KR960035766A - 반도체 소자의 패턴 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 패턴 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 노광기가 갖고 있는 해상력 한계이상으로 조밀하게 패턴을 형성하는 방법에 관하여 개시된다.
본 발명은 제1마스크를 사용하여 웨이퍼상에 패턴간 폭이 넓은 다수의 제1패턴을 형성하고, 제2마스크를 사용하여 다수의 제1패턴 각각의 사이마다 하나씩 형성되는 다수의 제2패턴을 형성하여, 제1패턴과 제2패턴사이의 폭이 해상력 한계보다 좁도록 패턴을 형성한다.
따라서, 본 발명은 두범의 마스크 공정으로 노광기가 갖고 있는 해상력 한계이상으로 조밀하게 패턴을 형성하므로써, 반도체 소자의 고집적화를 이룰수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1A 내지 1D도는 본 발명에 의한 반도체 소자의 패턴 형성방법을 설명하기 위해 도시한 소자의 단면도이다.
Claims (6)
- 반도체 소자의 패턴 형성방법에 있어서, 웨이퍼상에 제1도전층을 형성한 후, 상기 제1도전층상에 식각 장벽층을 형성하는 단계와, 제1마스크를 사용한 리소그라피 공정 및 상기 제1도전층 식각공정으로 상기 웨이퍼상에 다수의 제1패턴을 형성하는 단계와, 다수의 상기 제1패턴을 포함한 상기 웨이퍼상에 제2도전층을 형성하는 단계와, 제2마스크를 사용한 리소그라피 공정 및 상기 제2도전층 식각공정으로 다수의 상기 제1패턴 각각의 사이마다 하나씩 형성되는 다수의 제2패턴을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1및 2도전층은 폴리실리콘으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1및 2도전층은 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 식각 장벽층은 상기 제1및 2도전층에 대하여 식각선택비가 다른 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1및 2도전층이 폴리실리콘으로 형성될 경우 상기 식각장벽층은TiN또는 Al2O3로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1및 2도전층이 금속으로 형성될 경우 상기 식각장벽층은 Al2O3로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 패턴 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950006095A KR960035766A (ko) | 1995-03-22 | 1995-03-22 | 반도체 소자의 패턴 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950006095A KR960035766A (ko) | 1995-03-22 | 1995-03-22 | 반도체 소자의 패턴 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960035766A true KR960035766A (ko) | 1996-10-24 |
Family
ID=66553540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950006095A KR960035766A (ko) | 1995-03-22 | 1995-03-22 | 반도체 소자의 패턴 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960035766A (ko) |
-
1995
- 1995-03-22 KR KR1019950006095A patent/KR960035766A/ko not_active Application Discontinuation
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