KR970052342A - 반도체 소자의 금속패턴 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 금속패턴 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 노광기의 해상력 한계를 넘어서 패턴간 간격을 좁힐 수 있는 반도체 소자의 금속패턴 형성방법에 관한 것으로, 제1금속막을 형성하는 단계; 상기 제1금속막 상부에 제1감광막패턴을 형성하되, 감광막패턴의 패턴폭은 형성하고자 하는 금속패턴의 폭과 동일하며, 패턴간 간격은 형성하고자 하는 금속패턴의 폭에 패턴간 간격의 2배를 더한 값으로 형성하는 단계; 상기 제1감광막패턴을 식각마스크로 사용하여 하부의 상기 제1금속막을 식각하는 단계; 상기 제1금속막 측벽에 산화금속막 스페이서를 형성하는 단계; 상기 제1감광막패턴을 제거한 후 전체 상부에 제2금속막을 형성하는 단계; 상기 제1금속막 사이의 상기 제2금속막 상부에 제2감광막패턴을 형성하되, 상기 제1감광막 패턴의 패턴폭 및 패턴간 간격과 동일하게 형성하는 단계; 상기 제2감광막패턴을 식각마스크로 사용하여 하부의 상기 제2금속막을 식각한 다음, 상기 제2감광막패턴을 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1E도는 본 발명의 일실시예에 따른 금속패턴 형성 과정을 나타내는 단면도.
Claims (3)
- 제1금속막을 형성하는 단계; 상기 제1금속막 상부에 제1감광막패턴을 형성하되, 감광막패턴의 패턴폭은 형성하고자 하는 금속패턴의 폭과 동일하며, 패턴간 간격은 형성하고자 하는 금속패턴의 폭에 패턴간 간격의 2배를 더한 값으로 형성하는 단계; 상기 제1감광막패턴을 식각마스크로 사용하여 하부의 상기 제1금속막을 식각하는 단계; 상기 제1금속막 측벽에 산화금속막 스페이서를 형성하는 단계; 상기 제1감광막패턴을 제거한 후 전체 상부에 제2금속막을 형성하는 단계; 상기 제1금속막 사이의 상기 제2금속막 상부에 제2감광막패턴을 형성하되, 상기 제1감광막 패턴의 패턴폭 및 패턴간 간격과 동일하게 형성하는 단계; 상기 제2감광막패턴을 식각마스크로 사용하여 하부의 상기 제2금속막을 식각한 다음, 상기 제2감광막패턴을 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화금속막 스페이서는 500 내지 2000Å 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1금속막 및 제2금속막은 알루미늄막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속패턴 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950055933A KR970052342A (ko) | 1995-12-23 | 1995-12-23 | 반도체 소자의 금속패턴 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950055933A KR970052342A (ko) | 1995-12-23 | 1995-12-23 | 반도체 소자의 금속패턴 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970052342A true KR970052342A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66617884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950055933A KR970052342A (ko) | 1995-12-23 | 1995-12-23 | 반도체 소자의 금속패턴 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970052342A (ko) |
-
1995
- 1995-12-23 KR KR1019950055933A patent/KR970052342A/ko not_active Application Discontinuation
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