KR920015591A - 전하결합소자 - Google Patents
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 CCD지연라인의 일실시예의 단면도, 제4도는 본 발명에 따른 CCD 지연라인의 일실시예의 평면도, 제5도는 본 발명의 동작을 설명하는 타이밍파형도.
Claims (6)
- CCD 채널영역상에 절연층을 통해 배설된 복수의 전송전극과 복수의 축전적극으로 구성되고, 1쌍의 전송전극과 축적전극이 하나의 지연스테이지를 형성하는 제1세트의 전하전송부와, 상기 CCD 채널영역상에 상기 절연층을 통해 배설된 복수의 전송전극과 복수의 축적전극으로 구성되고, 1쌍의 전송전극과 축적전극이 다른 하나의 지연스테이지를 형성하는 제2세트의 전하전송부와, 상기 제1및 제2세트의 전하전송부의 사이에 배설된 중간출력부로 이루어지고, 상기 제1세트의 전하전송부의 최종쌍의 전송전극과 축적전극중 어느 하나의 단면적이 상기 제2세트의 전하전송부의 제1쌍의 전송전극과 축적전극중 어느 하나의 단면적 보다 작은 것을 특징으로 하는 CCD 지연라인.
- 제1항에 있어서, 상기 제1세트의 전하전송부의 최종쌍의 전송전극과 축적전극중 어느 하나의 전하전송방향의 폭이 상기 제2세트의 전하전송부의 제1쌍의 전송전극과 축적전극중 어느 하나의 폭보다 작은 것을 특징으로 하는 CCD 지연라인.
- 제1항에 있어서, 상기 제1세트의 전하전송부의 최종쌍의 전송전극과 축적전극중 어느 하나의 전하전송방향에 대해 직각방향의 폭이 상기 제2세트의 전하전송부의 제1상의 전송전극과 축적전극중 어느 하나의 폭보다 작은 것을 특징으로 하는 CCD 지연라인.
- CCD 채널영역상에 절연층을 통해 배설된 복수의 전송전극과 복수의 축적전극으로 구성되고, 1쌍의 전송전극와 축적전극이 하나의 지연스테이지를 형성하는 제1세트의 전하전송부와, 상기 CCD 채널영역상에 상기 절연층을 통해 배설된 복수의 전송전극과 복수의 축적전극으로 구성되고, 1쌍의 전송전극과 축적전극이 다른 하나의 지연스테이지를 형성하는 제2세트의 전하전송부와, 상기 제1및 제2세트의 전하전송부의 사이에 배설된 중간출력부로 이루어지고, 상기 제1세트의 전하전송부의 최종쌍의 전송전극과 축적전극중 어느 하나에 대응하는 CCD 채널영역의 불순물농도가 상기 제2세트의 전하전송부의 제1쌍의 전송전극과 축적전극중 어느 하나의 불순물농도 보다 높은 것을 특징으로 하는 CCD 지연라인.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 중간출력부는 부동게이트형으로 형성된 것을 특징으로 하는 CCD 지연라인.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 중간출력부는 부동확산형으로 형성된 것을 특징으로 하는 CCD 지연라인.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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