KR920005318A - 텅스텐 실리사이드 전극의 보호방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 방법에 따른 제조공정도.
Claims (1)
- 반도체 기판(30)의 상부에 형성된 다결정 실리콘(33)과 텅스텐 실리사이드(34)의 적층 구조로 된 게이트 전극(35)을 보호하는 방법에 있어서, 상기 기판(30) 전면에 2000Å정도의 산화막(37)을 도포하는 제1공정과, 상기 게이트 전극(35)상면에 잔류하는 산화막의 두께가 200Å-300Å으로 될때까지 상기 산화막(37)을 에치백 공정으로 식각하는 제2공정으로 이루어짐을 특징으로 하는 텅스텐 실리사이드 전극의 보호방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900012361A KR920005318A (ko) | 1990-08-11 | 1990-08-11 | 텅스텐 실리사이드 전극의 보호방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900012361A KR920005318A (ko) | 1990-08-11 | 1990-08-11 | 텅스텐 실리사이드 전극의 보호방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920005318A true KR920005318A (ko) | 1992-03-28 |
Family
ID=67542641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900012361A KR920005318A (ko) | 1990-08-11 | 1990-08-11 | 텅스텐 실리사이드 전극의 보호방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR920005318A (ko) |
-
1990
- 1990-08-11 KR KR1019900012361A patent/KR920005318A/ko not_active Application Discontinuation
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