KR920001727A - 반도체 소자의 캐패시턴스 증가방법 - Google Patents
반도체 소자의 캐패시턴스 증가방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR920001727A KR920001727A KR1019900008554A KR900008554A KR920001727A KR 920001727 A KR920001727 A KR 920001727A KR 1019900008554 A KR1019900008554 A KR 1019900008554A KR 900008554 A KR900008554 A KR 900008554A KR 920001727 A KR920001727 A KR 920001727A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- semiconductor device
- increase capacitance
- insulator
- capacitance
- increase
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/60—Electrodes
- H01L28/82—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation
- H01L28/90—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation having vertical extensions
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도(A~G)는 본 발명에 따른 캐패시터 제조공정도
Claims (1)
- 게이트위에 절연체를 증착한 다음 포토레지스터 마스크를 사용하여 상기 절연체에 트랜치 모양을 형성하여 캐패시터의 전극면적을 확장하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시턴스 증가방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900008554A KR920001727A (ko) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 반도체 소자의 캐패시턴스 증가방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900008554A KR920001727A (ko) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 반도체 소자의 캐패시턴스 증가방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920001727A true KR920001727A (ko) | 1992-01-30 |
Family
ID=67482576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900008554A KR920001727A (ko) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 반도체 소자의 캐패시턴스 증가방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR920001727A (ko) |
-
1990
- 1990-06-11 KR KR1019900008554A patent/KR920001727A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR910001971A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| KR910007159A (ko) | Mos형 반도체장치 | |
| KR920001727A (ko) | 반도체 소자의 캐패시턴스 증가방법 | |
| KR910013463A (ko) | 반도체 소자의 개구형성방법 | |
| JPS5384571A (en) | Insulating gate type field effect transistor and its manufacture | |
| KR910008853A (ko) | 반도체장치와 그 제조방법 | |
| JPS6422054A (en) | Manufacture of capacitor of semiconductor device | |
| KR970024180A (ko) | 반도체 장치 | |
| KR920005369A (ko) | 리세트 게이트 제조방법 | |
| KR970024218A (ko) | 백금을 전극으로 사용하는 반도체 장치의 커패시터 | |
| KR910017662A (ko) | 기생 커패시터 방지를 위한 반도체 구조 | |
| KR910005455A (ko) | 캐패시터 전극 형성방법 | |
| KR920003439A (ko) | Peb를 이용한 노치 현상개선 방법 | |
| KR920015532A (ko) | 디램 셀 제조방법 | |
| KR900019195A (ko) | 디램장치의 고집적화방법 | |
| KR920020603A (ko) | 씨모스 소자 제조 방법 | |
| KR930003361A (ko) | 반구형 인시투 도프트 비정질 실리콘 커패시터의 제조방법 | |
| KR970052481A (ko) | 반도체 제조 장치의 하부 전극 | |
| KR920003520A (ko) | 적층형 셀 제조방법 및 구조 | |
| KR970053440A (ko) | 반도체의 소자격리방법 | |
| KR920015471A (ko) | 반도체장치의 메탈 콘택 형성방법 | |
| KR910002002A (ko) | 셀프 얼라인을 이용한 고집적 바이폴라 트랜지스터의 제조방법 | |
| KR920003519A (ko) | 적층형 셀 제조 방법 및 구조 | |
| KR920013693A (ko) | 스크라이브 레인구조 | |
| KR910005374A (ko) | 고집적 소자의 접촉 마스크 형성 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |