KR960001875A - 포토리소그래피 공정을 통한 식각패턴 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 포토리소그래피 공정을 통한 식각패턴 형성방법에 관한 것으로, 패턴형성하고자 하는 막(21, 35)상부에 식각선택비가 높은 마스크막(22)을 형성하는 단계; 상기 마스크막(22, 36) 상부에 리소그래피 공정을 통해 포토레지스트 패턴(23)을 형성한 다음, 상기 마스크막(22, 36)을 선택식각하는 단계; 상기 마스크막(22, 36)을 식각 마스크로 상기 패턴형성하고자 하는 선택식각하는 단계를 포함하여 이루어짐으로써 본 발명은 포토레지스트 마스크 외에 식각선택비가 높은 별도의 마스크를 사용하기 때문에 포토레지스트가 경사지거나 노치가 발생되더라도 포토레지스트 마스크보다 5배 이상의 선택비를 가지고 마스크역할을 하기때문에 전도막의 세선화, 노치, 단락을 방지할 수 있고, 선폭조절도 용이한 효과를 얻을 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1C도는 종래방법에 따른 금속막 식각패턴 형성과정을 나타내는 공정단면도.
제2A도 내지 2C도는 본 발명의 일실시예에 따라 식각패턴 형성과정을 나타내는 공정단면도.
제3도는 본 발명의 다른 실시예에 따라 형성된 식각패턴의 단면도.
Claims (3)
- 포토리소그래피 공정을 통한 식각패턴 형성방법에 있어서, 패턴형성하고자 하는 막(21, 35) 상부에 식각 선택비가 높은 마스크막(22)을 형성하는 단계; 상기 마스크막(22, 36) 상부에 리소그래피 공정을 통해 포토레지스트 패턴(23)을 형성한 다음, 상기 마스크막(22, 36)을 선택식각하는 단계; 상기 마스크막(22, 36)을 식각마스크로 상기 패턴형성하고자 하는 선택식각하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토리소그래피 공정을 통한 식각패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 패턴형성하고자 하는 막(21, 35)은 금속막 또는 다결정실리콘막 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 포토리소그래피 공정을 통한 식각패턴 형성방법.
- 제2항에 있어서, 상기 마스크막(22, 35)은 질화막 또는 산화막 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 포토리소그래피 공정을 통한 식각패턴 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019940013039A KR960001875A (ko) | 1994-06-09 | 1994-06-09 | 포토리소그래피 공정을 통한 식각패턴 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019940013039A KR960001875A (ko) | 1994-06-09 | 1994-06-09 | 포토리소그래피 공정을 통한 식각패턴 형성방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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KR960001875A true KR960001875A (ko) | 1996-01-26 |
Family
ID=66775767
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019940013039A KR960001875A (ko) | 1994-06-09 | 1994-06-09 | 포토리소그래피 공정을 통한 식각패턴 형성방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR960001875A (ko) |
-
1994
- 1994-06-09 KR KR1019940013039A patent/KR960001875A/ko not_active Application Discontinuation
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