KR930009133A - Ccd 채널의 구조 - Google Patents

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KR930009133A
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이서규
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문정환
금성일렉트론 주식회사
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/762—Charge transfer devices
    • H01L29/765—Charge-coupled devices
    • H01L29/768—Charge-coupled devices with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/76833—Buried channel CCD
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Abstract

본 발명은 제조공정이 간편하며 컬러 필터 공정에서 토포로지가 평탄하게 되도록 하는 CCD 채널의 구조에 관한 것으로, p-형 기판(8)상에 n+-전극(9A~9D), 절연층(10A~10C), 피웰(11), n-웰 BCCD(12), p++영역(13), 산화막(14)을 형성하여 이루어진다.

Description

CCD 채널의 구조
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 제1도에 따른 전위 윤곽도.
제3도는 본 발명 CCD 채널의 구조를 나타낸 단면도.

Claims (2)

  1. 기판위에, p웰, n형 BCCD, 산화막이 형성되고, 그 위에 클락이 인가되는 게이트로 이루어지는 CCD 영상소자에 있어서, 기판 내부에 n+전극(9A~9D)이 소정간격으로 나란히 매립되고, 상기 n+전극(9A~9D)사이에는 절연층(10A~10C)이 형성되어 구성됨을 특징으로 하는 CCD 채널의 구조.
  2. 제1항에 있어서, 기판은 p형으로 형성함을 특징으로 하는 CCD 채널의 구조.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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