JPH1069062A - コンタクトホール形成用位相反転マスク - Google Patents
コンタクトホール形成用位相反転マスクInfo
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- JPH1069062A JPH1069062A JP16667197A JP16667197A JPH1069062A JP H1069062 A JPH1069062 A JP H1069062A JP 16667197 A JP16667197 A JP 16667197A JP 16667197 A JP16667197 A JP 16667197A JP H1069062 A JPH1069062 A JP H1069062A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- QNRATNLHPGXHMA-XZHTYLCXSA-N (r)-(6-ethoxyquinolin-4-yl)-[(2s,4s,5r)-5-ethyl-1-azabicyclo[2.2.2]octan-2-yl]methanol;hydrochloride Chemical compound Cl.C([C@H]([C@H](C1)CC)C2)CN1[C@@H]2[C@H](O)C1=CC=NC2=CC=C(OCC)C=C21 QNRATNLHPGXHMA-XZHTYLCXSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、コンタクトホール形成用位相反転
マスクにおいて、縦、横、斜線方向に繰り返し配設され
るコンタクトホールを形成する時、光コントラストを向
上させ良質のコンタクトホールパターンを得るようにす
ることにある。 【解決手段】 縦、横、斜線方向に繰り返し配設される
コンタクトホールを形成する時、コンタクトホールが予
定の領域に菱形状の窓を備えるが、窓の中央部では窓の
強度が最大となり、窓の縁側では光の強度が最小となる
ようシフターと透明基板が配設される。
マスクにおいて、縦、横、斜線方向に繰り返し配設され
るコンタクトホールを形成する時、光コントラストを向
上させ良質のコンタクトホールパターンを得るようにす
ることにある。 【解決手段】 縦、横、斜線方向に繰り返し配設される
コンタクトホールを形成する時、コンタクトホールが予
定の領域に菱形状の窓を備えるが、窓の中央部では窓の
強度が最大となり、窓の縁側では光の強度が最小となる
ようシフターと透明基板が配設される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子のコン
タクトホール形成用位相反転マスクに関し、特に縦、
横、斜線方向に繰り返し配設される微細コンタクトホー
ルを形成するため菱形状の窓を備え、隣接した窓の中心
又は縁側に選択的にシフターを備えたコンタクトホール
形成用位相反転マスクに関する。
タクトホール形成用位相反転マスクに関し、特に縦、
横、斜線方向に繰り返し配設される微細コンタクトホー
ルを形成するため菱形状の窓を備え、隣接した窓の中心
又は縁側に選択的にシフターを備えたコンタクトホール
形成用位相反転マスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子のリソグラフィ工程でパター
ンを形成する時、パターンのプロファイルを向上させる
ため従来のマスクに透明基板を透過する光の位相をシフ
ト（shift ）させる物質であるシフターを選択的に備え
る位相反転マスクが注目されている。
ンを形成する時、パターンのプロファイルを向上させる
ため従来のマスクに透明基板を透過する光の位相をシフ
ト（shift ）させる物質であるシフターを選択的に備え
る位相反転マスクが注目されている。
【０００３】図１は、従来の技術により製造されたコン
タクトホール形成用位相反転マスクを示す平面図であ
り、縦、横及び斜線方向に繰り返し配設される多数のコ
ンタクトホールを形成するため透明基板（１）上部にコ
ンタクトホールが形成される領域にクローム（２）が除
かれた四角形窓（４）がそれぞれ備えられ、前記窓
（４）で横方向に隣接した窓（４）とは異なる位相を有
するようにするため選択的に前記窓（４）の表面にシフ
ター（shifter ）（３）が備えられたものである。
タクトホール形成用位相反転マスクを示す平面図であ
り、縦、横及び斜線方向に繰り返し配設される多数のコ
ンタクトホールを形成するため透明基板（１）上部にコ
ンタクトホールが形成される領域にクローム（２）が除
かれた四角形窓（４）がそれぞれ備えられ、前記窓
（４）で横方向に隣接した窓（４）とは異なる位相を有
するようにするため選択的に前記窓（４）の表面にシフ
ター（shifter ）（３）が備えられたものである。
【０００４】一方、前記シフター（３）は横方向に窓
（４）を一つ置きに備えられるが縦方向と斜線方向には
一つ置きにシフター（３）が形成されず、隣接した窓
（４）にもシフター（３）が形成されるか又は全然形成
されないことが判る。
（４）を一つ置きに備えられるが縦方向と斜線方向には
一つ置きにシフター（３）が形成されず、隣接した窓
（４）にもシフター（３）が形成されるか又は全然形成
されないことが判る。
【０００５】図２は、図１に示すマスクを利用して露光
工程を行う時、ウェーハに到る光の分布を示す図であ
り、光の強度が０．３以下に現われる。
工程を行う時、ウェーハに到る光の分布を示す図であ
り、光の強度が０．３以下に現われる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の位相反転マスク
は、横方向に隣接するコンタクトホールから一側に存在
するコンタクトホール領域にシフターを備えることによ
り光コントラストを向上させるものであるが、縦又は斜
線方向には隣接したコンタクトホールで同位相となるシ
フター又は透明基板が位置することによりこの部分では
位相反転効果を期待できず、その結果、光コントラスト
（contrast）が減少することになり結局良質のコンタク
トホールパターンを得ることができない。
は、横方向に隣接するコンタクトホールから一側に存在
するコンタクトホール領域にシフターを備えることによ
り光コントラストを向上させるものであるが、縦又は斜
線方向には隣接したコンタクトホールで同位相となるシ
フター又は透明基板が位置することによりこの部分では
位相反転効果を期待できず、その結果、光コントラスト
（contrast）が減少することになり結局良質のコンタク
トホールパターンを得ることができない。
【０００７】従って、本発明は前記のような問題点を解
決するため菱形状の窓を規則的に配設し、前記窓の中心
又は縁側に選択的にシフターを備えて光コントラストが
向上されたコンタクトホール形成用位相反転マスクを提
供することにその目的がある。
決するため菱形状の窓を規則的に配設し、前記窓の中心
又は縁側に選択的にシフターを備えて光コントラストが
向上されたコンタクトホール形成用位相反転マスクを提
供することにその目的がある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記した目的を達成する
ための本発明は、コンタクトホール形成用位相反転マス
クにおいて、縦、横、斜線方向に繰り返し配設されるコ
ンタクトホールを形成するため、前記コンタクトホール
が予定の領域に菱形状の窓を備えるが、窓の中央部にシ
フターが形成され、窓の縁側に透明基板が露出する多数
個の第１窓と、窓の中央部に透明基板が露出し、窓の縁
側にシフターが備えられる多数個の第２窓で備えられ、
縦、横方向には第１窓は第１窓と、第２窓は第２窓とそ
れぞれ隣接するよう配設され、斜線方向には第１窓と第
２窓が隣接するよう配設されて前記第１窓と第２窓の縁
側では光の強度が最小になり、前記窓の中央部では光の
強度が最大になるようにするコンタクトホール形成用位
相反転マスクであることを特徴とする。
ための本発明は、コンタクトホール形成用位相反転マス
クにおいて、縦、横、斜線方向に繰り返し配設されるコ
ンタクトホールを形成するため、前記コンタクトホール
が予定の領域に菱形状の窓を備えるが、窓の中央部にシ
フターが形成され、窓の縁側に透明基板が露出する多数
個の第１窓と、窓の中央部に透明基板が露出し、窓の縁
側にシフターが備えられる多数個の第２窓で備えられ、
縦、横方向には第１窓は第１窓と、第２窓は第２窓とそ
れぞれ隣接するよう配設され、斜線方向には第１窓と第
２窓が隣接するよう配設されて前記第１窓と第２窓の縁
側では光の強度が最小になり、前記窓の中央部では光の
強度が最大になるようにするコンタクトホール形成用位
相反転マスクであることを特徴とする。
【０００９】本発明は、縦、横、斜線方向に繰り返し配
設されるコンタクトホールを形成する時、前記コンタク
トホールが予定の領域に菱形状の窓を備えるが、窓の中
央部では光の強度が最大となり、窓の縁側では光の強度
が最小となるようシフターと透明基板を適宜配設するこ
とにより光コントラストを向上させる。
設されるコンタクトホールを形成する時、前記コンタク
トホールが予定の領域に菱形状の窓を備えるが、窓の中
央部では光の強度が最大となり、窓の縁側では光の強度
が最小となるようシフターと透明基板を適宜配設するこ
とにより光コントラストを向上させる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、添付の図を参照して本発明
を詳細に説明することにする。
を詳細に説明することにする。
【００１１】図３は、本発明の実施例により製造された
コンタクトホール形成用位相反転マスクを示す平面図で
あり、縦、横及び斜線方向に規則的に配設される多数の
コンタクトホールを形成するため透明基板（１）上部に
コンタクトホールが形成される領域に菱形状の窓等を配
設するが、縦、横、斜線方向に隣接する前記窓等は境界
面で光の強度が０となるよう透明基板（１）とシフター
（３）が前記窓の縁側に備えられる。
コンタクトホール形成用位相反転マスクを示す平面図で
あり、縦、横及び斜線方向に規則的に配設される多数の
コンタクトホールを形成するため透明基板（１）上部に
コンタクトホールが形成される領域に菱形状の窓等を配
設するが、縦、横、斜線方向に隣接する前記窓等は境界
面で光の強度が０となるよう透明基板（１）とシフター
（３）が前記窓の縁側に備えられる。
【００１２】さらに具体的に表現すれば、前記窓は、内
部にはシフター（３）が形成され縁側から内側に一定幅
は前記シフターが除かれて透明基板が露出する第１窓
（５）と、内部はシフターが除かれて透明基板が露出
し、縁側から内側に一定幅はシフター（３）が備えられ
る第２窓（６）に区分され、第１窓（５）と第２窓
（６）は縦、横方向に同様な構造の窓が隣接するよう配
設されるが斜線方向には第１窓（５）と第２窓（６）が
隣接するよう配設される。
部にはシフター（３）が形成され縁側から内側に一定幅
は前記シフターが除かれて透明基板が露出する第１窓
（５）と、内部はシフターが除かれて透明基板が露出
し、縁側から内側に一定幅はシフター（３）が備えられ
る第２窓（６）に区分され、第１窓（５）と第２窓
（６）は縦、横方向に同様な構造の窓が隣接するよう配
設されるが斜線方向には第１窓（５）と第２窓（６）が
隣接するよう配設される。
【００１３】参考に、前記窓の縁側に残るか除かれるシ
フターの線幅は予定の露光エネルギーで露光工程を行う
場合、感光膜が露光されない程度に設計されなければな
らない。
フターの線幅は予定の露光エネルギーで露光工程を行う
場合、感光膜が露光されない程度に設計されなければな
らない。
【００１４】前記シフター（３）と透明基板（１）を透
過する光の位相は差が生じ、１８０°の差が発生するこ
とが好ましい。
過する光の位相は差が生じ、１８０°の差が発生するこ
とが好ましい。
【００１５】図４は、図３に示す位相反転マスクを用い
て露光工程を行う時、ウェーハに到る光の強度分布を示
す図であり、光の強度が１．８程度で、光の強度分布が
楕円状に現われるがコンタクトホールの形成には何等影
響を及ぼさない。
て露光工程を行う時、ウェーハに到る光の強度分布を示
す図であり、光の強度が１．８程度で、光の強度分布が
楕円状に現われるがコンタクトホールの形成には何等影
響を及ぼさない。
【００１６】前記のように、菱形状の第１窓と第２窓が
配設されて備えられた位相反転マスクは、レジストがポ
ジティブ又はネガティブに係りなく、露光源の波長で、
例えばｉ−ライン（３６５ｎｍ）遠紫外線（２４８ｎ
ｍ）、又はそれ以下の波長を利用できる。
配設されて備えられた位相反転マスクは、レジストがポ
ジティブ又はネガティブに係りなく、露光源の波長で、
例えばｉ−ライン（３６５ｎｍ）遠紫外線（２４８ｎ
ｍ）、又はそれ以下の波長を利用できる。
【００１７】前記の菱形状の第１窓と、第２窓の縁側で
光の位相が互いに１８０°差が出るようにすることによ
り、光が相殺干渉を起こすため光の強度（Intensity ）
が約０に近く菱形の中心付近には光の強度が非常に大き
くなるので、コンタクトホールを形成するのに必要な光
コントラストを得ることができるようになる。
光の位相が互いに１８０°差が出るようにすることによ
り、光が相殺干渉を起こすため光の強度（Intensity ）
が約０に近く菱形の中心付近には光の強度が非常に大き
くなるので、コンタクトホールを形成するのに必要な光
コントラストを得ることができるようになる。
【００１８】さらに、独立した一つの角で縁側領域の大
きさを変化させると光のコントラスト及び最適コンタク
トホールの大きさが変化するため多様な形状のコンタク
トホールパターンに適用できる。
きさを変化させると光のコントラスト及び最適コンタク
トホールの大きさが変化するため多様な形状のコンタク
トホールパターンに適用できる。
【００１９】
【発明の効果】前記したように、本発明は微細コンタク
トホールを形成する工程に菱形状の窓を形成し、交互に
前記菱形状の窓の内部と縁側に選択的にシフターを残す
ことにより、隣接するコンタクトホールに対し光コント
ラスト特性を向上させることができ、その結果、良好な
微細コンタクトホールを形成できる。
トホールを形成する工程に菱形状の窓を形成し、交互に
前記菱形状の窓の内部と縁側に選択的にシフターを残す
ことにより、隣接するコンタクトホールに対し光コント
ラスト特性を向上させることができ、その結果、良好な
微細コンタクトホールを形成できる。
【００２０】併せて、本発明の好ましい実施例は、例示
の目的のため開示されたものであり、当業者であれば本
発明の思想と範囲内にある多様な修正、変更、付加等が
可能であるはずであり、このような修正、変更等は以下
の特許請求範囲に属するものと見なすべきである。
の目的のため開示されたものであり、当業者であれば本
発明の思想と範囲内にある多様な修正、変更、付加等が
可能であるはずであり、このような修正、変更等は以下
の特許請求範囲に属するものと見なすべきである。
【図１】従来技術により製造されたコンタクトホール形
成用位相反転（Phase Shift ）マスクを示す平面図であ
る。
成用位相反転（Phase Shift ）マスクを示す平面図であ
る。
【図２】図１に示すマスクを利用して露光時にウェーハ
に到る光の強度の分布を示す図である。
に到る光の強度の分布を示す図である。
【図３】本発明により製造されたコンタクトホール形成
用位相反転マスクを示す平面図である。
用位相反転マスクを示す平面図である。
【図４】図３に示すマスクを利用して露光時の光の分布
を示す図である。
を示す図である。
１ 透明基板 ２ クローム ３ シフター ４ 窓 ５ 第１窓 ６ 第２窓 １０ 光の強度分布
Claims (6)
- 【請求項１】 コンタクトホール形成用位相反転マスク
において、 縦、横、斜線方向に繰り返し配設されるコンタクトホー
ルを形成するため、前記コンタクトホールが予定領域に
菱形状の窓を備えるが、 窓の中央部にシフターが形成され、窓の縁側に透明基板
が露出する多数個の第１窓と、窓の中央部に透明基板が
露出し、窓の縁側にシフターが備えられる多数個の第２
窓で備えられ、縦、横方向には第１窓は第１窓と、第２
窓は第２窓とそれぞれ隣接するよう配設され、斜線方向
には第１窓と第２窓が隣接するよう配設されて前記第１
窓と第２窓の縁側では光の強度が最小になり、前記窓の
中央部では光の強度が最大になるようにするコンタクト
ホール形成用位相反転マスク。 - 【請求項２】 前記シフターは、シフターを透過した光
と透明基板を透過した光との位相が異なるため、窓の縁
側で光の強度が最小となるようにする物質と厚さである
ことを特徴とする請求項１記載のコンタクトホール形成
用位相反転マスク。 - 【請求項３】 コンタクトホールを形成するのに利用さ
れる位相反転マスクにおいて、 縦、横、斜線方向に繰り返し配設されるコンタクトホー
ルを形成するため、前記コンタクトホールが予定の領域
に菱形状の窓を備えるが、 窓の中央部にシフターが形成され、窓の縁側に透明基板
が露出する多数個の第１窓と、窓の中央部に透明基板が
露出し、窓の縁側にシフターが備えられる多数個の第２
窓で備えられ、前記第１窓と第２窓を配設させそれぞれ
の窓の縁側では光の強度が最小となり、窓の中央部では
光の強度が最大となるようにすることを特徴とするコン
タクトホール形成用位相反転マスク。 - 【請求項４】 縦、横方向には第１窓は第１窓と、第２
窓は第２窓とそれぞれ隣接するよう配設され、前記斜線
方向には第１窓と第２窓が隣接するよう配設されるよう
にすることを特徴とする請求項３記載のコンタクトホー
ル形成用位相反転マスク。 - 【請求項５】 前記シフターは、シフターを透過した光
と透明基板を透過した光との位相が異なるため、窓の縁
側で光の強度が最小となるようにする物質と厚さである
ことを特徴とする請求項３記載のコンタクトホール形成
用位相反転マスク。 - 【請求項６】 前記窓の縁側に形成されるシフターと、
透明基板の幅は露光工程で窓の縁側にある感光膜が露光
されない程度であることを特徴とする請求項５記載のコ
ンタクトホール形成用位相反転マスク。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR25724/1996 | 1996-06-29 | ||
| KR1019960025724A KR100214271B1 (ko) | 1996-06-29 | 1996-06-29 | 콘택홀용 위상 반전 마스크 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1069062A true JPH1069062A (ja) | 1998-03-10 |
| JP2973977B2 JP2973977B2 (ja) | 1999-11-08 |
Family
ID=19464722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16667197A Expired - Fee Related JP2973977B2 (ja) | 1996-06-29 | 1997-06-10 | コンタクトホール形成用位相反転マスク |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5773171A (ja) |
| JP (1) | JP2973977B2 (ja) |
| KR (1) | KR100214271B1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006011371A (ja) * | 2004-05-26 | 2006-01-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | パターン形成方法 |
| JP2006163342A (ja) * | 2004-12-02 | 2006-06-22 | Hynix Semiconductor Inc | フォトマスク及びこれを用いたパターン製造方法 |
| WO2014019309A1 (zh) * | 2012-07-30 | 2014-02-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 用于制作彩色滤光片的掩模板及彩色滤光片的制作方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3518097B2 (ja) * | 1995-09-29 | 2004-04-12 | 株式会社ニコン | 荷電粒子線転写装置，パターン分割方法，マスクおよび荷電粒子線転写方法 |
| BR9901906B1 (pt) | 1998-09-21 | 2008-11-18 | composiÇço para revestimento sensÍvel a radiaÇço étil para chapas de impressço litogrÁfica e similares. | |
| WO2001022164A1 (de) * | 1999-09-17 | 2001-03-29 | Infineon Technologies Ag | Kontaktlochherstellung mit hilfe sich kreuzender phasensprungkanten einer einzigen phasenmaske |
| US20050089770A1 (en) * | 2003-10-24 | 2005-04-28 | Yong Liu | Printing irregularly-spaced contact holes using phase shift masks |
| US7264415B2 (en) * | 2004-03-11 | 2007-09-04 | International Business Machines Corporation | Methods of forming alternating phase shift masks having improved phase-shift tolerance |
| US9536952B2 (en) | 2014-05-12 | 2017-01-03 | Intersil Americas LLC | Body contact layouts for semiconductor structures |
| WO2020141052A1 (en) * | 2018-12-31 | 2020-07-09 | Asml Netherlands B.V. | Improved imaging via zeroth order suppression |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5370975A (en) * | 1992-01-31 | 1994-12-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for forming resist pattern |
| KR0161856B1 (ko) * | 1995-09-25 | 1999-01-15 | 문정환 | 위상 반전 마스크의 제조방법 |
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1996
- 1996-06-29 KR KR1019960025724A patent/KR100214271B1/ko not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-05-28 US US08/864,105 patent/US5773171A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-10 JP JP16667197A patent/JP2973977B2/ja not_active Expired - Fee Related
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