KR960039324A - 알파입자에 의한 소프트에러율을 감소시키기 위한 반도체 메모리장치 및 이의 제조방법 - Google Patents

알파입자에 의한 소프트에러율을 감소시키기 위한 반도체 메모리장치 및 이의 제조방법 Download PDF

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KR960039324A
KR960039324A KR1019950009122A KR19950009122A KR960039324A KR 960039324 A KR960039324 A KR 960039324A KR 1019950009122 A KR1019950009122 A KR 1019950009122A KR 19950009122 A KR19950009122 A KR 19950009122A KR 960039324 A KR960039324 A KR 960039324A
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memory cell
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semiconductor memory
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cell array
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KR1019950009122A
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Inventor
정문모
정병태
Original Assignee
문정환
엘지반도체 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 메모리장치에 있어서 α입자에 의한 소프트에러율을 감소시키는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 메모리셀어레이가 형성된 기판 전면에 산화막을 형성하는 단계와, 상기 산화막상에 리프렉토리 금속을 증착하는 단계, 상기 리프렉토리 금속층을 선택적으로 식각하여 메모리셀어레이 상부에만 남기는 단계, 및 기판 전면에 패시베이션막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 반도체 메모리장치의 제조방법을 제공한다.

Description

알파입자에 의한 소프트에러율을 감소시키기 위한 반도체 메모리장치 및 이의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 반도체 메모리장치의 개략적인 단면구조도.
제3도는 본 발명에 의한 반도체 메모리장치의 제조방법을 도시한 공정순서도.

Claims (2)

  1. 메모리셀 영역 상부에 리프렉토리 금속층이 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치.
  2. 메모리셀어레이가 형성된 기판 전면에 산화막을 형성하는 단계와, 상기 산화막상에 리프렉토리 금속을 증착하는 단계, 상기 리프렉토리 금속층을 선택적으로 식각하여 메모리셀어레이 상부에만 남기는 단계, 및 기판 전면에 패시베이션막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 알파입자에 의한 소프트에러율을 감소시키기 위한 반도체 메모리장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950009122A 1995-04-18 1995-04-18 알파입자에 의한 소프트에러율을 감소시키기 위한 반도체 메모리장치 및 이의 제조방법 KR960039324A (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100260551B1 (ko) * 1997-05-10 2000-07-01 윤종용 소프트 에러율을 감소시킨 반도체 장치 및 그 제조방법
KR100439831B1 (ko) * 1997-06-05 2004-10-26 삼성전자주식회사 반도체소자

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KR100260551B1 (ko) * 1997-05-10 2000-07-01 윤종용 소프트 에러율을 감소시킨 반도체 장치 및 그 제조방법
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