KR930005226A - Ccd 영상소자 - Google Patents
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명의 CCD 영상소자 구조도,
제6도는 제5도의 레이아웃도,
제7도 (a) 제6도 c-c′선의 종단면도.
Claims (2)
- 각각의 트랜스터 게이트(TG)를 갖는 복수개의 포토다이오드(PD)를 포함하고 CCD를 신호의 판독을 위한 주사기구로 사용한 것에 있어서, 각 VCCD 영역의 좌우측에 포토다이오드를 연속적으로 배열하고, 상기 VCCD 영역은 지그재그 형태로 형성함과 아울러 각 VCCD 영역사이에는 2개의 포토다이오드(PD)가 채널 스톱 영역(ST)을 사이에 두고 서로 나란하게 형성함을 특징으로 하는 CCD 영상소자.
- 제1항에 있어서, VCCD 영역을 가상 포토다이오드로 하여 상기 가상 포토 다이오드 사방에 실제 포토다이오드를 구성함을 특징으로 하는 CCD 영상소자.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019910014038A KR930005226A (ko) | 1991-08-14 | 1991-08-14 | Ccd 영상소자 |
DE4226828A DE4226828B4 (de) | 1991-08-14 | 1992-08-13 | CCD Bildsensor |
JP23764092A JP3239223B2 (ja) | 1991-08-14 | 1992-08-14 | Ccd映像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019910014038A KR930005226A (ko) | 1991-08-14 | 1991-08-14 | Ccd 영상소자 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR930005226A true KR930005226A (ko) | 1993-03-23 |
Family
ID=19318586
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019910014038A KR930005226A (ko) | 1991-08-14 | 1991-08-14 | Ccd 영상소자 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3239223B2 (ko) |
KR (1) | KR930005226A (ko) |
DE (1) | DE4226828B4 (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4497688B2 (ja) * | 1999-09-27 | 2010-07-07 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置 |
JP4667143B2 (ja) * | 2005-07-07 | 2011-04-06 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像素子 |
JP4978136B2 (ja) * | 2005-09-28 | 2012-07-18 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及び固体撮像装置 |
JP2011009365A (ja) * | 2009-06-24 | 2011-01-13 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS5937629B2 (ja) * | 1975-01-30 | 1984-09-11 | ソニー株式会社 | 固体撮像体 |
SU625521A1 (ru) * | 1975-04-03 | 1979-04-25 | Предприятие П/Я М-5273 | Устройство формировани сигналов изображени |
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US4602289A (en) * | 1982-05-31 | 1986-07-22 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Solid state image pick-up device |
JPH0763091B2 (ja) * | 1986-05-13 | 1995-07-05 | 三菱電機株式会社 | 固体撮像素子 |
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-
1991
- 1991-08-14 KR KR1019910014038A patent/KR930005226A/ko not_active Application Discontinuation
-
1992
- 1992-08-13 DE DE4226828A patent/DE4226828B4/de not_active Expired - Lifetime
- 1992-08-14 JP JP23764092A patent/JP3239223B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3239223B2 (ja) | 2001-12-17 |
DE4226828B4 (de) | 2006-04-13 |
DE4226828A1 (de) | 1993-02-25 |
JPH05211325A (ja) | 1993-08-20 |
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