KR890017815A - 옥사이드층 위에 이온주입하여 얇은 접합을 형성하는 방법 - Google Patents
옥사이드층 위에 이온주입하여 얇은 접합을 형성하는 방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2 도는 본 발명의 제조공정별 구조와 도우핑프로필이다.
Claims (1)
- IC의 제조과정의 이온주입 공정을 이온주입하는 기판상에 옥사이드 층을 형성시키고 이위에 이온주입함으로서 도우핑 프로필을 조절하여 얇은 접합을 형성하는 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019880006520A KR890017815A (ko) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | 옥사이드층 위에 이온주입하여 얇은 접합을 형성하는 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019880006520A KR890017815A (ko) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | 옥사이드층 위에 이온주입하여 얇은 접합을 형성하는 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR890017815A true KR890017815A (ko) | 1989-12-18 |
Family
ID=68233514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019880006520A KR890017815A (ko) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | 옥사이드층 위에 이온주입하여 얇은 접합을 형성하는 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR890017815A (ko) |
-
1988
- 1988-05-31 KR KR1019880006520A patent/KR890017815A/ko not_active Application Discontinuation
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