JP2855115B2 - 半導体素子製造用コンタクトマスク - Google Patents
半導体素子製造用コンタクトマスクInfo
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子製造用コ
ンタクトマスクに関し、特にガードリング（ｇｕａｒｄ
ｒｉｎｇ）領域において発生する感光膜の浮き（ｌｉ
ｆｔｉｎｇ）現象を防止することができるようにした半
導体素子製造用コンタクトマスクに関するものである。
ンタクトマスクに関し、特にガードリング（ｇｕａｒｄ
ｒｉｎｇ）領域において発生する感光膜の浮き（ｌｉ
ｆｔｉｎｇ）現象を防止することができるようにした半
導体素子製造用コンタクトマスクに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般的に半導体素子の製造工程において
接合部と導電層又は導電層間の接続は絶縁層に形成され
たコンタクトホール（ｃｏｎｔａｃｔ ｈｏｌｅ）を通
じてなる。更にコンタクトホール形成時に絶縁層にはダ
イス（ｄｉｅ）の縁に沿ってガードリングが形成され、
ガードリングはウェーハレベルテスト（ｗａｆｅｒ ｌ
ｅｖｅｌ ｔｅｓｔ）の際、隣接するダイス間の電気的
影響による不良の発生を防止するために形成される。コ
ンタクトホール形成工程に利用される従来のコンタクト
マスクを図１を通じて説明すると次の通りである。
接合部と導電層又は導電層間の接続は絶縁層に形成され
たコンタクトホール（ｃｏｎｔａｃｔ ｈｏｌｅ）を通
じてなる。更にコンタクトホール形成時に絶縁層にはダ
イス（ｄｉｅ）の縁に沿ってガードリングが形成され、
ガードリングはウェーハレベルテスト（ｗａｆｅｒ ｌ
ｅｖｅｌ ｔｅｓｔ）の際、隣接するダイス間の電気的
影響による不良の発生を防止するために形成される。コ
ンタクトホール形成工程に利用される従来のコンタクト
マスクを図１を通じて説明すると次の通りである。
【０００３】一般的な半導体素子製造用コンタクトマス
クは図１に図示されたように光を透過させる石英等のよ
うな材質でなる基板１にウェーハのダイス（図示されて
いない）縁に対応する第１ガードリングパターン２が形
成され、第１ガードリングパターン２の内側には所定距
離に離隔された第２ガードリングパターン３が形成され
る。第２ガードリングパターン３の内側、即ち基板１の
内側部には多数のコンタクトパターン４が形成される。
クは図１に図示されたように光を透過させる石英等のよ
うな材質でなる基板１にウェーハのダイス（図示されて
いない）縁に対応する第１ガードリングパターン２が形
成され、第１ガードリングパターン２の内側には所定距
離に離隔された第２ガードリングパターン３が形成され
る。第２ガードリングパターン３の内側、即ち基板１の
内側部には多数のコンタクトパターン４が形成される。
【０００４】このように構成されたコンタクトマスクを
利用してコンタクトホールを形成する過程を図２及び図
３を通じて説明する。
利用してコンタクトホールを形成する過程を図２及び図
３を通じて説明する。
【０００５】図２は図１に図示されたコンタクトマスク
９を利用して写真（フォト）エッチング工程を実施した
状態を説明するため或る一つのダイス部分平面図であ
り、図３は図２の線３−３に沿って切り取った状態の断
面図であり、シリコン基板８上に形成された絶縁層７上
に感光膜５を形成した後、図１に図示されたコンタクト
マスク９を利用した露光及び現像工程であり、図２に図
示されたように感光膜５をパターニングする。
９を利用して写真（フォト）エッチング工程を実施した
状態を説明するため或る一つのダイス部分平面図であ
り、図３は図２の線３−３に沿って切り取った状態の断
面図であり、シリコン基板８上に形成された絶縁層７上
に感光膜５を形成した後、図１に図示されたコンタクト
マスク９を利用した露光及び現像工程であり、図２に図
示されたように感光膜５をパターニングする。
【０００６】更にパターニングされた感光膜５をマスク
として利用し、絶縁層７を所定の深さの湿式蝕刻（ｗｅ
ｔ ｅｔｃｈ）した後、残り厚さの絶縁層７を乾式蝕刻
（ｄｒｙ ｅｔｃｈ）することにより図３に図示された
ようにコンタクトマスク９のコンタクトパターン４に対
応する絶縁層７には多数のコンタクトホール６が形成さ
れる。
として利用し、絶縁層７を所定の深さの湿式蝕刻（ｗｅ
ｔ ｅｔｃｈ）した後、残り厚さの絶縁層７を乾式蝕刻
（ｄｒｙ ｅｔｃｈ）することにより図３に図示された
ようにコンタクトマスク９のコンタクトパターン４に対
応する絶縁層７には多数のコンタクトホール６が形成さ
れる。
【０００７】一方、コンタクトマスク９の第１及び第２
ガードリングパターン２，３に対応する絶縁層７の外廓
部には第１及び第２ガードリングg1，g2が各々形成され
る。
ガードリングパターン２，３に対応する絶縁層７の外廓
部には第１及び第２ガードリングg1，g2が各々形成され
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】高集積素子の製造工程
においては、表面の平坦度を向上させるため不純物イオ
ンを多量に含有したＢＰＳＧ膜を絶縁層７として利用す
るため湿式蝕刻の際、ＢＰＳＧ膜である絶縁層７の蝕刻
速度が増加される。更に湿式蝕刻は非等方性蝕刻特性を
有するため図３に図示されたようにコンタクトホール６
の側壁を構成する絶縁層７の過度な蝕刻が発生する。
においては、表面の平坦度を向上させるため不純物イオ
ンを多量に含有したＢＰＳＧ膜を絶縁層７として利用す
るため湿式蝕刻の際、ＢＰＳＧ膜である絶縁層７の蝕刻
速度が増加される。更に湿式蝕刻は非等方性蝕刻特性を
有するため図３に図示されたようにコンタクトホール６
の側壁を構成する絶縁層７の過度な蝕刻が発生する。
【０００９】更に図１に図示されたようにコンタクトマ
スク９に形成された第１及び第２ガードリングパターン
２，３は全構成長さに沿って互いに隣接した状態のため
湿式蝕刻のあと第１ガードリングg1と第２ガードリング
g2間に位置する感光膜５が浮く（ｌｉｆｔｉｎｇ）現象
が発生する。
スク９に形成された第１及び第２ガードリングパターン
２，３は全構成長さに沿って互いに隣接した状態のため
湿式蝕刻のあと第１ガードリングg1と第２ガードリング
g2間に位置する感光膜５が浮く（ｌｉｆｔｉｎｇ）現象
が発生する。
【００１０】したがって、コンタクトホール６の側壁を
構成する絶縁層７の過度な蝕刻により浮いている状態の
感光膜５が隣接するコンタクトホール６内に埋め込まれ
る場合、後続する乾式蝕刻工程の際、完全な形態のコン
タクトホール形成がなされず、このため素子の不良が発
生して素子の収率を低下させる。
構成する絶縁層７の過度な蝕刻により浮いている状態の
感光膜５が隣接するコンタクトホール６内に埋め込まれ
る場合、後続する乾式蝕刻工程の際、完全な形態のコン
タクトホール形成がなされず、このため素子の不良が発
生して素子の収率を低下させる。
【００１１】したがって、本発明はガードリング領域に
おいて感光膜と絶縁層の接触面積を増加して上述した問
題点を解決することができる半導体素子製造用コンタク
トマスクを提供することにその目的がある。
おいて感光膜と絶縁層の接触面積を増加して上述した問
題点を解決することができる半導体素子製造用コンタク
トマスクを提供することにその目的がある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明によるマスクは基
板と、ウェーハのダイス縁に対応する状態に基板に形成
された多数のガードリングホールパターンと、各ガード
リングホールパターンと離隔された状態に各ガードリン
グホールパターン内側に形成されたガードリングパター
ンと、ガードリングパターンの内側に形成された多数の
コンタクトパターンによりなる。
板と、ウェーハのダイス縁に対応する状態に基板に形成
された多数のガードリングホールパターンと、各ガード
リングホールパターンと離隔された状態に各ガードリン
グホールパターン内側に形成されたガードリングパター
ンと、ガードリングパターンの内側に形成された多数の
コンタクトパターンによりなる。
【００１３】本発明による別のマスクは基板と、ウェー
ハのダイス縁に対応する状態に基板に形成された多数の
第１ガードリングホールパターンと、各第１ガードリン
グホールパターンの内側に形成され、第１ガードリング
ホールパターンとはすれ違いの形態で配置された多数の
第２ガードリングパターンと、第２ガードリングパター
ンの内側に形成された多数のコンタクトパターンとによ
りなり、したがって、或る一つの第１ガードリングホー
ルパターンと、これに隣接する第１ガードリングホール
パターン間に存在する基板が、或る一つの第２ガードリ
ングホールパターンに対応し、或る一つの第１ガードリ
ングホールパターンは第２ガードリングホールパターン
間の基板に対応するようになる。
ハのダイス縁に対応する状態に基板に形成された多数の
第１ガードリングホールパターンと、各第１ガードリン
グホールパターンの内側に形成され、第１ガードリング
ホールパターンとはすれ違いの形態で配置された多数の
第２ガードリングパターンと、第２ガードリングパター
ンの内側に形成された多数のコンタクトパターンとによ
りなり、したがって、或る一つの第１ガードリングホー
ルパターンと、これに隣接する第１ガードリングホール
パターン間に存在する基板が、或る一つの第２ガードリ
ングホールパターンに対応し、或る一つの第１ガードリ
ングホールパターンは第２ガードリングホールパターン
間の基板に対応するようになる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面を参照して本
発明の実施形態を詳細に説明する。
発明の実施形態を詳細に説明する。
【００１５】図４は本発明の第１実施形態によるコンタ
クトマスクの一部分を図示した平面図であり、本実施形
態によるコンタクトマスク10は石英等のように光を透過
させる材質によりなる基板11上にウェーハのダイス（図
示されていない）縁に対応する多数のガードリングホー
ルパターン12が互いに一定の間隔を有する状態に形成さ
れており、ガードリングホールパターン12の内側にはガ
ードリングホールパターン12と所定の距離に離隔された
ガードリングパターン13が形成されている。各ガードリ
ングホールパターン12は直四角形態（方形形状）に形成
される。一方、ガードリングパターン13の内側、即ち基
板11の内側には多数のコンタクトパターン14が形成され
る。
クトマスクの一部分を図示した平面図であり、本実施形
態によるコンタクトマスク10は石英等のように光を透過
させる材質によりなる基板11上にウェーハのダイス（図
示されていない）縁に対応する多数のガードリングホー
ルパターン12が互いに一定の間隔を有する状態に形成さ
れており、ガードリングホールパターン12の内側にはガ
ードリングホールパターン12と所定の距離に離隔された
ガードリングパターン13が形成されている。各ガードリ
ングホールパターン12は直四角形態（方形形状）に形成
される。一方、ガードリングパターン13の内側、即ち基
板11の内側には多数のコンタクトパターン14が形成され
る。
【００１６】上述した半導体素子製造用コンタクトマス
クを利用してコンタクトホールを形成する過程を図５、
図６（ａ）及び図６（ｂ）を通じて説明する。
クを利用してコンタクトホールを形成する過程を図５、
図６（ａ）及び図６（ｂ）を通じて説明する。
【００１７】図５は図４に図示されたコンタクトマスク
を利用して写真（フォト）エッチング工程を実施した状
態を説明するため或る一つのダイスの部分平面図、図６
（ａ）は図５の線６Ａ−６Ａに沿って切り取った状態の
断面図、図６（ｂ）は図５の線６Ｂ−６Ｂに沿って切り
取った状態の断面図、シリコン基板18上に形成された絶
縁層17上に感光膜15を形成した後、図４に図示されたコ
ンタクトマスク10を利用した露光及び現像工程を通じて
感光膜15をパターニングする。
を利用して写真（フォト）エッチング工程を実施した状
態を説明するため或る一つのダイスの部分平面図、図６
（ａ）は図５の線６Ａ−６Ａに沿って切り取った状態の
断面図、図６（ｂ）は図５の線６Ｂ−６Ｂに沿って切り
取った状態の断面図、シリコン基板18上に形成された絶
縁層17上に感光膜15を形成した後、図４に図示されたコ
ンタクトマスク10を利用した露光及び現像工程を通じて
感光膜15をパターニングする。
【００１８】その後、パターニングされた感光膜15をマ
スクとして利用し、絶縁層17を所定の深さに湿式蝕刻を
行った後、残りの厚さの絶縁層17を乾式蝕刻する。これ
により図５、図６（ａ）及び図６（ｂ）に図示されたよ
うにマスク10の各ガードリングホールパターン12及びガ
ードリングパターン13に対応する絶縁層17には多数のガ
ードリングホールGH及びガードリングＧが各々形成さ
れ、各コンタクトパターン14に対応する絶縁層17には多
数のコンタクトホール16が形成される。
スクとして利用し、絶縁層17を所定の深さに湿式蝕刻を
行った後、残りの厚さの絶縁層17を乾式蝕刻する。これ
により図５、図６（ａ）及び図６（ｂ）に図示されたよ
うにマスク10の各ガードリングホールパターン12及びガ
ードリングパターン13に対応する絶縁層17には多数のガ
ードリングホールGH及びガードリングＧが各々形成さ
れ、各コンタクトパターン14に対応する絶縁層17には多
数のコンタクトホール16が形成される。
【００１９】ここで、絶縁層17がＢＰＳＧ膜により形成
される場合、湿式蝕刻工程の際、コンタクトホール16の
側面を構成する絶縁層17の過度な蝕刻により図６（ａ）
に図示されたようにガードリングＧと各ガードリングホ
ールGHが互いに対応する部分の感光膜15は浮いた状態に
なるが、図６（ｂ）に図示されたようにガードリングホ
ールGHが形成されていないガードリングＧの側部には感
光膜15の浮き現象が発生しなくなる。
される場合、湿式蝕刻工程の際、コンタクトホール16の
側面を構成する絶縁層17の過度な蝕刻により図６（ａ）
に図示されたようにガードリングＧと各ガードリングホ
ールGHが互いに対応する部分の感光膜15は浮いた状態に
なるが、図６（ｂ）に図示されたようにガードリングホ
ールGHが形成されていないガードリングＧの側部には感
光膜15の浮き現象が発生しなくなる。
【００２０】したがって、各ガードリングホールGHとガ
ードリングＧ間に部分的に感光膜15の浮き現象（図６
（ａ）参照）が発生するとしてもガードリングホールGH
が形成されていない部分においては感光膜15と絶縁層17
間に充分な接触面積が存在することになり全体的には感
光膜15は安定した状態を維持することができる。
ードリングＧ間に部分的に感光膜15の浮き現象（図６
（ａ）参照）が発生するとしてもガードリングホールGH
が形成されていない部分においては感光膜15と絶縁層17
間に充分な接触面積が存在することになり全体的には感
光膜15は安定した状態を維持することができる。
【００２１】図７は本発明の第２実施形態によるコンタ
クトマスクの一部分を図示した平面図であり、本実施形
態においては石英等のように光を透過させる材質により
なる基板21にウェーハのダイス（図示されていない）の
縁に対応する多数の第１ガードリングホールパターン22
が形成されており、第１ガードリングホールパターン22
の内側には所定の距離に離隔された多数の第２ガードリ
ングホールパターン23が形成されている。
クトマスクの一部分を図示した平面図であり、本実施形
態においては石英等のように光を透過させる材質により
なる基板21にウェーハのダイス（図示されていない）の
縁に対応する多数の第１ガードリングホールパターン22
が形成されており、第１ガードリングホールパターン22
の内側には所定の距離に離隔された多数の第２ガードリ
ングホールパターン23が形成されている。
【００２２】各々の第１ガードリングホールパターン22
は直四角形形態で隣接する他の第１ガードリングホール
パターン22とは一定の間隔を維持している。更に各々の
第２ガードリングホールパターン23も直四角形形態で隣
接する他の第２ガードリングホールパターン23とは一定
の間隔を維持する。
は直四角形形態で隣接する他の第１ガードリングホール
パターン22とは一定の間隔を維持している。更に各々の
第２ガードリングホールパターン23も直四角形形態で隣
接する他の第２ガードリングホールパターン23とは一定
の間隔を維持する。
【００２３】図７に図示されているように第１ガードリ
ングホールパターン22は第２ガードリングホールパター
ン23とはすれ違いの状態に配置されているため、或る一
つの第１ガードリングホールパターン22と、これに隣接
する第１ガードリングホールパターン22間に存在する空
間（即ち、基板）は、或る一つの第２ガードリングホー
ルパターン23に対応し、或る一つの第１ガードリングホ
ールパターン22は第２ガードリングホールパターン23間
の空間（即ち、基板）に対応することになる。一方、第
２ガードリングホールパターン23の内側、即ち基板21の
内側には多数のコンタクトパターン24が形成される。
ングホールパターン22は第２ガードリングホールパター
ン23とはすれ違いの状態に配置されているため、或る一
つの第１ガードリングホールパターン22と、これに隣接
する第１ガードリングホールパターン22間に存在する空
間（即ち、基板）は、或る一つの第２ガードリングホー
ルパターン23に対応し、或る一つの第１ガードリングホ
ールパターン22は第２ガードリングホールパターン23間
の空間（即ち、基板）に対応することになる。一方、第
２ガードリングホールパターン23の内側、即ち基板21の
内側には多数のコンタクトパターン24が形成される。
【００２４】即ち、複数の第１及び第２ガードリングホ
ールパターン22，23は並列する如く形成されており、各
ガードリングホールパターン22，23の形成位置は互いに
対向しないように配置されている。
ールパターン22，23は並列する如く形成されており、各
ガードリングホールパターン22，23の形成位置は互いに
対向しないように配置されている。
【００２５】このように構成されたコンタクトマスクを
利用してコンタクトホールを形成する過程を図８、図９
（ａ）及び図９（ｂ）を通じて説明する。
利用してコンタクトホールを形成する過程を図８、図９
（ａ）及び図９（ｂ）を通じて説明する。
【００２６】図８は図７に図示されたコンタクトマスク
を利用して写真（フォト）エッチング工程を実施した状
態を説明するため或る一つのダイスの部分平面図、図９
（ａ）は図８の線９Ａ−９Ａに沿って切り取った状態の
断面図、図９（ｂ）は図８の線９Ｂ−９Ｂに沿って切り
取った状態の断面図であり、シリコン基板28上に形成さ
れた絶縁層27上に感光膜25を形成した後、図７に図示さ
れたコンタクトマスク20を利用した露光及び現像工程を
通じて感光膜25をパターニングする。
を利用して写真（フォト）エッチング工程を実施した状
態を説明するため或る一つのダイスの部分平面図、図９
（ａ）は図８の線９Ａ−９Ａに沿って切り取った状態の
断面図、図９（ｂ）は図８の線９Ｂ−９Ｂに沿って切り
取った状態の断面図であり、シリコン基板28上に形成さ
れた絶縁層27上に感光膜25を形成した後、図７に図示さ
れたコンタクトマスク20を利用した露光及び現像工程を
通じて感光膜25をパターニングする。
【００２７】この後、パターニングされた感光膜25をマ
スクとして利用し、絶縁層27を所定の深さに湿式蝕刻を
行った後、残りの厚さの絶縁層27を乾式蝕刻する。これ
により図８、図９（ａ）及び図９（ｂ）に図示されたよ
うにマスク20の各ガードリングホールパターン22，23に
対応する絶縁層27には多数のガードリングホールGH1，G
H2 が各々形成され、マスク20の各コンタクトパターン2
4に対応する絶縁層27には多数のコンタクトホール26が
形成される。
スクとして利用し、絶縁層27を所定の深さに湿式蝕刻を
行った後、残りの厚さの絶縁層27を乾式蝕刻する。これ
により図８、図９（ａ）及び図９（ｂ）に図示されたよ
うにマスク20の各ガードリングホールパターン22，23に
対応する絶縁層27には多数のガードリングホールGH1，G
H2 が各々形成され、マスク20の各コンタクトパターン2
4に対応する絶縁層27には多数のコンタクトホール26が
形成される。
【００２８】ここで、絶縁層27がＢＰＳＧ膜により形成
される場合、湿式蝕刻工程時、コンタクトホール26の側
壁を構成する絶縁層27の過度な蝕刻が行われ、各ガード
リングホールGH1 ，GH2 周辺の感光膜25は浮いた状態に
なる。
される場合、湿式蝕刻工程時、コンタクトホール26の側
壁を構成する絶縁層27の過度な蝕刻が行われ、各ガード
リングホールGH1 ，GH2 周辺の感光膜25は浮いた状態に
なる。
【００２９】しかし、上述したように本実施形態による
マスク20の各ガードリングホールパターン22，23の側部
にはパターンが形成されないため図９（ａ）及び図９
（ｂ）に図示されたように、或る一つのガードリングホ
ールGH1 ，GH2 の側部には感光膜25の浮き現象を誘発す
る更に他のガードリングホールは勿論形成されない。結
果的に感光膜25と絶縁層27間に充分な接触面積が存在す
るため感光膜25の損失が防止される。
マスク20の各ガードリングホールパターン22，23の側部
にはパターンが形成されないため図９（ａ）及び図９
（ｂ）に図示されたように、或る一つのガードリングホ
ールGH1 ，GH2 の側部には感光膜25の浮き現象を誘発す
る更に他のガードリングホールは勿論形成されない。結
果的に感光膜25と絶縁層27間に充分な接触面積が存在す
るため感光膜25の損失が防止される。
【００３０】
【発明の効果】上述したように本発明によるマスクを使
用することにより或る一つのガードリングホール側部に
更に他のガードリングホールが形成されないため感光膜
と絶縁層間の接触面積が増加しコンタクトホール側面を
構成する絶縁層の過度な蝕刻による感光膜の浮き現象が
防止され、完全なコンタクトホールが形成されることに
より素子の収率を向上することができる。
用することにより或る一つのガードリングホール側部に
更に他のガードリングホールが形成されないため感光膜
と絶縁層間の接触面積が増加しコンタクトホール側面を
構成する絶縁層の過度な蝕刻による感光膜の浮き現象が
防止され、完全なコンタクトホールが形成されることに
より素子の収率を向上することができる。
【図１】一般的なコンタクトマスクの一部分を図示した
部分平面図である。
部分平面図である。
【図２】図１に図示されたコンタクトマスクを利用した
写真（フォト）エッチング工程の実施状態を説明する他
の或る一つのダイスの部分平面図である。
写真（フォト）エッチング工程の実施状態を説明する他
の或る一つのダイスの部分平面図である。
【図３】図２の線３−３に沿って切り取った状態の断面
図である。
図である。
【図４】本発明の第１実施形態によるコンタクトマスク
の一部分を図示した平面図である。
の一部分を図示した平面図である。
【図５】図４に図示されたコンタクトマスクを利用して
写真（フォト）エッチング工程を実施した状態を説明す
るための或る一つのダイスの部分平面図である。
写真（フォト）エッチング工程を実施した状態を説明す
るための或る一つのダイスの部分平面図である。
【図６】（ａ）は図５の線６Ａ−６Ａに沿って切り取っ
た状態の断面図、（ｂ）は図５の線６Ｂ−６Ｂに沿って
部分を切り取った状態の断面図である。
た状態の断面図、（ｂ）は図５の線６Ｂ−６Ｂに沿って
部分を切り取った状態の断面図である。
【図７】本発明の第２実施形態によるコンタクトマスク
の一部分を図示した平面図である。
の一部分を図示した平面図である。
【図８】図７に図示されたコンタクトマスクを利用して
写真（フォト）エッチング工程を実施した状態を説明す
るための或る一つのダイスの平面図である。
写真（フォト）エッチング工程を実施した状態を説明す
るための或る一つのダイスの平面図である。
【図９】（ａ）は図８の線９Ａ−９Ａに沿って切り取っ
た状態の断面図、（ｂ）は図８の線９Ｂ−９Ｂに沿って
切り取った状態の断面図である。
た状態の断面図、（ｂ）は図８の線９Ｂ−９Ｂに沿って
切り取った状態の断面図である。
１，11，21…マスク基板 ２…第１ガードリングパターン ３…第２ガードリングパターン ４，14，24…コンタクトパターン ５，15，25…感光膜 ６，16，26…コンタクトホール ７，17，27…絶縁層 12…ガードリングホールパターン 13…ガードリング 22…第１ガードリングホールパターン 23…第２ガードリングホールパターン ８，18，28…シリコン基板
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体素子製造用コンタクトマスクにお
いて、 光を透過する材質でなる基板と、 ウェーハに形成されたダイスの縁に対応する状態で前記
基板に形成された多数のガードリングホールパターン
と、 前記各ガードリングホールパターンと離隔された状態で
前記各ガードリングホールパターンの内側に形成された
ガードリングパターンと、 前記ガードリングパターンの内側に形成された多数のコ
ンタクトパターンとによりなることを特徴とする半導体
素子製造用コンタクトマスク。 - 【請求項２】 請求項１において、 前記各ガードリングホールパターンは直四角形態に形成
されることを特徴とする半導体素子製造用コンタクトマ
スク。 - 【請求項３】 半導体素子製造用コンタクトマスクにお
いて、 光が透過することができる材質でなる基板と、 ウェーハダイスの縁に対応する状態で前記基板に形成さ
れた多数の第１ガードリングホールパターンと、 前記各第１ガードリングホールパターンの内側に形成さ
れ、前記第１ガードリングホールパターンとは、すれ違
いの形態に配置された多数の第２ガードリングホールパ
ターンと、 前記各第２ガードリングホールパターンの内側に形成さ
れた多数のコンタクトパターンでなり、前記或る一つの
第１ガードリングホールパターンとこれに隣接する第１
ガードリングホールパターン間に存在する基板が或る一
つの第２ガードリングホールパターンに対応し、前記或
る一つの第１ガードリングホールパターンは第２ガード
リングホールパターン間の基板に対応することを特徴と
する半導体素子製造用コンタクトマスク。 - 【請求項４】 請求項３において、 前記第１及び第２ガードリングホールパターン各々は直
四角形態に形成されることを特徴とする半導体素子製造
用コンタクトマスク。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960022780A KR100199368B1 (ko) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 반도체 소자 제조용 콘택 마스크 |
| KR96-22780 | 1996-06-21 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1074694A JPH1074694A (ja) | 1998-03-17 |
| JP2855115B2 true JP2855115B2 (ja) | 1999-02-10 |
Family
ID=19462788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9160916A Expired - Fee Related JP2855115B2 (ja) | 1996-06-21 | 1997-06-18 | 半導体素子製造用コンタクトマスク |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5879838A (ja) |
| JP (1) | JP2855115B2 (ja) |
| KR (1) | KR100199368B1 (ja) |
| CN (1) | CN1087494C (ja) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100359769B1 (ko) * | 2000-02-29 | 2002-11-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 하프톤 위상반전 마스크 및 그 제조방법 |
| TW558672B (en) * | 2002-09-12 | 2003-10-21 | Nanya Technology Corp | Mask for defining a guard ring pattern |
| JP4636839B2 (ja) | 2004-09-24 | 2011-02-23 | パナソニック株式会社 | 電子デバイス |
| SG149040A1 (en) * | 2005-06-22 | 2009-01-29 | 3M Innovative Properties Co | Dielectric substrate with holes and method of manufacture |
| JP2008270232A (ja) * | 2005-07-08 | 2008-11-06 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
| KR100650626B1 (ko) | 2005-11-15 | 2006-11-27 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| JP5103901B2 (ja) | 2006-01-27 | 2012-12-19 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| KR101669931B1 (ko) * | 2010-07-21 | 2016-10-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전사패턴을 가지는 마스크 및 이를 이용한 감광막 패턴의 형성방법 |
| KR101292846B1 (ko) * | 2011-07-01 | 2013-08-02 | 지에스나노텍 주식회사 | 박막 전지 제조용 패턴 마스크 및 이의 제조 방법, 이를 사용한 박막 전지용 고체 전해질 제조 방법 |
| CN102436133A (zh) * | 2011-08-17 | 2012-05-02 | 上海华力微电子有限公司 | 一种用于防止光掩模版应力传递致主图形移动的方法 |
| CN102436134A (zh) * | 2011-08-29 | 2012-05-02 | 上海华力微电子有限公司 | 一种用于非透光切割道中防止光掩模版应力损坏的方法 |
| US8846302B2 (en) * | 2012-02-01 | 2014-09-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor structure and method and tool for forming the semiconductor structure |
| JP5801329B2 (ja) * | 2013-01-18 | 2015-10-28 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
| US8987067B2 (en) | 2013-03-01 | 2015-03-24 | International Business Machines Corporation | Segmented guard ring structures with electrically insulated gap structures and design structures thereof |
| US20160233159A1 (en) * | 2015-02-10 | 2016-08-11 | Qualcomm Incorporated | Integrated circuit device including multiple via connectors and a metal structure having a ladder shape |
| US10315915B2 (en) | 2015-07-02 | 2019-06-11 | Kionix, Inc. | Electronic systems with through-substrate interconnects and MEMS device |
| US10428278B2 (en) | 2017-06-15 | 2019-10-01 | Chevron Phillips Chemical Company Lp | Method and system for producing aromatic hydrocarbons from a renewable resource |
| CN109962104B (zh) * | 2017-12-26 | 2021-03-02 | 株洲中车时代半导体有限公司 | 一种功率半导体器件 |
| CN112768506B (zh) * | 2021-01-08 | 2023-12-12 | 滁州华瑞微电子科技有限公司 | 一种沟槽终端结构及其制备方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3124572A1 (de) * | 1981-06-23 | 1982-12-30 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur herstellung von schottky-dioden |
| US4759616A (en) * | 1985-08-26 | 1988-07-26 | Eastman Kodak Company | Method and apparatus for anamorphically shaping and deflecting electromagnetic beams |
| JP3179520B2 (ja) * | 1991-07-11 | 2001-06-25 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の製造方法 |
| JP3202393B2 (ja) * | 1993-03-19 | 2001-08-27 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JPH07253649A (ja) * | 1994-03-15 | 1995-10-03 | Toshiba Corp | 露光用マスク及び投影露光方法 |
-
1996
- 1996-06-21 KR KR1019960022780A patent/KR100199368B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1997
- 1997-06-16 US US08/876,713 patent/US5879838A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-18 JP JP9160916A patent/JP2855115B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1997-06-20 CN CN97111834A patent/CN1087494C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5879838A (en) | 1999-03-09 |
| CN1173734A (zh) | 1998-02-18 |
| KR100199368B1 (ko) | 1999-06-15 |
| JPH1074694A (ja) | 1998-03-17 |
| CN1087494C (zh) | 2002-07-10 |
| KR980005302A (ko) | 1998-03-30 |
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