KR970054290A - 고체 촬상 소자 - Google Patents

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KR970054290A
KR970054290A KR1019950065867A KR19950065867A KR970054290A KR 970054290 A KR970054290 A KR 970054290A KR 1019950065867 A KR1019950065867 A KR 1019950065867A KR 19950065867 A KR19950065867 A KR 19950065867A KR 970054290 A KR970054290 A KR 970054290A
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KR
South Korea
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type
channel
solid
imaging device
state imaging
Prior art date
Application number
KR1019950065867A
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English (en)
Inventor
정상일
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
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Publication date
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  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

본 발명은 신호 전화를 전송하는 전송단의 전송채널에 있어서, P 타입 웰 상부에 N 타입을 형성하고, 상기 N 타입 채널과 게이트 유전막 사이의 계면에 P 타입의 채널을 형성하여 구성된 것으로서, 저전압 구동시 전송효율도 좋고 암전류도 적은 고체 촬상 소자에 관한 것이다.

Description

고체 촬상 소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명에 따른 고체 촬상 소자의 수직 전송단을 나타낸 도면.

Claims (2)

  1. 신호 전화를 전송하는 전송단의 전송채널에 있어서, P 타입 웰 상부에 N 타입을 형성하고, 상기 N 타입 채널과 게이트 유전막 사이의 계면에 P 타입의 채널을 형성한 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전송단의 전송채널 상부 게이트 전극에 인가되는 클럭이 낮은 전압일 때 P 타입의 채널에는 중성영역이 존재하고, 높은 전압 인가시 P 타입의 채널이 완전히 공핍되도록 구성된 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950065867A 1995-12-29 1995-12-29 고체 촬상 소자 KR970054290A (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100406596B1 (ko) * 2000-12-30 2003-11-21 주식회사 하이닉스반도체 엔피엔피 포토다이오드를 구비하는 이미지 센서 제조 방법
KR101135526B1 (ko) * 2005-01-20 2012-04-09 기아자동차주식회사 자동차용 랙 고정장치

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