KR890005897A - 더블 플랫 p-웰 구조의 고체영상소자 - Google Patents

더블 플랫 p-웰 구조의 고체영상소자 Download PDF

Info

Publication number
KR890005897A
KR890005897A KR870010591A KR870010591A KR890005897A KR 890005897 A KR890005897 A KR 890005897A KR 870010591 A KR870010591 A KR 870010591A KR 870010591 A KR870010591 A KR 870010591A KR 890005897 A KR890005897 A KR 890005897A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
state image
well structure
solid state
image device
double flat
Prior art date
Application number
KR870010591A
Other languages
English (en)
Inventor
조철식
Original Assignee
김정배
삼성전관 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김정배, 삼성전관 주식회사 filed Critical 김정배
Priority to KR870010591A priority Critical patent/KR890005897A/ko
Publication of KR890005897A publication Critical patent/KR890005897A/ko

Links

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

더블 플랫 P-웰 구조의 고체영상소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 고체영상소자의 단면도.
제3도는 본 발명에 의한 고체영상소자의 전위분포를 나타낸 도면.

Claims (1)

  1. N형 기판(7)상에 포토다이오드(1) 부분에 P--웰(4)이 형성되고 V-CCD(2)에 P-웰(5)이 형성된 고체 영상소자에 있어서, 상기 P-5웰(5)위에 포토다이오드(1)와 V-CCD(2)영역에 플랫한 P웰(8)을 형성하여 더블플렛 웰구조가 형성되어지는 것을 특징으로 하는 더블 플랫 P-웰 구조의 고체영상소자.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR870010591A 1987-09-24 1987-09-24 더블 플랫 p-웰 구조의 고체영상소자 KR890005897A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR870010591A KR890005897A (ko) 1987-09-24 1987-09-24 더블 플랫 p-웰 구조의 고체영상소자

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR870010591A KR890005897A (ko) 1987-09-24 1987-09-24 더블 플랫 p-웰 구조의 고체영상소자

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR890005897A true KR890005897A (ko) 1989-05-17

Family

ID=68343875

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR870010591A KR890005897A (ko) 1987-09-24 1987-09-24 더블 플랫 p-웰 구조의 고체영상소자

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR890005897A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR920008834A (ko) 박막 반도체 장치
JPS5427311A (en) Solid state pickup element
KR920022541A (ko) Ccd 시프트레지스터
KR880014678A (ko) 고체촬상장치
KR940006395A (ko) 고체촬상장치 및 그 제조방법
KR900002478A (ko) Ccd 영상기
KR920008947A (ko) Npn형 vccd 구조의 고체 촬상소자
KR880009450A (ko) 고체촬상 장치
KR840001783A (ko) 광반도체 장치
KR890005897A (ko) 더블 플랫 p-웰 구조의 고체영상소자
KR880001131A (ko) 출력버퍼회로
KR910015076A (ko) Ccd 영상센서에서 포토 다이오드의 ofd 억제를 위한 방법
JPS51140510A (en) Photoelectric converter device
KR890001204A (ko) 고체 영상 소자
KR890001206A (ko) 포토 센서
KR920017285A (ko) 피닝전압이 낮은 고체 촬상소자의 구조
KR910008853A (ko) 반도체장치와 그 제조방법
KR920010934A (ko) 고체 촬상소자
KR910007141A (ko) 고체 촬상소자
KR910017650A (ko) P+ s/d를 이용한 포토 검출기의 구조
KR920008949A (ko) 고체 촬상 소자
KR890001207A (ko) 고체 영상 소자
KR850700180A (ko) 개량된 p-i-n 및 에벌란치 광 다이오드
KR920005393A (ko) N-/p구조의 포토검출기 제조방법
KR970054290A (ko) 고체 촬상 소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application