KR970072463A - 고체촬상소자의 신호검출장치 - Google Patents

고체촬상소자의 신호검출장치 Download PDF

Info

Publication number
KR970072463A
KR970072463A KR1019960011180A KR19960011180A KR970072463A KR 970072463 A KR970072463 A KR 970072463A KR 1019960011180 A KR1019960011180 A KR 1019960011180A KR 19960011180 A KR19960011180 A KR 19960011180A KR 970072463 A KR970072463 A KR 970072463A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
solid
signal detection
conductivity type
charge transfer
image pickup
Prior art date
Application number
KR1019960011180A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100204914B1 (ko
Inventor
김종화
Original Assignee
문정환
Lg 반도체 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 문정환, Lg 반도체 주식회사 filed Critical 문정환
Priority to KR1019960011180A priority Critical patent/KR100204914B1/ko
Publication of KR970072463A publication Critical patent/KR970072463A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100204914B1 publication Critical patent/KR100204914B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/762—Charge transfer devices
    • H01L29/765—Charge-coupled devices
    • H01L29/768—Charge-coupled devices with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/76833—Buried channel CCD
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/63—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to dark current

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

본 발명은 고체촬상소자의 신호검출장치에 관한 것으로 특히, 암전류의 발생이 적고 감도가 향상된 고체촬상소자의 신호검출장치에 관한 것이다. 이를 위하여 발명은 소정의 전송클럭에 의하여 전송된 전송전하의 신호를 검출하는 고체촬상소자의 신호검출장치에 있어서, 제1도전형의 반도체기판과, 상기 반도체기판 상부에 형성되는 제2도전형의 전하전송영역과, 상기 전하전송영역 상부에 절연막을 개재하여 간격을 두고 형성된 제1, 제2게이트와, 상기 제1, 제2게이트 사이의 상기 전하전송영역 내부의 일부분에 위치하되, 상기 전하전송영역보다 농도가 높은 제2도전형의 전하 응집영역과, 상기 제1, 제2게이트 사이의 상기 전하전송영역의 상단에 형성된 고농도의 제1도전형 도핑영역을 구비하여 이루어진다.

Description

고체촬상소자의 신호검출장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 고체촬상소자의 신호검출장치를 설명하기 위한 도면.

Claims (2)

  1. 소정의 전송클럭에 의하여 소정된 전송전하의 신호를 검출하는 고체촬상소자의 신호검출장치에 있어서, 제1도전형의 반도체기판과, 상기 반도체기판 상부에 형성되는 제2도전형의 전하전송영역과, 상기 전하전송영역 상부에 절여막을 개재하여 간격을 두고 형성된 제1 제2게이트와, 상기 제1, 제2게이트 사이의 상기 전하전송영역 내부의 일부분에 위치하되, 상기 전하전송영역보다 농도가 높은 제2도전형의 전하응집영역과, 상기 제1, 제2게이트 사이의 상기 전하전송영역의 상단에 형성된 고농도의 제1도전형 도핑영역을 구비하여 이루어진 고체촬상소자의 신호검출장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전하응집영역의 상단이 고농도의 제1도전형으로 도핑되어 있는 것이 특징인 고체촬상소자의 신호검출장치.
    ※참고사항: 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960011180A 1996-04-13 1996-04-13 고체촬상소자의 신호검출장치 KR100204914B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960011180A KR100204914B1 (ko) 1996-04-13 1996-04-13 고체촬상소자의 신호검출장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960011180A KR100204914B1 (ko) 1996-04-13 1996-04-13 고체촬상소자의 신호검출장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970072463A true KR970072463A (ko) 1997-11-07
KR100204914B1 KR100204914B1 (ko) 1999-06-15

Family

ID=19455680

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960011180A KR100204914B1 (ko) 1996-04-13 1996-04-13 고체촬상소자의 신호검출장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100204914B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100399938B1 (ko) * 2001-11-19 2003-09-29 주식회사 하이닉스반도체 암전류를 측정하기 위한 이미지센서
KR100592448B1 (ko) * 1997-06-03 2006-08-30 소니 가부시끼 가이샤 고체 촬상 디바이스 구동 방법 및 측정 방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100592448B1 (ko) * 1997-06-03 2006-08-30 소니 가부시끼 가이샤 고체 촬상 디바이스 구동 방법 및 측정 방법
KR100399938B1 (ko) * 2001-11-19 2003-09-29 주식회사 하이닉스반도체 암전류를 측정하기 위한 이미지센서

Also Published As

Publication number Publication date
KR100204914B1 (ko) 1999-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR920008834A (ko) 박막 반도체 장치
GB1531180A (en) Solid-state imaging devices
KR870002668A (ko) 고체 촬상소자
KR930001445A (ko) 고체촬상장치
KR950015755A (ko) 반도체 집적 회로장치
KR920005280A (ko) Mos형 반도체장치
KR970072463A (ko) 고체촬상소자의 신호검출장치
KR910007159A (ko) Mos형 반도체장치
KR950002053A (ko) 증폭형 고체촬상소자
KR890015432A (ko) 고체촬상장치
ATE127618T1 (de) Halbleiteranordnung mit verbessertem transistor vom isolierten gatetyp.
KR960006065A (ko) 인터라인 전달 ccd 이미지 센서의 화소배열구조를 가진 고체촬상장치
KR920013732A (ko) 고체영상 소자의 출력장치
KR970077710A (ko) 고체촬상장치
KR930009097A (ko) Mos 트랜지스터 및 이것을 사용한 전하검출장치
KR920017285A (ko) 피닝전압이 낮은 고체 촬상소자의 구조
KR970054290A (ko) 고체 촬상 소자
KR960014724B1 (ko) 전하검출소자
KR930015031A (ko) 프레임 트랜스퍼 방식의 ccd 영상센서
JPH04315442A (ja) 電荷結合装置
KR950034812A (ko) 고체촬상 소자의 구조
JPS57192071A (en) Solid-state image pickup element
JPS6281753A (ja) 信号電荷検出装置
KR830005789A (ko) 고체촬상장치
JPS5480197A (en) Semiconductor humidity sensor

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120228

Year of fee payment: 14

LAPS Lapse due to unpaid annual fee