KR960019527A - 금속배선의 텅스텐 박막 형성 방법 - Google Patents
금속배선의 텅스텐 박막 형성 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 기억 소자 또는 로직(Logic) 소자 제조 공정에서 금속배선으로 텅스텐 박막을 사용할때 텅스텐 박막의 거칠기를 조절하는 방법에 관한 것으로, 수소환원반응에 의한 제1텅스텐 박막을 형성하는 단계와, 상기 수소환원반응에 의한 제1텅스텐 박막 상부에 사일렌을 첨가에 의한 제2텅스텐 박막을 형성하는 단계를 포함하여 양호한 층덮힘 및 표면 거칠기를 갖는 것을 특징으로 하는 금속배선의 텅스텐 박막 형성 방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1D도는 본 발명의 일실시예에 따른 텅스텐 박막 형성 공정도.
Claims (3)
- 금속배선 형성을 위한 전면성 텅스텐 박막 형성 방법에 있어서, 수소환원반응에 의한 제1텅스텐 박막을 형성하는 단계와, 상기 수소환원반응에 의한 제1텅스텐 박막 상부에 사일렌을 첨가에 의한 제2텅스텐 박막을 형성하는 단계를 포함하여 양호한 층덮힘 및 표면 거칠기를 갖는 것을 특징으로 하는 금속배선의 텅스텐 박막 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1텅스텐 박막은 금속 콘택홀이 형성된 기판 전체구조 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는 금속배선의 텅스텐 박막 형성 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 제1텅스텐 박막 형성 이전에 접합층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속배선의 텅스텐 박막 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940031859A KR960019527A (ko) | 1994-11-29 | 1994-11-29 | 금속배선의 텅스텐 박막 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940031859A KR960019527A (ko) | 1994-11-29 | 1994-11-29 | 금속배선의 텅스텐 박막 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960019527A true KR960019527A (ko) | 1996-06-17 |
Family
ID=66648386
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940031859A KR960019527A (ko) | 1994-11-29 | 1994-11-29 | 금속배선의 텅스텐 박막 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960019527A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100375230B1 (ko) * | 2000-12-20 | 2003-03-08 | 삼성전자주식회사 | 매끄러운 텅스텐 표면을 갖는 반도체 장치의 배선 제조방법 |
-
1994
- 1994-11-29 KR KR1019940031859A patent/KR960019527A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100375230B1 (ko) * | 2000-12-20 | 2003-03-08 | 삼성전자주식회사 | 매끄러운 텅스텐 표면을 갖는 반도체 장치의 배선 제조방법 |
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