KR970023992A - 반도체 장치의 매입층 형성 방법 - Google Patents
반도체 장치의 매입층 형성 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 기존 다단계로 이루어진 반도체 장치의 매입층 형성 공정을 단순화 한 한 반도체 장치의 매입층 형성 방법에 관한 것으로서, 실리콘 기판의 표면에 산화막을 형성시키는 단계; 상기 산화막 상에 감광막 패턴을 형성시키는 단계; 상기 감광막 패턴의 개구부를 통해 제1전도형 불순물을 주입하는 단계; 상기 감광막 패턴을 제거하는 단계; 상기 실리콘 기판 전면에 걸쳐 제2전도형 불순물을 주입하는 단계; 및 상기 제1 및 제2 전도형의 불순물을 활성화시키는 단계로 구성되어 있어, 질화를 관련 공정을 실시하지 않으므로써 종래 질화물 관련 공정으로 인한 불량, 즉 실리콘 침투 및 미립자의 발생을 사전에 억제할 수 있을 뿐 아니라 매입층의 인덴테이션을 최소화함으로써 전체 공정의 단순화 할 수 있는 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2 도는 본 발명에 따른 반도체 장치의 매입층 형성 과정을 도시한 공정 순서도로서, (A)도는 감광막 패턴 형성 단계, (B)도는 제1전도형의 불순물 주입 단계, (C)도는 제2전도형의 불순물 주입 단계, (D)도는 매입층 형성 단계를 도시한 것이다.
Claims (1)
- 실리콘 기판의 표면에 산화막을 형성시키는 단계; 상기 산화막 상에 감광막 패턴을 형성시키는 단계; 상기 감광막 패턴의 개구부를 통해 제1전도형 불순물을 주입하는 단계; 상기 감광막 패턴을 제거하는 단계; 상기 실리콘 기판 전면에 걸쳐 제2전도형 불순물을 주입하는 단계; 및 상기 제1 및 제2 전도형의 불순물을 활성화시키는 단계로 구성되는 반도체 장치의 매입층 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950036882A KR970023992A (ko) | 1995-10-24 | 1995-10-24 | 반도체 장치의 매입층 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019950036882A KR970023992A (ko) | 1995-10-24 | 1995-10-24 | 반도체 장치의 매입층 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970023992A true KR970023992A (ko) | 1997-05-30 |
Family
ID=66584542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1019950036882A KR970023992A (ko) | 1995-10-24 | 1995-10-24 | 반도체 장치의 매입층 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970023992A (ko) |
-
1995
- 1995-10-24 KR KR1019950036882A patent/KR970023992A/ko not_active Application Discontinuation
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