KR950015808A - 반도체 소자 - Google Patents

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KR950015808A
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아이만 쉬비브 무하메드
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엘리 와이스
에이 티 앤드 티 코포레이션
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Abstract

베이스 영역, 콜렉터 영역 및 에미터 영역을 가로방향 배열로 포함하는 반도체 소자, 베이스 영역은 제1전도형을 가지고, 콜렉터 및 에미터 영역은 제2전도형을 갖는다. 제1도전층은 베이스 접촉부, 콜렉터 접촉부 및 에미터 접촉부를 구비하여 상기 기판위에 패턴화 되고, 이 베이스 접촉부, 콜렉터 접촉부 및 에미터 접촉부를 이용하여 베이스 영역, 콜렉터 영역 및 에미터 영역에 각기 접촉한다. 제2도전층은 베이스 영역의 일부 위에 패턴화되고, 에미터 접촉부에 전기적으로 접촉되어, 결과적으로 베이스 영역에 대해 정전 차폐의 기능을 수행한다.

Description

반도체 소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 래터럴 고전압PNP트랜지스터의 대표적인 평면도,
제4A도는 본 발명에 따른 제3도의 트랜지스터의 A-A선에 대한 단면도, 제4B도는 본 발명에 따른 제3도의 트랜지스터의 B-B선에 대한 단면도.

Claims (15)

  1. 제1전도형의 베이스 영역, 제2전도형의 콜렉터 영역, 및 역시 제2전도형의 에미터 영역을 가로방향 배열로 갖는 반도체 기판과; 상기 베이스 영역에 접촉하는 베이스 접촉부, 상기 콜렉터 영역에 접촉하는 콜렉터 접촉부, 및 상기 에미터 영역에 접촉하는 에미터 접촉부를 구비하여 상기 기판위에 패턴화된 제1도전층 및; 상기 베이스 영역의 일부 위에 패턴화되고, 상기 에미터 접촉부에 전기적으로 접속되어, 결과적으로 상기 베이스 영역에 대해 정전 차폐의 기능을 하는 제2도전층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 베이스 영역과 상기 에미터 접촉부 사이의 상기 전기적 접속은 상기 베이스 영역과 상기 에미터 접촉부 사이에서 직접 접촉되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2도전층이 상기 기판과 상기 콜렉터부 및 상기 에미터 접촉부의 일부분들 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제2도전층이 상기 에미터 영역에 접촉하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제2도전층이 상기 에미터 접촉부에 접촉하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1전도형은 N형이고, 상기 제2전도형은 P형인 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  7. 제6항에 있어서, 상기 기판이 실리콘으로 이루어지고, 상기 제1도전층은 금속으로 이루어지며, 상기 제2도전층은 다결정 실리콘으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  8. 제7항에 있어서, 상기 금속은 알루미늄인 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  9. 제1항에 있어서, 상기 베이스 영역은 상기 에미터 영역을 포위하는 표면 베이스 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  10. 제9항에 있어서, 상기 콜렉터 영역이 상기 표면 베이스 영역을 포위하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  11. 제1O항에 있어서, 상기 제2도전층이 상기 표면 베이스 영역의 상당부분 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제2도전층이 상기 콜렉터 영역의 일부 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  13. 제12항에 있어서, 상기 기판이 실리콘으로 이루어지고, 상기 제1도전층은 금속으로 이루어지며, 상기 제2도전층은 다결정 실리콘으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  14. 제13항에 있어서, 상기 금속은 알루미늄인 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  15. 제12항에 있어서, 상기 제2도전층은 제1단 및 제2단으로 구성되고, 상기 제1단은 상기 베이스 영역과 상기 에미터 영역 사이에 형성된 제1의 pn접합위 제1산화물층상에 형성되고, 상기 제2단은 상기 베이스 영역과 상기 클렉터 영역 사이에 형성된 제2의 pn접합위 제2산화물층상에 형성되며, 이때 상기 제2산화물층은 상기 제1산화물층보다 더 두꺼운 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940028595A 1993-11-12 1994-11-02 반도체 소자 KR950015808A (ko)

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US08/152,992 US5420457A (en) 1993-11-12 1993-11-12 Lateral high-voltage PNP transistor

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ID=22545334

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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5973341A (en) * 1998-12-14 1999-10-26 Philips Electronics North America Corporation Lateral thin-film silicon-on-insulator (SOI) JFET device
US6313489B1 (en) * 1999-11-16 2001-11-06 Philips Electronics North America Corporation Lateral thin-film silicon-on-insulator (SOI) device having a lateral drift region with a retrograde doping profile, and method of making such a device
JP4573849B2 (ja) * 2007-03-28 2010-11-04 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 半導体装置の製造方法
US9312335B2 (en) 2011-09-23 2016-04-12 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Lateral PNP bipolar transistor with narrow trench emitter
US8916951B2 (en) 2011-09-23 2014-12-23 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Lateral PNP bipolar transistor formed with multiple epitaxial layers

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3573571A (en) * 1967-10-13 1971-04-06 Gen Electric Surface-diffused transistor with isolated field plate
IT1085486B (it) * 1977-05-30 1985-05-28 Ates Componenti Elettron Struttura a semiconduttore integrata monolitica con giunzioni planari schermate da campi elettrostatici esterni
US4665424A (en) * 1984-03-30 1987-05-12 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device
JPS61168257A (ja) * 1985-01-21 1986-07-29 Hitachi Ltd 半導体装置
US4782030A (en) * 1986-07-09 1988-11-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing bipolar semiconductor device
JP2503460B2 (ja) * 1986-12-01 1996-06-05 三菱電機株式会社 バイポ−ラトランジスタおよびその製造方法
US4789885A (en) * 1987-02-10 1988-12-06 Texas Instruments Incorporated Self-aligned silicide in a polysilicon self-aligned bipolar transistor

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JPH07183309A (ja) 1995-07-21
US5420457A (en) 1995-05-30

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