KR960026894A - 롬의 게이트전극 제조방법 - Google Patents

롬의 게이트전극 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR960026894A
KR960026894A KR1019940038146A KR19940038146A KR960026894A KR 960026894 A KR960026894 A KR 960026894A KR 1019940038146 A KR1019940038146 A KR 1019940038146A KR 19940038146 A KR19940038146 A KR 19940038146A KR 960026894 A KR960026894 A KR 960026894A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gate electrode
photoresist pattern
forming
polymer
gap
Prior art date
Application number
KR1019940038146A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0167608B1 (ko
Inventor
황준
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019940038146A priority Critical patent/KR0167608B1/ko
Publication of KR960026894A publication Critical patent/KR960026894A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0167608B1 publication Critical patent/KR0167608B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering

Abstract

본 발명은 노광기의 해상력과는 무관하게 패턴간 간격을 최소화할 수 있는 롬의 게이트전극 제조방법에 관한 것으로, 게이트전극층 상부에 게이트전극 패턴 형성을 위한 식각마스크로 감광막 패턴을 형성하는 제1단계; 상기 감광막 패턴 측벽에 폴리머를 형성하는 제2단계; 상기 감광막 패턴 및 폴리머를 식각마스크로 상기 게이트전극층을 선택식각함으로써 게이트전극과 간격이 상기 감광막 패턴간 간격보다 좁게되도록 하는 제3단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

Description

롬의 게이트전극 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3A도 내지 제3C도는 본 발명에 따른 상기 제1도의 마스크 롬의 제조과정을 나타내는 공정단면도.

Claims (2)

  1. 롬의 게이트전극 제조방법에 있어서, 게이트전극층 상부에 게이트전극 팬 형성을 위한 식각마스크로 감광막 패턴을 형성하는 제1단계; 상기 감광막 패턴 측벽에 폴리머를 형성하는 제2단계; 상기 감광막 패턴 및 폴리머를 식각마스크로 상기 게이트전극층을 선택식각함으로써 게이트전극간 간격이 상기 감광막 패턴간 간격보다 좁게되도록 하는 제3단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 롬의 게이트전극 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1단계의 감광막 패턴은 패턴간 간격이 0.45 내지 0.5㎛가 되도록 하는 것을 특징으로 하는 롬의 게이트전극 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940038146A 1994-12-28 1994-12-28 롬의 게이트 전극 제조 방법 KR0167608B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019940038146A KR0167608B1 (ko) 1994-12-28 1994-12-28 롬의 게이트 전극 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019940038146A KR0167608B1 (ko) 1994-12-28 1994-12-28 롬의 게이트 전극 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960026894A true KR960026894A (ko) 1996-07-22
KR0167608B1 KR0167608B1 (ko) 1999-01-15

Family

ID=19404429

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940038146A KR0167608B1 (ko) 1994-12-28 1994-12-28 롬의 게이트 전극 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR0167608B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100390848B1 (ko) * 1999-06-24 2003-07-10 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의 게이트전극 형성 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100390848B1 (ko) * 1999-06-24 2003-07-10 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의 게이트전극 형성 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR0167608B1 (ko) 1999-01-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960026894A (ko) 롬의 게이트전극 제조방법
KR970063431A (ko) 하프톤 위상 시프트 마스크를 사용한 반도체 디바이스의 제조 방법
KR970008372A (ko) 반도체장치의 미세 패턴 형성방법
KR960026893A (ko) 롬의 게이트전극 제조방법
KR100268898B1 (ko) 반도체소자의콘택홀형성방법
KR960026891A (ko) 롬의 게이트전극 제조방법
KR960026635A (ko) 금속배선 형성방법
KR960026664A (ko) 롬의 게이트전극 제조방법
KR970052342A (ko) 반도체 소자의 금속패턴 형성방법
KR950021063A (ko) 반도체 소자의 스텝 커버리지(Step coverage) 향상방법
KR960026270A (ko) 콘택홀 형성방법
KR970054205A (ko) 고집적 마스 롬(mask rom) 제조 방법
KR970016798A (ko) 포토 레지스트 패턴의 형성 방법
KR980005631A (ko) 콘택홀 형성방법
KR970012001A (ko) 마스크 제조방법
KR960006021A (ko) 미세환형패턴을 이용한 이중실린더 전하저장전극 형성방법
KR960011550A (ko) 이중 식각 단면 형성방법
KR960002479A (ko) 반도체 소자의 감광 패턴 형성방법
KR960026351A (ko) 스페이서절연층 형성방법
KR970016793A (ko) 스페이서를 이용한 마스크 제조방법
KR940018938A (ko) 반도체장치의 게이트전극 패턴 레이아웃 및 이를 사용한 게이트전극의 형성방법
KR950009942A (ko) 반도체 소자의 패턴 형성방법
KR970052418A (ko) 접촉창 형성 방법
KR970016754A (ko) 반도체 장치용 마스크 제조방법
KR950030243A (ko) 잔존 도전막 제거 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20050822

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee