KR920010297A - 미소전압 검지회로 - Google Patents

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KR920010297A
KR920010297A KR1019910020329A KR910020329A KR920010297A KR 920010297 A KR920010297 A KR 920010297A KR 1019910020329 A KR1019910020329 A KR 1019910020329A KR 910020329 A KR910020329 A KR 910020329A KR 920010297 A KR920010297 A KR 920010297A
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KR
South Korea
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transistor
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microvoltage
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KR1019910020329A
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Inventor
이사오 야마까와
Original Assignee
아오이 죠이찌
가부시끼가이샤 도시바
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    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
    • G01R19/25—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof using digital measurement techniques

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Abstract

내용 없음

Description

미소전압 검지회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 한 실시예에 관한 미소전압 검지회로를 도시한 회로도.
제2도는 본 발명의 전류 검지회로를 갖는 파워 트랜지스터의 전류 제한회로를 도시한 회로도.

Claims (2)

  1. 베이스와 콜렉터가 서로 접속되는 제1트랜지스터(Q1), 콜렉터가 상기 제1트랜지스터의 에미터에 접속되는 제2트랜지스터(Q2), 베이스가 상기 제1트랜지스터의 베이스 접속되고 에미터가 상기 제2트랜지스터의 베이스에 접속되는 제3트랜지스터(Q3), 및 베이스가 상기 제1트랜지스터의 에미터에 접속되고 콜렉터가 상기 제3트랜지스터의 에미터에 접속되는 제4트랜지스터(Q4)를 포함하고, 상기 제2 및 제4트랜지스터의 각 에미터 간 전압을 검지 가능한 것을 특징으로 하는 미소전압 검지회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제3트랜지스터의 에미터 비가 1:N(N은 정수)이고, 상기 제2 및 제4트랜지스터의 에미터 비가 M:1(M은 정수)인 것을 특징으로 하는 미소전압 검지회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910020329A 1990-11-16 1991-11-15 미소전압 검지회로 KR950010410B1 (ko)

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JP31087590 1990-11-16
JP90-310875 1990-11-16

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KR920010297A true KR920010297A (ko) 1992-06-26
KR950010410B1 KR950010410B1 (ko) 1995-09-16

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100437066B1 (ko) * 1996-03-06 2005-01-27 신젠타 파티서페이션즈 아게 살균제

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KR100437066B1 (ko) * 1996-03-06 2005-01-27 신젠타 파티서페이션즈 아게 살균제

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