KR930001491A - 전하 결합소자의 hccd 구조 - Google Patents

전하 결합소자의 hccd 구조 Download PDF

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KR930001491A
KR930001491A KR1019910009868A KR910009868A KR930001491A KR 930001491 A KR930001491 A KR 930001491A KR 1019910009868 A KR1019910009868 A KR 1019910009868A KR 910009868 A KR910009868 A KR 910009868A KR 930001491 A KR930001491 A KR 930001491A
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polysilicon gate
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charge coupled
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박용
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문정환
금성일렉트론 주식회사
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
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Abstract

내용 없음

Description

전하결합소자의 HCCD 구조
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 제1실시예에 따른 선형 포텐셜을 갖는 전하결합소자의 HCCD 구조도.

Claims (4)

  1. 제1폴리실리콘 게이트(1)와 배리어인 제2폴리실리콘 게이트(2)를 한쌍으로 하여 연속적인 배열을 갖는 전하결합소자의 HCCD에 있어서, 수직-수평 인터페이스(5)쪽은 상기 제1폴리실리콘 게이트(1)가 상기 제2폴리실리콘 게이트(2)보다 넓게 형성되고 수직-수평 인터페이스(5)의 반대쪽은 상기 제2폴리실리콘 게이트(2)가 상기 제1폴리실리콘 게이트(1)보다 넓게 형성된 것을 특징으로 하는 전하결합소자 HCCD 구조.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1폴리실리콘 게이트(1)와 상기 제2폴리실리콘 게이트(2)의 사이가 선형적으로 형성된 것을 특징으로 하는 전하결합소자의 HCCD 구조.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1폴리실리콘 게이트(1)와 상기 제1폴리실리콘 게이트(2)의 사이가 계단적으로 형성된 것을 특징으로 하는 전하결합소자의 HCCD 구조.
  4. 제1,2항 또는 제3항에 있어서, 상기 제1폴리실리콘 게이트(1)와 상기 제2폴리실리콘 게이트(2)를 한쌍으로 하는 형상은 직사각형으로 됨을 특징으로 하는 전하결합소자의 HCCD 구조.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910009868A 1991-06-14 1991-06-14 전하결합소자의 hccd 구조 KR940002410B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100370148B1 (ko) * 1996-11-27 2003-04-03 주식회사 하이닉스반도체 고체촬상소자

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