KR910019232A - 반도체메모리소자 - Google Patents
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/10—DRAM devices comprising bipolar components
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명의 일실시예에 있어서의 반도체메모리소자의 1셀의 단면구조도, 제 2 도는 본 발명의 일실시예에 있어서의 반도체메모리소자의 밴드도, 제 3 도는 본 발명의 메모리기능의 설명도.
Claims (2)
- 기판의 깊이방향으로부터, 일도전형의 제 1 도의 반도체영역과, 다른 도전형의 제 2 의 반도체영역과, 일도전형의 제 3 의 반도체영역으로 이루어지고, 제 1 과 제 2 의 반도체 영역은 각각 도체에 전기적으로 접속되어 있으며, 제 3 의 반도체영역은 도체와 쇼트키 접촉으로 접속한 반도체메모리소자.
- 기판의 깊이방향으로부터, 일도전형의 제 1 의 반도체영역과, 다른 도전형의 제 2 의 반도체영역과, 일도전형의 제 3 의 반도체영역으로 이루어지고, 제 1 과 제 2 의 반도체 영역은 각각 도체에 전기적으로 접속되어 있으며, 제 3 의 반도체영역은 도체와 터널전류가 흐르는 얇은 절연막을 개재해서 접속한 반도체메모리소자.※ 참고사항 : 최초출원내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
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| JP9240590 | 1990-04-06 |
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Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910005452A KR940007651B1 (ko) | 1990-04-06 | 1991-04-04 | 반도체메모리소자 |
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- 1991-04-04 JP JP3071577A patent/JP2563685B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
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