JP2007048783A - ショットキーダイオード及びその製造方法 - Google Patents
ショットキーダイオード及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007048783A JP2007048783A JP2005228690A JP2005228690A JP2007048783A JP 2007048783 A JP2007048783 A JP 2007048783A JP 2005228690 A JP2005228690 A JP 2005228690A JP 2005228690 A JP2005228690 A JP 2005228690A JP 2007048783 A JP2007048783 A JP 2007048783A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- nitride semiconductor
- schottky
- schottky diode
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 132
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 120
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 15
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 abstract description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 8
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 8
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 8
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/872—Schottky diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66083—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices
- H01L29/6609—Diodes
- H01L29/66143—Schottky diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L29/2003—Nitride compounds
Abstract
【課題】窒化物半導体を用いた高耐圧のショットキーダイオードをイオン注入等の煩雑な工程を経ることなく実現できるようにする。
【解決手段】ショットキーダイオードは、基板１１の上に形成された第１の窒化物半導体層１２と、第１の窒化物半導体層１２の上に選択的に形成され、第１の窒化物半導体層１２とは異なる導電型を有する第２の窒化物半導体層１５とを備えている。第１の窒化物半導体層１２の上に選択的に形成され且つ一部が第２の半導体層の上面と接するショットキー電極１３と、第１の窒化物半導体層１２の上にショットキー電極１３と間隔をおいて形成されたオーミック電極１４とを備えている。
【選択図】図１
【解決手段】ショットキーダイオードは、基板１１の上に形成された第１の窒化物半導体層１２と、第１の窒化物半導体層１２の上に選択的に形成され、第１の窒化物半導体層１２とは異なる導電型を有する第２の窒化物半導体層１５とを備えている。第１の窒化物半導体層１２の上に選択的に形成され且つ一部が第２の半導体層の上面と接するショットキー電極１３と、第１の窒化物半導体層１２の上にショットキー電極１３と間隔をおいて形成されたオーミック電極１４とを備えている。
【選択図】図１
Description
本発明は、窒化物半導体を用いたショットキーダイオード及びその製造方法に関する。
ショットキーダイオードは基本的な電子デバイスであり整流回路、インバータ回路及びチョッパ回路等の様々な回路で用いられている。ショットキーダイオードに求められる電気的特性の一つに耐圧がある。電源回路の小型化及び大容量化に伴いさらに高耐圧のショットキーダイオードが求められている。
ショットキダイオードの耐圧を向上させる方法として、例えば、ｎ型の半導体層の上にショットキー電極が形成されている場合に、ｎ型の半導体層のショットキー電極の下端部と接する領域に、イオン注入によってｐ型領域を形成する方法が開示されている。（例えば、非特許文献１を参照。）。このような構成とすることにより、ショットキー電極の下端部に集中する電界を緩和することができるため、耐圧を向上することができる。
一方、 一般式がＢwＡｌxＧａyＩｎzＮ（但し、ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１；０≦ｗ，ｘ，ｙ，ｚ≦１である。）によって表される、アルミニウム（Ａｌ）、ホウ素（Ｂ）、ガリウム（Ｇａ）又はインジウム（Ｉｎ）と窒素（Ｎ）との化合物からなるIII−Ｖ族窒化物半導体は、大きなバンドギャップを有している。このため、窒化物半導体は、破壊電圧が高く高耐圧の素子の材料として適しており、窒化物半導体を用いてショットキーダイオードを形成することにより、さらに高耐圧のショットキーダイオードが得られると期待される。
Ａ．Ｉｔｏｈｅｔ ａｌ． ＩＥＥＥ ＥＬＥＣＴＲＯＮ ＤＥＶＩＣＥＬＥＴＴＥＲＳ，Ｖｏｌ．１７，Ｎｏ．３（１９９６）１３９．
Ａ．Ｉｔｏｈｅｔ ａｌ． ＩＥＥＥ ＥＬＥＣＴＲＯＮ ＤＥＶＩＣＥＬＥＴＴＥＲＳ，Ｖｏｌ．１７，Ｎｏ．３（１９９６）１３９．
しかしながら、従来の構造のショットキーダイオードを窒化物半導体により形成しようとすると、工程が複雑であり高コストになるという問題がある。具体的に、従来のショットキーダイオードを得るためには、窒化物半導体層にイオン注入を行い、ｐ型領域を形成しなければならず、マスクの形成、イオン注入、レジスト剥離及びアニールといった煩雑な工程が必要となる。また、特性がそろったショットキーダイオードを得るためにはイオンの注入深さを正確にコントロールしなければならないという問題もある。
本発明は、前記従来の問題を解決し、窒化物半導体を用いた高耐圧のショットキーダイオードをイオン注入等の煩雑な工程を経ることなく実現できるようにすることを目的とする。
前記の目的を達成するため、本発明は、ショットキーダイオードを、ショットキー電極が第１の窒化物半導体層の上に形成した第１の窒化物半導体層とは異なる導電型を有する第２の窒化物半導体層の上に形成された構成とする。
具体的に本発明に係る第１のショットキーダイオードは、基板の上に形成された第１の窒化物半導体層と、第１の窒化物半導体層の上に選択的に形成され、第１の窒化物半導体層とは異なる導電型を有する第２の窒化物半導体層と、第１の窒化物半導体層の上に選択的に形成され且つ一部が第２の窒化物半導体層の上面と接するショットキー電極と、第１の窒化物半導体層の上にショットキー電極と間隔をおいて形成されたオーミック電極とを備えていることを特徴とする。
第１のショットキーダイオードによれば、第１の窒化物半導体層の上に選択的に形成され且つ一部が第２の窒化物半導体層の上面と接するショットキー電極を備えているため、通常の半導体層の形成プロセス及びエッチングプロセスにより第１の窒化物半導体層と異なる導電型を有する領域を形成することができる。従って、第１の窒化物半導体層と異なる導電型を有する領域を形成する際にイオン注入を行う必要がないので、製造工程を簡略化することができる。また、ショットキー電極の第２の窒化物半導体層の上に形成された部分がフィールドプレートとして機能するので、高耐圧のショットキーダイオードとして機能する。その結果、耐圧が高いショットキーダイオードを容易に実現することが可能となる。
本発明に係る第２のショットキーダイオードは、導電性の基板の上に形成された第１の窒化物半導体層と、第１の窒化物半導体層の上に選択的に形成され、第１の窒化物半導体層とは異なる導電型を有する第２の窒化物半導体層と、第１の窒化物半導体層の上に選択的に形成され且つ一部が第２の窒化物半導体層の上面と接するショットキー電極と、基板と接するように形成されたオーミック電極とを備えていることを特徴とする。
第２のショットキーダイオードによれば、基板と接するように形成されたオーミック電極を備えているため、第１のショットキーダイオードの効果に加えてオーミック電極のコンタクト抵抗を低減することができる。
この場合において、第１の窒化物半導体層は、基板の一部を露出するように形成されており、オーミック電極は、基板の露出部分の上に形成されていることが好ましい。
本発明に係るショットキーダイオードの製造方法は、基板の上に第１の窒化物半導体層を形成する工程（ａ）と、第１の窒化物半導体層の上に第１の窒化物半導体層と異なる導電型を有する第２の窒化物半導体層を形成し、形成した第２の窒化物半導体層に対して選択的にエッチングを行うことにより、第２の半導体層の一部を除去して第１の半導体層を露出する工程（ｂ）と、第１の窒化物半導体層の上に、一部が第２の窒化物半導体層の上面と接する導電膜を選択的に形成することによりショットキー電極を形成する工程（ｃ）とを備えていることを特徴とする。
本発明のショットキーダイオードの製造方法によれば、第１の窒化物半導体層の上に第１の窒化物半導体層と異なる導電型を有する第２の窒化物半導体層を形成し、形成した第２の窒化物半導体層に対して選択的にエッチングを行うことにより、第２の半導体層の一部を除去して第１の半導体層を露出する工程を備えているため、イオン注入を行うことなく第１の窒化物半導体層と異なる導電型を有する領域を形成することができる。従って、ショットキーダイオードの製造工程を簡略化することが可能となる。また、第１の窒化物半導体層の上に、一部が第２の窒化物半導体層の上面と接する導電膜を選択的に形成することによりショットキー電極を形成する工程を備えているため、ショットキー電極の第２の窒化物半導体層の上に形成された部分がフィールドプレートとして機能する。従って、ショットキーダイオードの耐圧を向上させることができる。その結果、高耐圧のショットキーダイオードを容易に実現することが可能となる。
本発明のショットキーダイオードの製造方法は、工程（ｂ）よりも後に、第１の窒化物半導体層の上における第２の窒化物半導体層が形成された部分と異なる部分に、オーミック電極を形成する工程をさらに備えていることが好ましい。
本発明のショットキーダイオードの製造方法は、工程（ｂ）よりも後に、第１の窒化物半導体層の一部を選択的に除去して基板の一部を露出させる工程と、基板の露出部分にオーミック電極を形成する工程とをさらに備え、基板は、導電性の基板であることが好ましい。
本発明の半導体装置及びその製造方法によれば、窒化物半導体を用いた高耐圧のショットキーダイオードをイオン注入等の煩雑な工程を経ることなく実現できる
（一実施形態）
本発明の一実施形態について図面を参照して説明する。図１は本発明の一実施形態に係る半導体装置の断面構造を示している。図１に示すように、サファイアからなる基板１１の上に、ｎ型の窒化ガリウム（ＧａＮ）からなる第１の窒化物半導体層１２が形成されている。第１の窒化物半導体層１２の上には、ｐ型のＧａＮからなる第２の窒化物半導体層１５が選択的に形成されている。また、第２の窒化物半導体層１５の上面と接し且つ第１の窒化物半導体層１２と接するショットキー電極１３が形成されている。さらに、第１の窒化物半導体層１２の上には、ショットキー電極１３と間隔をおいて第１の窒化物半導体層とオーミック接合を形成したオーミック電極１４が形成されている。
本発明の一実施形態について図面を参照して説明する。図１は本発明の一実施形態に係る半導体装置の断面構造を示している。図１に示すように、サファイアからなる基板１１の上に、ｎ型の窒化ガリウム（ＧａＮ）からなる第１の窒化物半導体層１２が形成されている。第１の窒化物半導体層１２の上には、ｐ型のＧａＮからなる第２の窒化物半導体層１５が選択的に形成されている。また、第２の窒化物半導体層１５の上面と接し且つ第１の窒化物半導体層１２と接するショットキー電極１３が形成されている。さらに、第１の窒化物半導体層１２の上には、ショットキー電極１３と間隔をおいて第１の窒化物半導体層とオーミック接合を形成したオーミック電極１４が形成されている。
本実施形態のショットキーダイオードにおいては、ショットキー電極１３の一部が第２の窒化物半導体層１５の上に形成されている。このため、ショットキー電極１３の第２の窒化物半導体層１５の上に形成された部分が、ショットキー電極１３の下端部と第１の窒化物半導体層１２とが接するエッジ部分に対してフィールドプレートとして作用する。従って、ショットキー電極１３と第１の窒化物半導体層１２とが接するエッジ部分への電界集中を緩和することが可能となる。
さらに、第２の窒化物半導体層１５と第１の窒化物半導体層１２との間に空乏層が形成されるため、ショットキー電極１３の第２の窒化物半導体層１５の上に形成された部分の耐圧は、第１の窒化物半導体層１２の上にショットキー電極１３を単独で形成した場合と比べてはるかに高くなる。
以下に、本実施形態に係るショットキーダイオードの製造方法について図面を参照して説明する。図２は本実施形態に係るショットキーダイオードの製造方法を工程順に示している。
まず、図２（ａ）に示すようにサファイア等からなる基板１１の上にｎ型の不純物を含むＧａＮである第１の窒化物半導体層１２を有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法により成長させ、連続してｐ型の不純物を含むＧａＮである第２の窒化物半導体層１５を成長させる。続いて、第２の窒化物半導体層１５の上にレジストマスク２１を形成した後、塩素系ガスを用いたドライエッチングを行う。
これにより、図２（ｂ）に示すようにショットキー電極１３を形成する領域の一部を除いて第２の窒化物半導体層１５を選択的に除去して、第１の窒化物半導体層１２を露出させる。
次に、図２（ｃ）に示すように第１の窒化物半導体層１２における第２の窒化物半導体層１５が形成された領域とは異なる領域の上にオーミック電極１４を蒸着等により形成する。本実施形態においてオーミック電極１４には、チタンとアルミニウムとの積層膜を用いた。
次に、図２（ｄ）に示すように第２の窒化物半導体層１５の上面と接し且つ第１の窒化物半導体層１２と接するようにショットキー電極１３を真空蒸着等により形成する。ショットキー電極１３にはパラジウム又はニッケル等を用いればよい。
本実施形態のショットキーダイオードの製造方法によれば、イオン注入を行う必要がないため、従来に比べて工程数を大幅に削減することができ、低コストで高耐圧のショットキーダイオードを得ることができる。
なお、図３に示すように第１の窒化物半導体層１２と基板との間に、高濃度に不純物がドープされた高濃度不純物ドープ層１２ａを設け、オーミック電極１４を高濃度不純物ドープ層１２ａの上に形成する構成としてもよい。このような構成とすることによりオーミック電極の接触抵抗を低減することができる。
（実施形態の一変形例）
以下に、本発明の実施形態の一変形例について図面を参照して説明する。図４は本変形例に係るショットキーダイオードの断面構造を示している。図４において図１と同一の構成要素には同一の符号を附すことにより説明を省略する。
以下に、本発明の実施形態の一変形例について図面を参照して説明する。図４は本変形例に係るショットキーダイオードの断面構造を示している。図４において図１と同一の構成要素には同一の符号を附すことにより説明を省略する。
図４に示すように本変形例のショットキーダイオードは、基板３１としてシリコン等の導電性の基板を用いており、オーミック電極１４が第１の窒化物半導体層１２の上ではなく導電性の基板３１の上に形成されていることを特徴とする。
オーミック電極１４を基板３１の上に上に形成することにより、オーミック電極１４の接触抵抗を低減することができる。従って、ショットキーダイオードの挿入損失を小さくすることができる。
図５は本変形例に係るショットキーダイオードの製造方法を工程順に示している。図５において図２と同一の構成要素には同一の符号を附すことにより説明を省略する。
まず、図５（ａ）に示すようにシリコン等からなる導電性の基板３１の上にｎ型の不純物を含むＧａＮである第１の窒化物半導体層１２を有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法により成長させ、連続してｐ型の不純物を含むＧａＮである第２の窒化物半導体層１５を成長させる。続いて、第２の窒化物半導体層１５の上にレジストマスク２１を形成した後、塩素系ガスを用いたドライエッチングを行い、第２の窒化物半導体層１５を選択的に除去して第１の窒化物半導体層１２を露出する。
次に、図５（ｂ）に示すようにショットキー電極１３の形成領域を新たなレジストマスク（図示せず）で覆った後、第１の窒化物半導体層１２を選択的に除去して、基板３１の一部を露出する。
次に、図５（ｃ）に示すように基板３１の露出部分にオーミック電極１４を形成する。
次に、図５（ｄ）に示すように第２の窒化物半導体層１５の上面と接し且つ第１の窒化物半導体層１２と接するようにショットキー電極１３を形成する。
なお、本変形例においてオーミック電極１４を第１の窒化物半導体層１２の一部を除去して露出させた基板３１の上面に形成したが、基板３１の下面に形成してもよい。
本発明のショットキーダイオード及びその製造方法は、窒化物半導体を用いた高耐圧のショットキーダイオードをイオン注入等の煩雑な工程を経ることなく実現でき、窒化物半導体を用いたショットキーダイオード及びその製造方法等として有用である。
１１ 基板
１２ 第１の窒化物半導体層
１２ａ 高濃度不純物ドープ層
１３ ショットキー電極
１４ オーミック電極
１５ 第２の窒化物半導体層
２１ レジストマスク
３１ 基板
１２ 第１の窒化物半導体層
１２ａ 高濃度不純物ドープ層
１３ ショットキー電極
１４ オーミック電極
１５ 第２の窒化物半導体層
２１ レジストマスク
３１ 基板
Claims (6)
- 基板の上に形成された第１の窒化物半導体層と、
前記第１の窒化物半導体層の上に選択的に形成され、前記第１の窒化物半導体層とは異なる導電型を有する第２の窒化物半導体層と、
前記第１の窒化物半導体層の上に選択的に形成され且つ一部が前記第２の窒化物半導体層の上面と接するショットキー電極と、
前記第１の窒化物半導体層の上に前記ショットキー電極と間隔をおいて形成されたオーミック電極とを備えていることを特徴とするショットキーダイオード。 - 導電性の基板の上に形成された第１の窒化物半導体層と、
前記第１の窒化物半導体層の上に選択的に形成され、前記第１の窒化物半導体層とは異なる導電型を有する第２の窒化物半導体層と、
前記第１の窒化物半導体層の上に選択的に形成され且つ一部が前記第２の窒化物半導体層の上面と接するショットキー電極と、
前記基板と接するように形成されたオーミック電極とを備えていることを特徴とするショットキーダイオード。 - 前記第１の窒化物半導体層は、前記基板の一部を露出するように形成されており、
前記オーミック電極は、前記基板の露出部分の上に形成されていることを特徴とする請求項２に記載のショットキーダイオード。 - 基板の上に第１の窒化物半導体層を形成する工程（ａ）と、
前記第１の窒化物半導体層の上に前記第１の窒化物半導体層と異なる導電型を有する第２の窒化物半導体層を形成し、形成した第２の窒化物半導体層に対して選択的にエッチングを行うことにより、前記第２の半導体層の一部を除去して前記第１の半導体層を露出する工程（ｂ）と、
前記第１の窒化物半導体層の上に、一部が前記第２の窒化物半導体層の上面と接する導電膜を選択的に形成することによりショットキー電極を形成する工程（ｃ）とを備えていることを特徴とするショットキーダイオードの製造方法。 - 前記工程（ｂ）よりも後に、前記第１の窒化物半導体層の上における前記第２の窒化物半導体層が形成された部分と異なる部分に、オーミック電極を形成する工程をさらに備えていることを特徴とする請求項４に記載のショットキーダイオードの製造方法。
- 前記工程（ｂ）よりも後に、前記第１の窒化物半導体層の一部を選択的に除去して前記基板の一部を露出させる工程と、
前記基板の露出部分にオーミック電極を形成する工程とをさらに備え、
前記基板は、導電性の基板であることを特徴とする請求項４に記載のショットキーダイオードの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005228690A JP2007048783A (ja) | 2005-08-05 | 2005-08-05 | ショットキーダイオード及びその製造方法 |
| US11/495,454 US7553747B2 (en) | 2005-08-05 | 2006-07-31 | Schottky diode having a nitride semiconductor material and method for fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005228690A JP2007048783A (ja) | 2005-08-05 | 2005-08-05 | ショットキーダイオード及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007048783A true JP2007048783A (ja) | 2007-02-22 |
Family
ID=37716905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005228690A Pending JP2007048783A (ja) | 2005-08-05 | 2005-08-05 | ショットキーダイオード及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7553747B2 (ja) |
| JP (1) | JP2007048783A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008117979A (ja) * | 2006-11-06 | 2008-05-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ショットキバリアダイオード |
| JP2008177369A (ja) * | 2007-01-18 | 2008-07-31 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ショットキバリアダイオード |
| JP2010087274A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| US11011607B2 (en) | 2018-09-25 | 2021-05-18 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009117485A (ja) * | 2007-11-02 | 2009-05-28 | Panasonic Corp | 窒化物半導体装置 |
| CN105977209B (zh) * | 2010-10-20 | 2019-03-19 | 富士通株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
| US8772144B2 (en) | 2011-11-11 | 2014-07-08 | Alpha And Omega Semiconductor Incorporated | Vertical gallium nitride Schottky diode |
| US8772901B2 (en) | 2011-11-11 | 2014-07-08 | Alpha And Omega Semiconductor Incorporated | Termination structure for gallium nitride schottky diode |
| US8866148B2 (en) | 2012-12-20 | 2014-10-21 | Avogy, Inc. | Vertical GaN power device with breakdown voltage control |
| CN115775730B (zh) * | 2023-02-13 | 2023-06-06 | 江苏能华微电子科技发展有限公司 | 一种准垂直结构GaN肖特基二极管及其制备方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08264812A (ja) * | 1995-03-20 | 1996-10-11 | Fuji Electric Co Ltd | 炭化けい素ショットキーダイオードの製造方法 |
| WO2003094240A1 (en) * | 2002-04-30 | 2003-11-13 | Cree, Inc. | High voltage switching devices and process for forming same |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6010653A (ja) | 1983-06-30 | 1985-01-19 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS63311762A (ja) * | 1987-06-15 | 1988-12-20 | Matsushita Electronics Corp | ショットキ−バリア半導体装置 |
| JP2928417B2 (ja) | 1991-12-16 | 1999-08-03 | 松下電子工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US7002187B1 (en) * | 2003-06-09 | 2006-02-21 | Micrel, Inc. | Integrated schottky diode using buried power buss structure and method for making same |
| US7456443B2 (en) * | 2004-11-23 | 2008-11-25 | Cree, Inc. | Transistors having buried n-type and p-type regions beneath the source region |
-
2005
- 2005-08-05 JP JP2005228690A patent/JP2007048783A/ja active Pending
-
2006
- 2006-07-31 US US11/495,454 patent/US7553747B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08264812A (ja) * | 1995-03-20 | 1996-10-11 | Fuji Electric Co Ltd | 炭化けい素ショットキーダイオードの製造方法 |
| WO2003094240A1 (en) * | 2002-04-30 | 2003-11-13 | Cree, Inc. | High voltage switching devices and process for forming same |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008117979A (ja) * | 2006-11-06 | 2008-05-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ショットキバリアダイオード |
| JP2008177369A (ja) * | 2007-01-18 | 2008-07-31 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ショットキバリアダイオード |
| JP2010087274A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| US11011607B2 (en) | 2018-09-25 | 2021-05-18 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20070029633A1 (en) | 2007-02-08 |
| US7553747B2 (en) | 2009-06-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2007048783A (ja) | ショットキーダイオード及びその製造方法 | |
| WO2012053071A1 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| KR102592686B1 (ko) | 질화 갈륨 물질 내에서의 확산에 의해 도핑된 영역을 형성하는 방법 및 시스템 | |
| JP2009182107A (ja) | 半導体装置 | |
| CN103066121A (zh) | 晶体管及其制造方法 | |
| JP2011029506A (ja) | 半導体装置 | |
| CN103545360A (zh) | 高电子迁移率晶体管及其形成方法 | |
| CN104067384A (zh) | 用于具有自对准源极和栅极的氮化镓垂直jfet的方法和系统 | |
| JP2012178454A (ja) | 化合物半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2006196869A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2009059912A (ja) | ショットキーバリアダイオード | |
| JP2011192834A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
| JP2006286951A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| TW201947766A (zh) | 高電子遷移率電晶體 | |
| JP5712471B2 (ja) | 化合物半導体装置の製造方法 | |
| JP2006059956A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR20130082307A (ko) | 기판 구조체, 이로부터 제조된 반도체소자 및 그 제조방법 | |
| CN103201841B (zh) | 半导体器件及半导体器件的制造方法 | |
| JP6166508B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
| TW202329461A (zh) | 高電子遷移率電晶體及其製作方法 | |
| CN107431009B (zh) | 半导体装置的制造方法 | |
| CN113628962A (zh) | Ⅲ族氮化物增强型hemt器件及其制造方法 | |
| TWI508286B (zh) | 場效電晶體、半導體基板、場效電晶體之製造方法及半導體基板之製造方法 | |
| JP6256008B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JP7036001B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080321 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101019 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101102 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101227 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110125 |