KR970052550A - 반도체장치의 콘택 형성방법 - Google Patents

반도체장치의 콘택 형성방법 Download PDF

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KR1019950055718A
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배용국
이동선
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김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

포토레지스트 플로우공정을 가진 반도체장치의 콘택 형성방법이 개시되어 있다. 본 발명은 포토리소그라피 공정과 포토레지스트 플로우공정 및 식각공정이 구비되어 이루어지는 반도체장치의 콘택 형성방법에 있어서, 상기 포토레지스트 플로우공정 전에 포토레지스트막의 콘택패턴 사이에 보조홈이 형성되는 것을 특징으로 한다.
따라서, 다수의 콘택패턴들이 인접되어 배치될 때 포토레지스트 플로우공정을 진행할 경우 그 간격의 차이에 의해 객개의 패턴들이 왜곡, 변형되는 것을 방지하여 원하는 형태의 미세 콘택패턴을 이루도록 하는 효과를 가진다.

Description

반도체장치의 콘택 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 과정중 포토레지스트 플로우 전에 콘택패턴들 사이에 보조홈을 설치한 상태를 나타낸 도면.

Claims (3)

  1. 포토리소그라피 공정과 포토레지스트 플로우공정 및 식각공정이 구비되어 이루어지는 반도체장치의 콘택 형성방법에 있어서, 상기 포토레지스트 플로우공정 전에 포토레지스트막의 콘택패턴 사이에 보조홈이 형성되는 단계가 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 콘택 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 보조홈은 주변에 있는 콘택 가운데 거리가 멀리 떨어진 콘택들 사이에 상기 콘택들을 연결하는 직선과 수직하게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 콘택 형성방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 보조홈은 상기 포토레지스트막의 하부층과 연결되지 않도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 콘택 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950055718A 1995-12-23 1995-12-23 반도체장치의 콘택 형성방법 KR970052550A (ko)

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