KR900001033A - 파우어 트랜지스터 - Google Patents

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KR900001033A
KR900001033A KR1019880008129A KR880008129A KR900001033A KR 900001033 A KR900001033 A KR 900001033A KR 1019880008129 A KR1019880008129 A KR 1019880008129A KR 880008129 A KR880008129 A KR 880008129A KR 900001033 A KR900001033 A KR 900001033A
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허동현
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최근선
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70Bipolar devices

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Abstract

내용 없음

Description

파우어 트랜지스터
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 파우어 트랜지스터의 등가회로도
제3도는 본 발명에 따른 파우어 트랜지스터의 에미터 구조도이다

Claims (1)

  1. 파우어 트랜지스터에 있어서, 파우어 트랜지스터의 에미터 단자측 에미터 접촉부(10)에서 에미터 P-N접합부(20)사이의 길이를 늘려 P-N접합부(20)를 포물선 형태로 하여, 메탈에 의한 전압 강하에 무관하게 에미터 P-N접합부(20)의 전압을 일정하게 에미터 층을 구성한 것을 특징으로 하는 파우어 트랜지스터
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880008129A 1988-06-30 1988-06-30 파우어 트랜지스터 KR960013941B1 (ko)

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