KR100653466B1 - 액정표시소자의제조방법 - Google Patents
액정표시소자의제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100653466B1 KR100653466B1 KR1019970066705A KR19970066705A KR100653466B1 KR 100653466 B1 KR100653466 B1 KR 100653466B1 KR 1019970066705 A KR1019970066705 A KR 1019970066705A KR 19970066705 A KR19970066705 A KR 19970066705A KR 100653466 B1 KR100653466 B1 KR 100653466B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- photolithography process
- insulating film
- pad
- transparent conductive
- conductive material
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 19
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 50
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims abstract description 32
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 39
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- -1 for example Chemical compound 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13458—Terminal pads
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
본 발명은 제조 공정 단계가 감소된 액정 표시 소자의 제조방법을 개시한다.
개시된 본 발명은, 전기적 신호를 전달하기 위한 패드가 가장자리에 구비된 절연 기판 상부에 제 1 사진 식각 공정으로 게이트 전극 배선을 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극 배선이 형성된 절연 기판 상부에 게이트 절연막과, 채널용 비정질 실리콘층, 절연막을 순차적으로 적층하는 단계와, 상기 절연막을 제 2 사진 식각 공정에 의하여, 소정 부분 패터닝하여 에치 스톱퍼를 형성하는 단계와, 상기 비정질 실리콘층과 게이트 절연막의 소정 부분을 제 3 사진 식각 공정에 의하여 식각하여, 패드를 오픈시키는 단계와, 상기 에치 스톱퍼가 형성된 결과물 상부에 도핑된 반도체층과 투명 전도 물질을 증착하는 단계를 포함하며, 상기 도핑된 반도체층과 투명 전도 물질은 노출된 패드와 콘택된다. 또한, 투명 전도 물질 및 도핑된 반도체층을 제 4 사진 식각 공정을 통하여 소정 부분 식각하여, 소오스 전극과 드레인 전극과 일체인 화소 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
Description
본 발명은 액정 표시 소자의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 박막 트랜지스터를 스위칭 소자로 하는 액정 표시 소자의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 액정 표시 소자에 있어서, 액티브 매트릭스형 액정 표시 소자는 고속 응답성을 갖고, 많은 화소의 갯수를 갖는다. 이에 따라, 디스플레이 화면의 고 화질화, 대형화, 컬러 화면화등을 실현하는 특성을 지니며, 휴대형 TV, 노트북 PC, 자동차 항법 장치등에 이용된다.
이러한 액티브 매트릭스형 액정 표시 소자에서, 화소 전극을 선택적으로 온/ 오프시키기 위하여 게이트 라인과 데이타 라인이 교차하는 점에 다이오드나 박막 트랜지스터와 같은 스위칭 소자가 배치 설계된다.
이러한 박막 트랜지스터를 포함하는 종래의 액정 표시 소자의 제조방법을 도 1을 참조하여 설명한다.
먼저, 도 1에 도시된 바와 같이, 절연 기판(1) 표면에 게이트 전극 배선용 금속층 예를들어, 알루미늄과 같은 전도 특성이 우수한 금속막(도시되지 않음)을 소정 두께로 증착한다. 그리고나서, 제 1 사진 식각 공정을 통하여, 금속막을 패터닝하여, 게이트 전극 배선(2)을 형성한다. 이어서, 게이트 전극 배선(2)을 포함하는 절연 기판(1) 상부에 게이트 절연막(3)을 소정 두께로 증착한다음, 박막 트랜지스터의 채널 역할을 하는 비정질 실리콘층(4)을 순차적으로 증착한다. 이어서, 비정질 실리콘층(4) 상부에 이후의 식각 공정시, 비정질 실리콘층(4)이 유실됨을 방지하기 위하여, 에치 스톱퍼용 실리콘 질화막이 증착된 후, 제 2 사진 식각 공정을 통하여 실리콘 질화막을 소정 부분 식각하여, 에치 스톱퍼(5)를 형성한다. 그런다음, 에치 스톱퍼(5)를 포함하는 비정질 실리콘층(3) 상부에, 불순물이 도핑된 오믹층(6)이 증착된다. 그후, 제 3 사진 식각 공정을 통하여, 불순물이 도핑된 오믹층(6)과 비정질 실리콘층(4)을 박막 트랜지스터 예정 영역에 존재하도록 패터닝한다. 그리고나서, 결과물 상부에 화소 전극용 ITO막을 소정 두께로 증착한다음, 제 4 사진 식각 공정을 통하여 패터닝하여, 화소 전극(7)을 형성한다. 그후, 도면에 도시되지 않았지만, 절연 기판(1) 상에 형성된 패드(이후에 형성될 도선과 연결될 영역)가 오픈될 수 있도록, 제 5 사진 식각 공정을 통하여 게이트 절연막을 식각하여, 콘택홀(도시되지 않음)을 형성한다. 이어서, 결과물 상부에는 데이터 전극 배선용 금속막을 소정 두께로 형성한다. 이때, 이 금속막은 콘택홀을 통하여 노출된 패드와 콘택됨과 아울러, 상기 화소 전극(7)과도 접촉된다. 그후, 금속막은 제 6 사진 식각 공정을 통하여, 소정 부분 식각하여, 데이터 전극 배선(도시되지 않음)과 일체인 소오스 전극(8a)과 비정질 실리콘(4)과 화소 전극(7)을 연결하는 드레인 전극(8b)을 형성한다. 따라서, 박막 트랜지스터가 완성된다. 끝으로, 결과물 상부에 절연막을 피복하고, 제 7 사진 식각 공정을 통하여, 상기 박막 트랜지스터를 감싸도록 식각하여, 보호막(9)을 형성한다.
그러나, 상기한 종래의 박막 트랜지스터를 포함하는 액정 표시 소자는 적어도 7번의 사진 식각 공정을 진행하여야 하므로, 제조 시간이 증대된다.
또한, 여러개의 마스크 사용으로 인하여, 제조 비용또한 상승되는 문제점 또한 존재한다.
따라서, 본 발명은 전술한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명은, 사진 식각 공정을 대폭 감소하여, 액정 표시 소자를 제조하는데 있어서, 제조 시간 및 비용을 감소할 수 있는 액정 표시 소자의 제조방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.
상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 액정 표시 소자의 제조방법은 전기적 신호를 전달하기 위한 패드가 가장자리에 구비된 절연 기판 상부에 제 1 사진 식각 공정으로 게이트 전극 배선을 형성하는 단계; 게이트 전극 배선이 형성된 절연 기판 상부에 게이트 절연막과, 채널용 비정질 실리콘층, 절연막을 순차적으로 적층하는 단계; 절연막을 제 2 사진 식각 공정에 의하여, 소정 부분 패터닝하여 에치 스톱퍼를 형성하는 단계; 비정질 실리콘층과 게이트 절연막의 소정 부분을 제 3 사진 식각 공정에 의하여 식각하여 상기 패드를 오픈시키는 단계; 결과물 상부에 불순물이 도핑된 반도체층과 투명 전도 물질을 증착하는 단계; 투명 전도 물질 및 도핑된 반도체층을 제 4 사진 식각 공정에 의하여 소정 부분 식각하여, 소오스 전극, 드레인 전극 및 화소 전극을 동시에 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 4번의 사진 식각 공정만으로 박막 트랜지스터 및 화소 전극을 형성하므로써, 공정 단계 및 공정 시간이 감소된다.
이하 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시예를 자세히 설명하도록 한다.
첨부한 도면 도 2a 내지 도 2d는 본 발명에 따른 액정 표시 소자의 제조방법을 설명하기 위한 각 제조 공정별 단면도이다.
먼저, 도 2a에 도시된 바와 같이, 절연 기판(11) 예를들어, 투명 유리 기판 상부에 게이트 전극용 금속막을 소정 두께로 증착한다. 이어, 제 1 사진 식각 공정 즉, 상기 금속막 상부에 포토레지스트막을 도포한다음, 게이트 전극 배선을 한정하기 위한 마스크를 이용하여 노광 및 현상하여 포토레지스트 패턴(도시되지 않음)을 형성하고, 이 포토레지스트 패턴의 형태로 금속막을 식각하는 일련의 공정을 진행하여, 게이트 전극 배선(12)을 형성한다.
그후에, 도 2b를 참조하여, 게이트 전극 배선(12)이 형성된 절연 기판(11) 상부에 게이트 절연막(13)과 채널용 비정질 실리콘막(14)을 순차적으로 적층한다. 이때, 게이트 절연막(13)은 막질 특성이 우수하며, 절연 특성이 좋은 실리콘 질화막이 이용될 수 있으며, 또는 실리콘 산화막과 실리콘 질화막의 적층막이 이용될 수 있다. 또한, 비정질 실리콘막(14)을 채널층으로 이용하게 되면, 오프 전류가 우수한 장점이 있다. 그리고나서, 비정질 실리콘막(14) 상부에는 비정질 실리콘막과 식각 속도가 상이하면서, 수분 방지 능력이 우수한 물질 예를들어, 실리콘 질화막이 증착된다. 이어서, 비정질 실리콘막(14) 상부의 소정 부분에만 실리콘 질화막이 존재하도록 제 2 사진 식각 공정을 통하여 식각하여, 에치 스톱퍼(15)를 형성한다. 이때, 에치 스톱퍼(15)를 형성하는 공정에서, 공지된 후면 노광을 이용하는 방식이 이용될 수 있다.
여기서, 절연 기판(11) 표면의 가장자리에는 인쇄회로 기판(도시되지 않음)으로부터, 게이트 전극 배선(12) 및 이후에 형성될 데이터 전극 배선에 전기적으로 신호를 공급하기 위한 패드(도시되지 않음)들이 형성되어 있다. 그러나, 게이트 전극 배선(12)은 절연 기판(11) 표면에 형성되어 있으므로, 별도의 패드 오픈 공정이 필요없다, 하지만, 이후에 형성될 데이터 전극 배선용 패드는 상기 게이트 절연막(12)에 의하여 묻혀있게 되므로, 외부의 전기적 신호를 데이터 전극 배선에 전달하기 위하여는 데이터 전극 배선용 패드를 오픈시키는 공정이 필요하다. 따라서, 데이터 전극 배선용 패드가 오픈될 수 있도록, 제 3 사진 식각 공정에 의하여, 게이트 절연막 및 비정질 실리콘층의 소정 부분을 식각한다.
도 2c에 도시된 바와 같이, 에치 스톱퍼(15)가 형성된 절연 기판(11)의 결과물 상부에 금속막과 실리콘층간의 오믹 역할을 하는 오믹층으로, N형의 불순물이 포함된 도핑된 반도체층(16)을 형성한다. 그리고나서, 도핑된 반도체층(16) 상부에 데이터 전극 배선용 즉, 박막 트랜지스터의 소오스, 드레인 전극용 물질을 증착한다. 본 발명에서는, 공정 단계를 감소시키기 위하여, 소오스, 드레인 전극과 화소 전극을 동시에 형성할 수 있도록, 소오스, 드레인 전극용 물질로서, ITO(indium tin oxide) 물질을 형성한다. 그후, 증착된 ITO 물질을, 상기 에치 스톱퍼(15)의 소정 부분이 노출됨과 아울러 박막 트랜지스터 영역 및 화소 영역이 한정되도록, 제 4 사진 식각 공정을 통하여 식각하여, 소오스 전극(17a) 및 드레인 전극과 일체인 화소 전극(17b)을 형성한다.
그후, 도 2d에서와 같이, 결과물 상부에 보호막(18)을 형성하여, 박막 트랜지스터를 완성한다.
본 발명은 상기한 실시예에만 국한되는 것만은 아니다.
본 발명에서 패드 오픈을 위한 제 3 사진 식각 공정을, 에치 스톱퍼(15)를 형성하는 단계와 도핑된 반도체층(16)을 형성하는 단계 사이에 형성하였지만, 도핑된 반도체층(16)을 형성하는 단계와 ITO 물질을 증착하는 단계 사이에 실시하여도 무방하다.
이상에서 자세히 설명된 바와 같이, 본 발명에 의하면, 게이트 전극 배선을 형성하기 위한 제 1 사진 식각 공정, 에치 스톱퍼를 형성하기 위한 제 2 사진 식각 공정, 패드 오픈을 위한 제 3 사진 식각 공정, 박막 트랜지스터의 소오스, 드레인 전극 및 화소 전극을 ITO 물질로 동시에 형성하기 위한 제 4 사진 식각 공정만으로, 박막 트랜지스터를 형성한다.
이와같이, 4번의 사진 식각 공정만으로 박막 트랜지스터를 형성하므로써, 제조 단계 및 제조 공정 시간이 감소된다.
아울러, 4개의 마스크만으로 박막 트랜지스터가 형성되므로, 제조 비용또한 감소된다.
기타, 본 발명은 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.
도 1은 종래의 7번의 사진 식각 공정으로 형성되는 액정 표시 소자의 단면도.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명에 따른 액정 표시 소자의 제조방법을 설명하기 위한 각 제조 공정별 단면도.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)
11: 절연 기판 12 : 게이트 전극 배선
13 : 게이트 절연막 14 : 비정질 실리콘층
15 : 에치 스톱퍼 16 : 도핑된 오믹층
17a: 소오스 전극 17b : 화소 전극
18 : 보호막
Claims (4)
- 전기적 신호를 전달하기 위한 패드가 가장자리에 구비된 절연 기판 상부에 제 1 사진 식각 공정으로 게이트 전극 배선을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 배선이 형성된 절연 기판 상부에 게이트 절연막과, 채널용 비정질 실리콘층, 절연막을 순차적으로 적층하는 단계;상기 절연막을 제 2 사진 식각 공정에 의하여, 소정 부분 패터닝하여 에치 스톱퍼를 형성하는 단계;상기 비정질 실리콘층과 게이트 절연막의 소정 부분을 제 3 사진 식각 공정에 의하여 식각하여 상기 패드를 오픈시키는 단계;상기 결과물 상부에 불순물이 도핑된 반도체층과 투명 전도 물질을 증착하는 단계;상기 투명 전도 물질 및 도핑된 반도체층을 제 4 사진 식각 공정에 의하여 소정 부분 식각하여, 소오스 전극, 드레인 전극 및 화소 전극을 동시에 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 에치 스톱퍼는 실리콘 질화막으로 된 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 투명 전도 물질은 ITO(indium tin oxide)인 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 소오스 전극, 드레인 전극 및 화소 전극을 동시에 형성하는 단계 이후에, 상기 절연 기판의 결과물 상부에 보호막을 증착하는 단계를 추가하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자의 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970066705A KR100653466B1 (ko) | 1997-12-08 | 1997-12-08 | 액정표시소자의제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970066705A KR100653466B1 (ko) | 1997-12-08 | 1997-12-08 | 액정표시소자의제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19990048092A KR19990048092A (ko) | 1999-07-05 |
| KR100653466B1 true KR100653466B1 (ko) | 2007-02-05 |
Family
ID=41611852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019970066705A KR100653466B1 (ko) | 1997-12-08 | 1997-12-08 | 액정표시소자의제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100653466B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8767150B2 (en) | 2012-01-20 | 2014-07-01 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display and method of manufacturing the same |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100719333B1 (ko) * | 1999-11-25 | 2007-05-17 | 삼성전자주식회사 | 반사-투과형 박막트랜지스터 액정 표시 장치 및 그 제조방법 |
| KR101035661B1 (ko) * | 2010-02-24 | 2011-05-23 | 서울대학교산학협력단 | 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 이에 의한 박막 트랜지스터 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06310533A (ja) * | 1992-10-15 | 1994-11-04 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ・マトリクスの製造方法 |
| JPH07199227A (ja) * | 1993-11-22 | 1995-08-04 | Luder Ernst | 薄膜トランジスタからなるマトリクスを製造するための方法 |
| KR970028753A (ko) * | 1995-11-20 | 1997-06-24 | 김주용 | 액정 표시 소자의 제조 방법 |
| KR970053623A (ko) * | 1995-12-29 | 1997-07-31 | 김광호 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| KR970076042A (ko) * | 1996-05-30 | 1997-12-10 | 김광호 | 액정 표시 장치 및 제조 방법 |
| KR970077369A (ko) * | 1996-05-16 | 1997-12-12 | 김광호 | 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
-
1997
- 1997-12-08 KR KR1019970066705A patent/KR100653466B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06310533A (ja) * | 1992-10-15 | 1994-11-04 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ・マトリクスの製造方法 |
| JPH07199227A (ja) * | 1993-11-22 | 1995-08-04 | Luder Ernst | 薄膜トランジスタからなるマトリクスを製造するための方法 |
| KR970028753A (ko) * | 1995-11-20 | 1997-06-24 | 김주용 | 액정 표시 소자의 제조 방법 |
| KR970053623A (ko) * | 1995-12-29 | 1997-07-31 | 김광호 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| KR970077369A (ko) * | 1996-05-16 | 1997-12-12 | 김광호 | 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| KR970076042A (ko) * | 1996-05-30 | 1997-12-10 | 김광호 | 액정 표시 장치 및 제조 방법 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8767150B2 (en) | 2012-01-20 | 2014-07-01 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19990048092A (ko) | 1999-07-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6537840B2 (en) | Manufacturing process of thin film transistor liquid crystal display with one mask | |
| US20200105793A1 (en) | Display substrate, method for manufacturing same, and display device | |
| KR100653467B1 (ko) | 박막 트랜지스터-액정표시소자의 제조방법 | |
| US20020135709A1 (en) | Liquid crystal display device and fabricating method thereof | |
| US11437409B2 (en) | Array substrate and manufacturing method thereof, and display device | |
| KR100783702B1 (ko) | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 | |
| KR100653466B1 (ko) | 액정표시소자의제조방법 | |
| KR20010010117A (ko) | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 | |
| KR100646787B1 (ko) | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 | |
| KR19980075975A (ko) | 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 | |
| KR20010011855A (ko) | 박막트랜지스터-액정표시장치의 제조방법 | |
| KR100663288B1 (ko) | 박막 트랜지스터 액정표시장치의 제조방법 | |
| KR100336893B1 (ko) | 박막트랜지스터-액정표시소자의제조방법 | |
| KR100341129B1 (ko) | 박막 트랜지스터-액정 표시 장치의 제조방법 | |
| KR100336894B1 (ko) | 박막트랜지스터-액정표시소자의제조방법 | |
| KR100309213B1 (ko) | 회절노광기술을이용한액정표시장치제조방법 | |
| KR100619160B1 (ko) | 박막 트랜지스터 액정표시장치의 제조방법 | |
| KR100695295B1 (ko) | 배선 구조, 이를 이용한 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조방법 | |
| KR100569265B1 (ko) | 박막트랜지스터-액정표시장치의 제조방법 | |
| KR20000045306A (ko) | 박막 트랜지스터 액정표시소자의 제조방법 | |
| JP3169591B2 (ja) | アクティブマトリックス回路基板及びシリコン系絶縁薄膜のドライエッチング方法 | |
| KR19990048093A (ko) | 박막 트랜지스터의 제조방법 | |
| KR100878276B1 (ko) | 박막 트랜지스터 기판 및 그의 제조 방법 | |
| JP2001053067A (ja) | アクティブマトリクス回路基板及びその製造方法 | |
| KR20000009311A (ko) | 박막 트랜지스터 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| A201 | Request for examination | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| J201 | Request for trial against refusal decision | ||
| J301 | Trial decision |
Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20050323 Effective date: 20060726 Free format text: TRIAL NUMBER: 2005101001740; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20050323 Effective date: 20060726 |
|
| S901 | Examination by remand of revocation | ||
| GRNO | Decision to grant (after opposition) | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121008 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131017 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141017 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151019 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161020 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171023 Year of fee payment: 12 |