KR970023635A - 반도체장치의 미세패턴 형성방법 - Google Patents
반도체장치의 미세패턴 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
반도체장치의 미세패턴을 형성하는 방법이 개시되어 있다.
본 발명의 방법은 반도체기판상에 패턴을 이루게 될 패턴물질층을 형성시키는 공정, 패턴물질층위에 마스크층을 형성시키는 공정, 포토리소그라피를 이용하여 마스크층으로 된, 패턴물질층에 형성할 패턴과 중심이 같고 선폭이 패턴물질층에 형성할 패턴보다 넓은 가(假)패턴을 형성시키는 공정, 가패턴을 식각하여 가패턴의 선폭을 줄이는 공정 및 선폭이 좁아진 가패턴을 식각마스크로 패턴물질층을 식각하여 패턴물질층으로 된 패턴을 형성시키는 공정을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
따라서, 기존의 포토리소그라피장비를 사용해서는 형성할 수 없던 미세한 선폭의 패턴을 형성할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제4도는 본 발명에 의해 미세패턴을 형성하는 공정을 나타낸 단면도들이다.
Claims (4)
- 반도체기판상에 패턴을 이루게 될 패턴물질층을 형성시키는 공정; 상기 패턴물질층위에 마스크층을 형성시키는 공정; 포토리소그라피를 이용하여 상기 마스크층으로 상기 패턴물질층에 형성될 패턴과 중심이 같고 선폭이 패턴물질층에 형성될 패턴보다 넓은 가(假)패턴을 형성시키는 공정; 상기 가패턴을 식각하여 상기 가패턴의 선폭을 줄이는 공정; 및 선폭이 좁아진 가패턴을 식각마스크로 사용하여 패턴물질층을 식각하여 패턴물질층으로 된 패턴을 형성시키는 공정; 을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 미세패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 마스크층은 실리콘 산화막으로 된 것임을 특징으로 하는 상기 반도체장치의 미세패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 선폭을 줄이는 공정에서 사용하는 식각법은 스퍼터 에칭(sputter etching)임을 특징으로 하는 상기 반도체장치의 미세패턴 형성방법.
- 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 패턴물질층은 폴리실리콘 또는 텅스텐폴리사이드로 형성되는 것임을 특징으로 하는 상기 반도체장치의 미세패턴 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950037206A KR970023635A (ko) | 1995-10-25 | 1995-10-25 | 반도체장치의 미세패턴 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950037206A KR970023635A (ko) | 1995-10-25 | 1995-10-25 | 반도체장치의 미세패턴 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970023635A true KR970023635A (ko) | 1997-05-30 |
Family
ID=66584591
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950037206A KR970023635A (ko) | 1995-10-25 | 1995-10-25 | 반도체장치의 미세패턴 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970023635A (ko) |
-
1995
- 1995-10-25 KR KR1019950037206A patent/KR970023635A/ko not_active Application Discontinuation
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