KR940001431A - Ccd 영상소자 제조방법 - Google Patents

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KR940001431A
KR940001431A KR1019920010138A KR920010138A KR940001431A KR 940001431 A KR940001431 A KR 940001431A KR 1019920010138 A KR1019920010138 A KR 1019920010138A KR 920010138 A KR920010138 A KR 920010138A KR 940001431 A KR940001431 A KR 940001431A
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이성민
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문정환
금성일렉트론 주식회사
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    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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Abstract

본 발명은 CCD 영상소자의 HCCD 영역에 관한 것으로, 종래의 BCCD 영역에서는 임의의 제2게이트전극 하측에 베리어층을 형성하여 포텐결 단차를 갖는 투페이즈 클럭킹으로 동작함에 따라 베리어층 및 전극의 길이 조절을 서브-마이크로 이하로 할 수 없어 소자의 고속동작 및 해상도에 한계가 있었다.
본 발명은 이와같은 문제점을 개선하기 위해 3개의 게이트전극을 형성하여 투 페이스 크럭킹 할수 있도록 한것이다.
즉, 제3게이트전극 하측에 베리어층을 형성하고 제3게 이트전극의 일측에 제3게 이트와 연결되도록 제1게이트전극을 형성하고, 제1게이트전극 사이에 제2게이트전극을, 제1, 제3게이트전극과 격리되게 형성한 것이다. 따라서 제3게이트전극의 길이를 최소한으로 조절하면 서브-마이크로 이하의 길이 조절이 가능하다.

Description

CCD 영상소자 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명 HCCD 영역의 구조 평면도,
제5도는 본 발명 HCCD 영역의 구조 단면도,
제6도는 본 발명에 따른 제1실시예의 HCCD 영역 공정 단면도.

Claims (2)

  1. 제1도전형 웰내의 표면에 저농도 제2도전형층을 형성하고 그 위에 복수개의 제3게이트전극을 소정의 간격으로 형성하는 공정과, 상기 제3게이트전극을 마스크로 이용하여 저농도 제2도전형층에 제2도전형 이온주입하여 제3게이트전극 하측은 베리어층이 되도록 전하전송영역을 형성하는 공정과, 상기 제3게이트전극 일측에 제3게이트전극과 연결되도록 제1게이트전극을 형성하는 공정과, 상기 제1게이트전극 사이사이에 제1, 제3게이트전극과 격리되도록 제2게이트전극을 형성하는 공정으로 수평 전하전송영역을 형성함을 특징으로 하는 CCD 영상소자 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 제1도전형 뵐 위에 복수개의 제3게이트전극을 소정간격으로 형성하고 제3게이트전극을 마스크로 하여 제2도전헝 이온주입으로 전하전송영역을 형성함을 특징으로 하는 CCD 영상소자 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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