KR930011108A - 선택 cvd텅스텐을 이용한 콘택홀 매몰방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 선택 CVD텅스텐을 이용한 코택홀매몰방법에 관한 것으로, 반도체 소자의 금속배선에 있어서의 콘택홀을 매몰하기 위한 선택 CVD텅스텐 형성방법에 있어서, 먼저 SiH4환원반응에 의한 선택CVD텅스텐막을 형성한 다음 연속적으로 H2환원반응에 의한 선택CVD텅스텐막을 형성하는 것을 특징으로하는 본 발명에 의하면, SiH4환원반응과 H2환원반응을 조합하여 선택CVD텅스텐막을 증착시킴으로써 두 환원반응의 결점을 해소하고 장점만을 살려 실리콘과의 접착특성 및 전기적 특성이 우수한 CVD텅스텐막을 형성할 수 있게 된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 및 제2b도는 본 발명에 의한 선택CVD텅스텐 형성방법을 나타낸 도면.
Claims (3)
- 반도체소자의 금속배선에 있어서의 콘택홀을 매몰하기 위한 선택CVD텅스텐 형성방법에 있어서, 먼저 SiH4환원반응에 의한 선택CVD텅스텐막을 형성한 다음 연속적으로 H2환원반응에 의한 선택CVD텅스텐막을 형성하는 것을 특징으로 하는 선택CVD텅스텐을 이용한 콘택홀매몰방법.
- 제1항에 있어서, 상기 SiH4환원반응에 의한 선택CVD텅스텐막의 두께는 150Å∼1000Å정도인 것을 특징으로 하는 선택CVD텅스텐을 이용한 콘택홀 매몰방법.
- 제1항에 있어서, 상기 H2환원반응에 의한 선택CVD텅스텐막의 두께는 콘택홀 깊이에 의존하는 것을 특징으로 하는 선택CVD텅스텐을 이용한 콘택홀 매몰방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019910019750A KR930011108A (ko) | 1991-11-07 | 1991-11-07 | 선택 cvd텅스텐을 이용한 콘택홀 매몰방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019910019750A KR930011108A (ko) | 1991-11-07 | 1991-11-07 | 선택 cvd텅스텐을 이용한 콘택홀 매몰방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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KR930011108A true KR930011108A (ko) | 1993-06-23 |
Family
ID=67348349
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019910019750A KR930011108A (ko) | 1991-11-07 | 1991-11-07 | 선택 cvd텅스텐을 이용한 콘택홀 매몰방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR930011108A (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100525903B1 (ko) * | 1998-06-05 | 2006-01-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 |
-
1991
- 1991-11-07 KR KR1019910019750A patent/KR930011108A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100525903B1 (ko) * | 1998-06-05 | 2006-01-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 |
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