KR920017252A - 고저항체 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
제1도는 일반적인 스태틱 램(Static RAM)의 회로도.
Claims (4)
- 반도체 소자에 사용되는 고저항체 제조방법에 있어서, 고정항체로 사용되는 다결정실리콘의 저항을 증대시키기 위하여 저압화학증착 방법을 이용하여 실리콘 기판 상부에 예정된 영역에 다결정실리콘을 증착시킬 때 다결정실리콘을 형성하기 위한 반응개스에 N2O개스를 적당량 유입시켜서 산소가 포함된 다결정실리콘 저항체를 형성하는 것을 특징으로 하는 고정항체 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 다결정실리콘을 형성하기 위한 반응개스는 SiH4또는 SiH2Cl2개스인 것을 특징으로 하는 고정항체 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 다결정실리콘을 형성하기 위한 반응개스에 N2O개스를 적당양 유입하는 것을 반응개스가 100일 때 N2O는 0.5∼50의 유량비율로 유입시키는 것을 특징으로 하는 고저항체 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 저압화학증착 방법으로 증착온도는 550∼950℃, 증착압력은 100∼900mTorr인 것을 특징으로 하는 고정항체 제조방법.※참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910002554A KR920017252A (ko) | 1991-02-18 | 1991-02-18 | 고저항체 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910002554A KR920017252A (ko) | 1991-02-18 | 1991-02-18 | 고저항체 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920017252A true KR920017252A (ko) | 1992-09-26 |
Family
ID=67396447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910002554A KR920017252A (ko) | 1991-02-18 | 1991-02-18 | 고저항체 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR920017252A (ko) |
-
1991
- 1991-02-18 KR KR1019910002554A patent/KR920017252A/ko not_active Application Discontinuation
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