KR910010752A - 고속 댐퍼 다이오드 및 방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명에 따른 댐퍼 다이오드의 일부의 간이 약단면도
Claims (1)
- 고전압 고전류 고속 스위칭 다이오드에 있어서, 제1도전율형의 불순물이 많이 첨가된 반도체기판과, 제1두께 및 약 1015/:㎤와 길거나 보다 작은 제1불순물 농도의 기판상의 제1형인, 실질적으로 균일하게 불순물이 적게 첨가된 제1반도체 영역과, 제1두께와 실질적으로 같은 제2두께와,제1농도와 실질적으로 같은 제2불순물 농도를 갖는 제1영역위에 놓이는 제1형과 반대되는 제2형으로서, 제1영역과 PN접합을 형성하는 실질적으로 균일하게 불순물이 적게 첨가된 제2반도체 영역과 , 제2영역과 접촉하는 제2도전율형의 불순물이 많이 첨가된 제3영역을 구비하고, 제1및 제2두께는 실질적으로 같은 두께로 대략 50마이크로 미터 이상이고, 제1및 제2농도는 실질적으로 같은 농도로 대략5x1014/㎤이하인 다이오드.※ 참고 사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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