상기 드레인전극과 접촉되고, 상기 보호막 위에 형성된 화소전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1절연막은 SiOx인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  7. 제6항에 있어서 상기 제1절연막과 상기 섬모양으로 형성된 반도체층 사이에 SiNx로 된 제2절연막이 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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