KR960024645A - 반도체소자의 콘택용 노광마스크 - Google Patents

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KR960024645A
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Abstract

본 발명은 반도체소자의 콘택용 노광마스크에 관한 것으로서, 크롬 패턴이 형성되어 있지 않고, 위상반전막 패턴에 의해 사각형상의 노광영역이 다수개 정의되어 있고, 콘택홀로 예정된 부분에 위상반전막 패턴과 노광영역의 경계 부분이 위치하도록 위상반전막 패턴을 형성하고, 상기 위상반전막으로 통과되는 광의 세기를 상쇄하기 위하여 노광영역의 주변에 다수개의 보조 노광영역을 형성하여 콘택 마스크로 예정된 부분에서의 광세기가 0에서 가까운 노광마스크를 형성하였으므로, 미세 콘택홀을 형성할 수 있어 소자의 고집적화에 유리하고 콘택마스크가 정확한 형상으로 형성되어 고정수율 및 소자동작의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

Description

반도체소자의 콘택용 노광마스크
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명에 따른 반도체소자의 콘택 마스크용 노광마스크의 평면도.

Claims (1)

  1. 다수개의 인접한 콘택홀을 형성하기 위하여 감광막패턴을 선택적으로 노광하는 반도체소자의 콘택용 노광마스크에 있어서, 투명기판상에 형성되어 있는 위상반전막 패턴에 의해 노광영역들이 정의되어 있으며, 콘택으로 예정된 부분과 대응되는 위치에 위상반전막의 중앙부분과 노광영역의 중앙부분이 위치하여 상기 노광영역을 통과한 빛과 위상반전막을 통과한 빛이 콘택 마스크로 예정된 부분에서 최소의 세기를 가지고, 상기 노광영역의 양측에는 상기 위상반전막을 통과한 빛을 상쇄시키는 다수의 보조 노광영역들이 형성되어 있는 반도체소자의 콘택용 노광마스크.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100244285B1 (ko) * 1996-11-04 2000-02-01 김영환 위상반전 마스크 및 그 제조방법

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