KR970051892A - 감광막패턴의 형성방법 - Google Patents

감광막패턴의 형성방법 Download PDF

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KR970051892A
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KR1019950059250A
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Inventor
이동선
남정림
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체기판상에 하나의 포토마스크를 사용하여 두개의 회로패턴을 형성할 수 있는 감광막패턴의 형성방법에 관한 것으로서, 그 방법은 제1마스크패턴과 제2마스크패턴이 소정간격을 갖고 교대로 형성되어 있고, 상기 제1마스크패턴의 콘택패드형성영역들사이에 상기 제2마스크패턴의 콘택패드형성영역이 형성되어 있으며, 상기 제1,2마스크패턴사이에서 제1영역과 제2영역이 형성되어 있고, 그리고 상기 제2영역이 제1영역보다 상대적으로 긴 간격을 갖는 포토마스크를 사용하여 회로패턴을 형성한 다음, 그 회로패턴상에 형성된 포토 레지스트를 상기 포토마스크를 사용하여 과노광하여 상기 제2영역에서 소정 넓이를 갖는 감광막패턴을 형성하는 단계를 포함한다. 이러한 방법에 의하면, 하나의 포토마스크를 사용하여 두개의 회로패턴을 형성할 수 있어서, 포토마스크의 오정렬을 근본적으로 해결할 수 있을 뿐만아니라 정밀한 회로패턴을 형성할 수 있다.

Description

감광막패턴의 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도와 제2B도는 제1A도와 제1B도의 포토마스크를 사용하여 비트라인과 매몰콘택부가 형성된 구조를 보여주고 있는 평면도.

Claims (4)

  1. 제1마스크패턴과 제2마스크패턴이 소정간격을 갖고 교대로 형성되어 있고, 상기 제1마스크패턴의 콘택패드형성영역들사이에 상기 제2마스크패턴의 콘택패드 형성영역이 형성되어 있으며, 상기 제1,2마스크패턴사이에서 제1영역과 제2영역이 형성되어 있고, 그리고 상기 제2영역이 제1영역보다 상대적으로 긴 간격을 갖는 포토마스크를 사용하여 메모리장치의 소정회로패턴을 형성하기 위한 감광막패턴의 형성방법에 있어서, 상기 포토마스크를 사용하여 상기 회로패턴을 형성한 다음, 그 회로패턴상에 형성된 포토레지스트를 상기 포토마스크를 사용하여 과노광하여 상기 제2영역에서 소정 넓이를 갖는 감광막패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 감광막패턴의 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1, 제2마스크패턴은 메모리장치의 비트라인형성용 마스크패턴인 것을 특징으로 하는 감광막패턴의 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 감광막패턴은 상기 메모리장치의 하부전극을 매몰콘택부를 형성하기 위한 패턴인 것을 특징으로 하는 감광막패턴의 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 포토레지스트는 네거티브 포토레지스트인 것을 특징으로 하는 감광막패턴의 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950059250A 1995-12-27 1995-12-27 감광막패턴의 형성방법 KR970051892A (ko)

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