KR950015790A - 메모리 커패시터를 가진 박층 트랜지스터 매트릭스의 제조방법 - Google Patents

메모리 커패시터를 가진 박층 트랜지스터 매트릭스의 제조방법 Download PDF

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Abstract

메모리 커패시터를 가진 박층 트랜지스터의 매트릭스를 제조하는 방법은 지지체에 제1 전도층을 적용시키고, 제1 마스크 단계에서, 그것을 조성시켜 매트릭스의 열 도체, 박층 트랜지스터의 게이트 접촉부 및 메모리 커패시터의 접지 전극을 형성하고; 박층 트랜지스터에 게이트-절연층을 적용시키고, 반도체층 특별히 a-Si : H 반도체층을 적용시키고, p- 또는 n-도핑된 반도체층을 적용시켜 드레인 및 원 접촉부들 제공하고; 제2 마스크 단계에서 박층 트랜지스터의 매트릭스의 컬럼 도체, 박층 트랜지스터의 드레인 및 원 접촉부, 및 메모리 커패시터의 반대 전극을 위해 제2 전도층을 적용시키고 조성시키고; 도핑된 반도체층을 플라스마 부식시키면서 제2 도체층을 마스크로 작용시키고, 플라스마 부식을 위해 사용된 부식 플라스마의 광학 방출을 관찰함으로써 부식 공정의 종결을 결정하고; 제3 마스크 단계에서 비도핑 반도체층을 조성하고; 투명한 전도층을 적용시키고 조성시켜 스크린 부재 전극을 형성시키고, 박층 트랜지스터 매트릭스의 컬럼 도체를 금속화시켜, 제4 마스크 단계에서 그들의 드레인 접촉부와 메모리 커패시터 반대 전극과의 전도성 연결부를 제공하며, 투명한 표면 안정화층을 적용시키는 것을 포함한다.

Description

메모리 커패시터를 가진 박층 트랜지스터의 매트릭스의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 박층 트랜지스터의 매트릭스를 제조하는 방법의 제1실시양태에서의 제1단계에서 액정 표시 스크린의 스크린 부재의 메모리 캐패시터 및 븍층 트랜지스터의 상면도,
제2도는 제1도에서 절단선 Ⅱ-Ⅱ를 따라 취해진 제1도에서 보여진 스크린 부재를 통한 횡단면도.

Claims (19)

  1. 하기 a) -i)의 단계; a) 지지체(10)에 제1 전기적 전도층을 적용시키고, 제1 마스크 단계에서, 제1 전기적 전도층을 조성시켜 박층 트랜지스터의 열 도체(1), 박층 트랜지스터 (19)의 게이트 접촉부(G) 및 메모리 커패시터 (21)의 접지 전극(12)을 형성하는 단계; b) 박층 트랜지스터 (19)를 위한 게이트-절연층(13)을 지지체상의 제1전기 전도층에 적용시키는 단계; c) 비도핑 반도체층(14)을 게이트-절연층(13) 및 지지체(10)에 적용시키는 단계; d) p-또는 n-도핑된 반도체층(15)을 비도핑 반도체층(14) 및 지지체(10)에 적용시켜 박층 트랜지스터 (19)의 드레인 및 원 접촉부(D,S)를 제공하는 단계; e) 제2 마스크 단계에서 박층 트랜지스터 (19)의 컬럼 도체 (23),용 박층 트랜지스터 (19)의 드레인 및 원 접촉부(D,S), 및 메모리 커패시터(21)의 반대 전극(25)을 위해 제2 전기적 전도층(16)을 적용시키고 조성시키는 단계; f) 도핑된 반도체층(15)을 플라스마 부식시키면서 제2 도체층(16)을 마스크로서 작용시키고, 플라스마부식을 위해 사용된 부식 플라스마로 부터 광학 방출을 모니터링함으로써 플라스마 부식이 종결될 때를 결정하는 단계; g) 제3 마스크 단계에서 비도핑 반도체층(14)을 조성하는 단계; h)투명성 전도층(18)을 적용시키고 조성시켜 스크린 부재 전극(20)을 형성시키고, 급속화시켜 박층 트랜지스터 (19)의 컬럼 도체(23), 및 제4 마스크 단계에서 메모리 커패시터 (21)의 반대 전극(25)과 박층 트랜지스터 (19)의 드레인 접촉부(D)의 전기 전도성 연결부를 형성시키는 단계 ; 및 i) 투명한 표면안정화층(22)을 상기 지지체(10)상의 상기 층(13, 14, 15, 16, 18)상에 적용시키는 단계로 구성되는 기억 축전기를 가진 박층 트랜지스터의 매트릭스를 제조하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 비도핑 반도체층(14)이 a-Si : H 반도체층인 방법.
  3. 제1항에 있어서, 부식 플라스마로부터의 광학 방출의 모니터링이 상기 플라스마부식이 종결될 때를 결정하기 위해 240. 0 nm에서 부식플라스마의 광학 방출의 강도를 측정하는 것을 포함하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 비도핑 반도체 층 (14)의 조성과 동시에 게이트-질연층(13)의 조성을 한층 더 포함하는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 제1 전기적 전도층이 크롬, 알루미늄, 몰리브덴, 탄탈 및 그의 배합물로 구성되는 군으로 부터 선택되는 원으로 부터 제조되는 방법.
  6. 제1항에 있어서, 열 도체 (11), 박층 트랜지스터 (19)의 게이트-접촉부(G) 및 메모리 커패시터 (21)의 접지전극(12)에 대한 상기 제1 전기적 전도층과 같이 상기 게이트-절연층(13)이 400 mn 두께 질화규소층으로 구성되고, 상기 비도핑 반도체층(14)이 130 nm 두께 a-Si : H 반도체층으로 구성되고, 상기 게이트-절연층(13) 및 상기 비도핑 반도체층(14)이 200 nm 두께 크롬층을 가진 상기 지지체(10) 상에 부착되는 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 플라스마 향상된 증착에서 사용된 진공의 방해없이 플라스마 향상된 증착에 의해 드레인 및 접착부(D,S)를 위해 게이트-절연층(13), 비도핑 반도체층(14), 및 도핑 반도체층(15)를 적용시키는 방법.
  8. 제7항에 있어서, 제2 전도층(16)에 의한 모든 부식 공정중에 박층 트랜지스터 (19)의 컬럼 도체(23) 및 열 도체(11)의 교차 위치에서 절연층(13)을 보호시키는 것을 또한 포함하는 방법.
  9. 하기 a) -i) 단계 : a) 지지체(10')에 제1 전기적 전도층을 적용시키고, 제1 마스크 단계예서, 제1 전기적 전도층을 조성시켜 박층 트랜지스터의 열 도체 (11'), 박층 트랜지스터 (19')의 게이트 접촉부(G) 및 메모리 커패시터 (21')의 접지 전극(12')을 형성하는 단계; b) 박층 트랜지스터 (19')를 위한 게이트-절연층(13')을 지지체(10')의 제1 전기적 전도층에 적용시키는 단계; c) 비도핑 반도체층(14)을 게이트-절연층(133 및 지지체 (10)에 적용시키는 단계 ; d) p- 또는 n-도핑된 반도체층(15')을 비도핑 반도체층(14') 및 지지체(10')에 적용시켜 박층 트랜지스터 (19')의 드레인 및 원 접촉부(D,S)를 제공하는 단계; e) 제2 마스크 단계에서 제2 전기적 전도층(16')을 적용시키고 조성시켜 박층 트랜지스터 (19')의 컬럼 도체 (23') 박층 트랜지스터 (19')의 드레인 및 원 접촉부(D,S), 및 메모리 커패시터(21')의 반대 전극(25')을 형성하는 단계; f) 도핑된 반도체층(153을 플라스마 부식시키면서 제2도체층(16')을 마스크로서 작용시키고, 플라스마부식을 위해 사용된 부식 플라스마로부터 광학 방출을 모니터링함으로써 부식 공정이 종결될 때를 결정하는단계; g) 제3 마스크 단계에서 비도핑 반도체층(14')을 조성하는 단계; h) 제4마스크 단계에서 투명한 절연층(40)을 적용시키고 조성시키는 단계로서 조성시 상기 절연층 (40)의 부분이 연결점, 박층 트랜지스터(19')의 드레인접촉부(D), 및 메모리 커패시터(21')의 반대 전극(25')로 부터 제거되는 단계; 및 i) 제5 마스크 단계에서 투명한 전도층(45)를 적용시키고 조성시키는 단계로 구성되는 메모리 커패시터를 가진 박층 트랜지스터의 매트릭스를 제조하는 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 비도핑 반도체층 (14')이 a-Si : H 반도체층인 방법.
  11. 제9항에 있어서, 부식 플라스마로 부터의 광학 방출의 모니터링이 상기 플라스마 부식이 종결될때를 결정하기 위해 240.4nm에서 부식 플라스마의 광학 방출의 강도를 측정하는 것을 포함하는 방법.
  12. 제9항에 있어서, 액정 스크린의 스크린 부재 전극(44) 근처에서 제4마스크 단계에서 투명한 절연층(40)을 제거하는 것을 또한 포함하는 방법.
  13. 제9항에 있어서, 상기 투명한 전도층(45)의 상기 조성이, 박층 트랜지스터(19')의 드레인 접촉부(D), 컬럼도체(23') 및 메모리 커패시터 (21')의 반대 전극(25') 사이의 직접 전도성 연결부가 생겨나도록 하는 방법.
  14. 제9항에 있어서, 투명한 전도층(45)이 열 도체(11') 및 컬럼 도체(23')의 연결점을 덮고, 컬럼 도체(23')를 금속화 시키는 것을 또한 포함하는 방법.
  15. 제9항에 있어서, 비도핑 반도체층(14)의 조성과 동시에 게이트-절연층(13')의 조성을 또한 포함하는 방법.
  16. 제9항에 있어서, 제1 전기적 전도층이 크롬, 알루미늄, 몰리브덴, 탄탈, 및 그의 배합물로 구성되는 군으로 부터 선택되는 원으로 부터 제조되는 방법.
  17. 제9항에 있어서, 열 도체(11') 박층 트랜지스터 (19')의 게이트-접촉부(G) 및 메모리 커패시터 (21')의 접지 전극(12')에 대한 상기 제1 전기적 전도층과 같이 작용하는, 상기 게이트-절연층(13')이 400nm 두께 질화규소층으로 구성되고, 상기 비도핑 반도체층(14')이 130nm 두께 a-Si : H 반도체층으로 구성되고 , 상기 게이트-절연층(13') 및 상기 비도핑 반도체층(14')이 200nm 두께 크롬층을 가진 상기 지지체(10) 상에 부착되는 방법.
  18. 제9항에 있어서, 드레인 및 원 접착부(D,S)에 대한 게이트-절연층(13'), 비도핑 반도체층(14') 및 도핑 반도체층(15')의 적용이 상기 플라스마 향상된 증착에서 상용된 진공의 방해없이 플라스마 향상된 증착에 의해 일어나는 방법.
  19. 제18항에 있어서, 제2 전도층(16')에 의한 모든 부식 공정중에 박층 트랜지스터(19')의 컬럼 도체(23') 및 열 도체(11')의 교차 위치에서 절연층(13)을 보호시키는 것을 또한 포함하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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