KR970052300A - 반도체소자의 장벽금속 형성방법 - Google Patents
반도체소자의 장벽금속 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 자의 장벽금속 형성방법에 관한 것으로, 반도체 기판 상부에 소자분리 절연막, 제1절연막, 도전배선, 제2절연막 및 티타늄막을 공지의 기술로 형성되고 상기 티타늄막 상부에 제1티타늄질화막을 형성하되, TDMAT를 소오스로 하여 일정조건하에서 소정두께 형성한 다음, 상기 제1티타늄질화막 상부에 제2티타늄질화막을 형성하되, TDEAT를 소오스로 하여 소정두께 형성되는 공정으로 TiN 금속의 장벽금속층을 형성함으로써 특성을 향상시키고 종래의 저항 증가를 감소시키며 TDEAT 소오스만을 이용한 공정의 낮은 수율을 향상시켜 반도체소자의 특성, 수율 및 신뢰성을 향상시키고 그에 따른 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1D도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자의 장벽금속 형성방법을 도시한 단면도.
Claims (6)
- 절연막 및 티타늄막을 공지의 기술로 형성되는 공정과, 상기 티타늄막 상부에 제1티타늄질화막을 형성하되, TDMAT를 소오스로 하여 일정조건하에서 소정두께 형성되는 공정과, 상기 제1티타늄질화막 상부에 제2티타늄질화막을 형성하되, TDEAT를 소오스로 하여 소정두께 형성되는 공정을 포함하는 반도체소자의 장벽금속 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1티타늄질화막은 300 내지 500℃ 온도, 압력 0.1 내지 10Torr의 조건에서 100내지 300Å 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 장벽금속 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1티타늄질화막은 TiCl4와 NH3기체를 이용해 500 내지 700℃의 온도, 0.1 내지 10 Torr의 압력하에서 100 내지 300Å 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 장벽금속 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2티타늄질화막은 50 내지 150Å 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 장벽금속 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2티타늄질화막은 TDEAT와 NH3를 소오스로 하되, N2운반가스를 20 내지 100sccm 정도로 하여 TDEAT 가스를 플로우시키고 NH3의 유량은 50 내지 100sccm 정도로 하여 0.1 내지 100Torr의 압력, 300 내지 500℃ 온도에서 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 장벽금속 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2티타늄질화막은 상기 제1티타늄질화막을 형성한 동일 챔버 또는 멀티 챔버에서 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 장벽금속 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950052461A KR970052300A (ko) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 반도체소자의 장벽금속 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950052461A KR970052300A (ko) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 반도체소자의 장벽금속 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970052300A true KR970052300A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66645897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950052461A KR970052300A (ko) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 반도체소자의 장벽금속 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970052300A (ko) |
-
1995
- 1995-12-20 KR KR1019950052461A patent/KR970052300A/ko not_active Application Discontinuation
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