KR940007989A - 반도체장치의 콘택플러그 형성방법 - Google Patents
반도체장치의 콘택플러그 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 선택텅스텐증착공정을 이용한 반도체장치의 비아콘택플러그(Via contact plug)형성방법에 관한 것이다.
본 발명은 선택적 텅스텐 화학기상증착방법을 이용한 반도체장치의 비아콘택택 플러그 형성방법에 있어서, 상기 선택적 텅스텐의 증착공정이 고온공정과 저온공정의 2단계공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 비아콘택 플러그 형성방법을 제공한다.
본 발명에 의하면, 선택성을 향상시키고 콘택저항을 개선시킬 수 있는 반도체장치의 비아콘택플러그 형성방법이 제공되므로 신뢰성 높은 반도체장치의 제조가 가능하게 된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 텅스텐 콘택플러그 형성공정에 있어서 반응가스의 유량에 따른 텅스텐 증착두께의 변화를 나타낸 것이고,
제2도는 본 발명의 턴스텐 콘택플러그 형성공정에 있어서 텅스텐 증착공정조건에 따른 선택성을 나타낸 것이다.
Claims (3)
- 선택적 텅스텐 화학기상증착방법을 이용한 반도체장치의 비아콘택 플러그 형성방법에 있어서, 상기 선택적 텅스텐의 증착공정이 고온공정과 저온공정의 2단계공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 비아콘택 플러그 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 고온공정은 350℃~450℃의 증착온도에서 SiH45SCCM, WF610SCCM~30SCCM의 유량으로 30초~120초간 텅스텐증착공정을 진행하여 상기 비아콘택 하부에 얇은 텅스텐막을 형성하는 공정임을 특징으로 하는 반도체장치의 비아콘택 플러그 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 저온공정은 200℃~350℃의 증착온도에서 SiH410SCCM∼20SCCM, WF620SCCM~40SCCM의 유량으로 60초~240초간 텅스텐증착공정을 진행하여 상기 비아콘택내부를 매몰시키는 공정임을 특징으로 하는 반도체장치의 비아콘택 플러그 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920017296A KR940007989A (ko) | 1992-09-23 | 1992-09-23 | 반도체장치의 콘택플러그 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920017296A KR940007989A (ko) | 1992-09-23 | 1992-09-23 | 반도체장치의 콘택플러그 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR940007989A true KR940007989A (ko) | 1994-04-28 |
Family
ID=67147829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920017296A KR940007989A (ko) | 1992-09-23 | 1992-09-23 | 반도체장치의 콘택플러그 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940007989A (ko) |
-
1992
- 1992-09-23 KR KR1019920017296A patent/KR940007989A/ko not_active Application Discontinuation
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