KR970052337A

KR970052337A - 반도체 장치의 콘택홀 형성 방법

Info

Publication number: KR970052337A
Application number: KR1019950055031A
Authority: KR
Inventors: 이원우
Original assignee: 김광호; 삼성전자 주식회사
Priority date: 1995-12-22
Filing date: 1995-12-22
Publication date: 1997-07-29

Abstract

본 발명은 하부도전층과 상부도전층을 접속시키기 위한 콘택홀을 직사각형으로 형성하여 도전층간의 접촉면적을 넓히고, 아울러 오정렬마진을 필요로하지 않는 자기정렬콘택 방법으로 콘택홀을 형성하여 도전배선을 집적화할 수 있는 반도체 장치의 콘택홀 형성 방법에 관한 것으로, 본 발명의 제1실시예에 따른 콘택홀 형성 방법은, 하부도전층상에 절연막과 상부막을 순차적으로 형성하는 공정과; 상기 상부막상에 제1방향으로 제1포토레지스트 패턴을 형성하는 공정과; 상기 제1포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 상기 상부막을 식각하여 라인형 상부막 패턴을 형성하는 공정과; 상기 제1포토레지스트 패턴을 제거하는 공정과; 상기 라인형 상부막 패턴상에 상기 제1포토레지스트 패턴 및 상기 라인형 상부막 패턴과 직각이 되는 방향, 즉 제2방향으로 제2포토레지스트 패턴을 형성하는 공정과; 상기 제2포토레지스트 패턴과 상기 상부막 패턴을 마스크로 사용하여 상기 절연막의 노출된 부위를 식각하여 콘택홀을 형성하는 공정과; 상기 제2포토레지스트 패턴 및 상기 라인형 상부막 패턴이 제거된 상기 콘택홀에 도전체를 충전하는 공정을 포함하고, 제2실시예에 따른 콘택홀 형성 방법은, 하부도전층상에 절연막과 상부막을 순차적으로 형성하는 공정과; 상기 상부막상에 제1방향으로 제1포토레지스트 패턴을 형성하는 공정과; 상기 제1포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 상부막 및 상기 절연막을 소정의 두께로 식각하여 라인형 홈 패턴을 형성하는 공정과; 상기 제1포토레지스트 패턴을 제거하는 공정과; 상기 상부막 패턴상에 상기 제1포토레지스트 패턴 및 상기 라인형 홈 패턴과 직각이 되는 방향, 즉 제2방향으로 제2포토레지스트 패턴을 형성하는 공정과; 상기 제2포토레지스트 패턴과 상기 상부막 패턴을 마스크로 사용하여 상기 절연막의 노출된 부위의 나머지를 식각하여 콘택홀을 형성하는 공정과; 상기 제2포토레지스트 패턴을 제거하는 공정과; 상기 콘택홀을 충전하면서 상기 라인형 홈 패턴상에 상부도전층을 형성하는 공정을 포함하고 있다. 이와같은 방법에 의해서, 반도체 장치의 하부도전층과 상부도전층을 접속시키기 위한 콘택홀을 직사각형으로 형성하여 도전층간의 접촉면적을 넓힐 수 있고, 아울러 오정렬마진이 필요없는 자기정렬콘택 방법으로 콘택홀을 형성하여 도전배선을 집적화할 수 있다.

Description

반도체장치의 콘택홀 형성방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2도는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 장치의 콘택홀 형성 방법을 보여주고 있는 순차 공정도.

Claims

반도체 장치의 콘택홀 형성 방법에 있어서, 하부도전층(10)상에 절연막(12)과 상부막(14a)을 순차적으로 형성하는 공정과; 상기 상부막(14a)상에 제1방향(A)으로 제1포토레지스트 패턴(16)을 형성하는 공정과; 상기 제1포토레지스트 패턴(16)을 마스크로 사용하여 상기 상부막(14a)을 식각하여 라인형 상부막 패턴(14)을 형성하는 공정과; 상기 제1포토레지스트 패턴(16)을 제거하는 공정과; 상기 라인형 상부막 패턴(14)과 직각이 되는 방향, 즉 제2방향(B)으로 제2포토레지스트 패턴(17)을 형성하는 공정과; 상기 제2포토레지스트 패턴(17)과 상기 라인형 상부막 패턴(14)을 마스크로 사용하여 상기 절연막(12)의 노출된 부위를 식각하여 콘택홀(18a)을 형성하는 공정과; 상기 콘택홀(18a)에 도전체(19)를 충전하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택홀 형성 방법.
제1항에 있어서, 상기 콘택홀(18a)은 직사각형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택홀 형성 방법.
반도체 장치의 콘택홀 형성 방법에 있어서, 하부도전층(10)상에 절연막(12)과 상부막(14a)을 순차적으로 형성하는 공정과; 상기 상부막(14a)상에 제1방향(A)으로 제1포토레지스트 패턴(16)을 형성하는 공정과; 상기 제1포토레지스트 패턴(16)을 마스크로 이용하여 상기 상부막(14a) 및 상기 절연막(12)을 소정의 두께로 식각하여 라인형 홈 패턴(15)을 형성하는 공정과; 상기 제1포토레지스트 패턴(16)을 제거하는 공정과; 상기 라인형 홈 패턴(15)과 직각이 되는 방향, 즉 제2방향(B)으로 제2포토레지스트 패턴(17)을 형성하는 공정과; 상기 제2포토레지스트 패턴(17)과 상기 상부막 패턴(14)을 마스크로 사용하여 상기 절연막(12)의 노출된 부위의 나머지를 식각하여 콘택홀(18a)을 형성하는 공정과; 상기 제2포토레지스트 패턴(17)을 제거하는 공정과; 상기 콘택홀(17)을 충전하면서 상기 라인형 홈 패턴(15)상에 상부도전층(20)을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택홀 형성 방법.
제3항에 있어서, 상기 라이형 홈 패턴(15)은 도전배선용인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택홀 형성 방법.
제3항에 있어서, 상기 콘택홀(18a)은 직사각형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택홀 형성 방법.
제3항에 있어서, 상기 콘택홀(18a)은 제1방향(A)으로 형성된 상기 라인형 홈 패턴(15)과 같은 넓이를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택홀 형성 방법.

※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.