KR850000805A - 받도체장치 - Google Patents

받도체장치 Download PDF

Info

Publication number
KR850000805A
KR850000805A KR1019840003790A KR840003790A KR850000805A KR 850000805 A KR850000805 A KR 850000805A KR 1019840003790 A KR1019840003790 A KR 1019840003790A KR 840003790 A KR840003790 A KR 840003790A KR 850000805 A KR850000805 A KR 850000805A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
diode
semiconductor device
impurity region
input circuit
circuit
Prior art date
Application number
KR1019840003790A
Other languages
English (en)
Inventor
아끼노리 다하라 (외 2)
Original Assignee
야마모도 다꾸마
후지쓰 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 야마모도 다꾸마, 후지쓰 가부시끼가이샤 filed Critical 야마모도 다꾸마
Publication of KR850000805A publication Critical patent/KR850000805A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/003—Modifications for increasing the reliability for protection
    • H03K19/00307—Modifications for increasing the reliability for protection in bipolar transistor circuits

Abstract

내용 없음.

Description

받도체장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명의 실시예로사 반도체장치의 입력보호회로 부분에 대한 구조를 예시하는 평면도.
제6도는 제5도의 B-B선에서 취해진 단면도.
제7도는 제5도의 장치에 대한 등가회로를 예시하는 전자회로도.

Claims (7)

  1. 제1 전도형을 가지고 있고 내부 회로를 보호하기 위한 입력회로를 가지고 있는 반도체기판위에 형성된 반도체장치의 입력회로에 있어서, 반대 전도형을 가지는 고립영역에 의해 둘러싸여 있는 섬모양의 형상을 가지고 외부단자에 접속되어 있으며 제2 전도형을 가지고 상기 반도체기판상에 형성되는 제1불순물 영역; 상기 제1불순 물영역과 접촉해서 전극층으로 이루어져 있는 클램프 다이오우드; 상기 외부단자에 접속된 상기 제1 불순물영역의 일부분과 클램프다이오우드 사이에 있는 제1불순물영역을 가로질러 상기고립영역에 도달해 있는 상기 제1전도형을 갖는 제2불순물영역으로 이루어져서 그것의 내역전압이 상기 클램프 다이오우드의 내역 전압보다 더작은 PN접합형 보호 다이오우드로 이루어지는 것을 특징으로 하는반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 클램프 다이오우드는 상기 PN 접합형보호 다이오우드와 병렬로 접속된 쇼트키 배리어 다이오우드인 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 PN접합형 보호 다이오우드의 상기 제2불순물 영역은 절연층에 의해 덮혀있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  4. 제1항에 있어서, PN접합형 보호 다이오우드의 상기 제2불순물영역은 양끝에서 상기 고립영역에 도달해 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 입력회로는 TTL논리회로의 입력보호회로인 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 입력회로의 출력단자는 다이오드를 경유하여 상기 내부회로에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 입력회로의 출력단자와 상기 내부회로 간에 접속된 상기 다이오우드 쇼트키 다이오우드인 것을 특징으로 하는 반도체장치.
    ※참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019840003790A 1983-06-30 1984-06-30 받도체장치 KR850000805A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP???58-116954 1983-06-30
JP58116954A JPS6010653A (ja) 1983-06-30 1983-06-30 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR850000805A true KR850000805A (ko) 1985-03-09

Family

ID=14699842

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019840003790A KR850000805A (ko) 1983-06-30 1984-06-30 받도체장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4680600A (ko)
EP (1) EP0130737B1 (ko)
JP (1) JPS6010653A (ko)
KR (1) KR850000805A (ko)
DE (1) DE3466618D1 (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7470958B2 (en) 2005-07-28 2008-12-30 Panasonic Corporation Semiconductor device
JP2007048783A (ja) 2005-08-05 2007-02-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd ショットキーダイオード及びその製造方法
JP4695622B2 (ja) 2007-05-02 2011-06-08 株式会社東芝 半導体装置
GB2460026B (en) * 2008-05-12 2012-03-07 Alan John Jones Passive pulse splitter for pulsing utility meters or other meters
US20230078017A1 (en) * 2021-09-16 2023-03-16 Wolfspeed, Inc. Semiconductor device incorporating a substrate recess

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4110775A (en) * 1976-08-23 1978-08-29 Festa Thomas A Schottky diode with voltage limiting guard band
JPS5499580A (en) * 1977-12-27 1979-08-06 Nec Corp Semiconductor integrated circuit device
JPS5574059U (ko) * 1978-11-15 1980-05-21
JPS57183065A (en) * 1981-05-07 1982-11-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor integrated circuit device

Also Published As

Publication number Publication date
US4680600A (en) 1987-07-14
EP0130737A1 (en) 1985-01-09
DE3466618D1 (en) 1987-11-05
EP0130737B1 (en) 1987-09-30
JPS6010653A (ja) 1985-01-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR830009653A (ko) 집적회로의 보호장치
KR840008222A (ko) 연결패드에서 기저의 실리콘으로 직접 연결된 고전력 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터
US3731164A (en) Combined bipolar and field effect transistors
KR920013780A (ko) 고전압 용도에 적합한 직접 회로 장치
KR970072395A (ko) 반도체 장치
KR910005418A (ko) 근접결합된 기판 온도감지 소자용 반도체 구조물
KR870005464A (ko) 반도체장치
KR860002153A (ko) 반도체 장치
KR950021509A (ko) 보호 트랜지스터를 가진 반도체 장치
KR910020872A (ko) 소자분리구조 및 배선구조의 개량된 반도체 장치
KR950030309A (ko) 반도체장치의 보호회로
KR880700466A (ko) 정전기 보호 집적 회로
KR850000803A (ko) 반도체 장치
KR910019235A (ko) 반도체기억장치
KR850007718A (ko) 반도체 장치
KR890016679A (ko) 반도체장치
KR900013654A (ko) 반도체 장치
KR850000805A (ko) 받도체장치
KR910008861A (ko) 집적회로소자
KR830009654A (ko) 집적회로장치의 보호회로
KR890016626A (ko) 반도체장치
KR890008979A (ko) 모놀리식 과전압 보호용 어셈블리
KR930009112A (ko) 반도체장치
KR910017656A (ko) 반도체장치
KR950015808A (ko) 반도체 소자

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application