KR930011108A - 선택 cvd텅스텐을 이용한 콘택홀 매몰방법 - Google Patents

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KR930011108A
KR930011108A KR1019910019750A KR910019750A KR930011108A KR 930011108 A KR930011108 A KR 930011108A KR 1019910019750 A KR1019910019750 A KR 1019910019750A KR 910019750 A KR910019750 A KR 910019750A KR 930011108 A KR930011108 A KR 930011108A
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KR
South Korea
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cvd tungsten
selective cvd
contact hole
reduction
tungsten film
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Application number
KR1019910019750A
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Inventor
박선후
박영욱
이형규
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 선택 CVD텅스텐을 이용한 코택홀매몰방법에 관한 것으로, 반도체 소자의 금속배선에 있어서의 콘택홀을 매몰하기 위한 선택 CVD텅스텐 형성방법에 있어서, 먼저 SiH4환원반응에 의한 선택CVD텅스텐막을 형성한 다음 연속적으로 H2환원반응에 의한 선택CVD텅스텐막을 형성하는 것을 특징으로하는 본 발명에 의하면, SiH4환원반응과 H2환원반응을 조합하여 선택CVD텅스텐막을 증착시킴으로써 두 환원반응의 결점을 해소하고 장점만을 살려 실리콘과의 접착특성 및 전기적 특성이 우수한 CVD텅스텐막을 형성할 수 있게 된다.

Description

선택 CVD텅스텐을 이용한 콘택홀 매몰방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 및 제2b도는 본 발명에 의한 선택CVD텅스텐 형성방법을 나타낸 도면.

Claims (3)

  1. 반도체소자의 금속배선에 있어서의 콘택홀을 매몰하기 위한 선택CVD텅스텐 형성방법에 있어서, 먼저 SiH4환원반응에 의한 선택CVD텅스텐막을 형성한 다음 연속적으로 H2환원반응에 의한 선택CVD텅스텐막을 형성하는 것을 특징으로 하는 선택CVD텅스텐을 이용한 콘택홀매몰방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 SiH4환원반응에 의한 선택CVD텅스텐막의 두께는 150Å∼1000Å정도인 것을 특징으로 하는 선택CVD텅스텐을 이용한 콘택홀 매몰방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 H2환원반응에 의한 선택CVD텅스텐막의 두께는 콘택홀 깊이에 의존하는 것을 특징으로 하는 선택CVD텅스텐을 이용한 콘택홀 매몰방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910019750A 1991-11-07 1991-11-07 선택 cvd텅스텐을 이용한 콘택홀 매몰방법 KR930011108A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100525903B1 (ko) * 1998-06-05 2006-01-12 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100525903B1 (ko) * 1998-06-05 2006-01-12 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법

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