JP7036001B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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図1から図13は、実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。本実施の形態に係る半導体装置はSBD内蔵MOSFETである。
図16は、実施の形態2に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。本実施の形態では、ハードマスク13とフォトレジスト14の両方をマスクとして用いたウェットエッチングにより第2の層間絶縁膜9bを除去する。その後に、ハードマスク13とフォトレジスト14の両方を可溶である薬液を用いて、ハードマスク13とフォトレジスト14の両方を同時に除去する。ハードマスク13としてNiを形成した場合には、硫酸と過酸化水素水の混合液を用いることでハードマスク13とフォトレジスト14の両方を同時に除去できる。これにより工程数を削減できる。
Claims (6)
- 半導体基板の表面に第1導電型のドリフト層を形成する工程と、
前記ドリフト層の表面に互いに離間領域を介して離間するように第2導電型の複数のウェル領域を形成する工程と、
前記ウェル領域の表面に第1導電型のソース領域を形成する工程と、
前記ウェル領域と前記ソース領域の一部の上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記ウェル領域と前記ソース領域の端部に対向するようにゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を覆う第1の層間絶縁膜と、前記離間領域を覆う第2の層間絶縁膜と、前記ソース領域の一部を露出させるコンタクトホールとを有する層間絶縁膜を形成する工程と、
前記コンタクトホール内において前記ソース領域の一部の上にオーミック電極を形成する工程と、
前記層間絶縁膜と前記オーミック電極の上にハードマスクを形成し、前記第2の層間絶縁膜の上において前記ハードマスクに開口を形成する工程と、
前記ハードマスクを用いたウェットエッチングにより、前記第1の層間絶縁膜を残しつつ、前記第2の層間絶縁膜を除去する工程と、
前記ハードマスクを除去し、前記離間領域の上にショットキー電極を形成し、前記ウェル領域の一部と前記オーミック電極と前記ショットキー電極に接触するソース電極を形成する工程とを備え、
前記ウェットエッチングにおいて前記ハードマスクと前記オーミック電極が密着していることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記ハードマスクは、フォトレジストよりも前記オーミック電極との密着性が高い材料からなることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ハードマスクはNiからなることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- フォトレジストをマスクとして用いて前記ハードマスクに前記開口を形成し、
前記ハードマスクと前記フォトレジストの両方をマスクとして用いたウェットエッチングにより前記第2の層間絶縁膜を除去することを特徴とする請求項1-3の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2の層間絶縁膜を除去した後に前記ハードマスクと前記フォトレジストの両方を同時に除去する工程を備えることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体装置はワイドバンドギャップ半導体によって形成されていることを特徴とする請求項1~5の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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