KR940016571A - 반도체 소자의 마스크 패턴 제조 방법 - Google Patents
반도체 소자의 마스크 패턴 제조 방법 Download PDFInfo
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 제조방법에 관한것으로, 특히, 마스크 제조 과정에 있어서, 마스크를 통과하는 빛의 중첩회절량을 조절하기 위해, 주패턴 주변에 소형의 보조패턴을 첨가함으로써 패턴 근접효과를 제어하는 것을 특징으로 하며, 따라서 패턴 근접효과를 쉽게 제어하여 공정 마아진을 증가시켰다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2 도는 본 발명에 의한 사진식각 공정에 이용되는 마스크패턴을 도시한 평면도, 제3A도 및 제3B도는 제 2 도에 도시된 마스크패턴을 이용한 사진식각공정을 설명하기 위해 도시된 단면도.
Claims (4)
- 마스크 제조 과정에 있어서, 마스크를 통과하는 빛의 중첩회절량을 조절하기 위해, 주패턴 주변에 소형의 보조패턴을 첨가함으로써 패턴 근접효과를 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 마스크 패턴 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 보조패턴의 모양에는 원형, 사각형 및 곡선형 등의 여러가지 모양 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 마스크 패턴 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 보조패턴의 크기는 횡 또는 종방향 길이가 0.4um보다 크지 않는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 마스크 패턴 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 보조패턴들은 나란히 정렬법 또는 어긋나기 정렬법 등 중 어느 한 방법으로 정렬되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 마스크 패턴 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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|---|---|---|---|
| KR1019920027344A KR960016312B1 (ko) | 1992-12-31 | 1992-12-31 | 패턴 근접 효과를 제어하는 포토마스크 |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR1019920027344A KR960016312B1 (ko) | 1992-12-31 | 1992-12-31 | 패턴 근접 효과를 제어하는 포토마스크 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR940016571A true KR940016571A (ko) | 1994-07-23 |
| KR960016312B1 KR960016312B1 (ko) | 1996-12-09 |
Family
ID=19348508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
| Country | Link |
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| KR (1) | KR960016312B1 (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100277573B1 (ko) * | 1998-02-12 | 2001-02-01 | 황인길 | 미세패턴형성방법 |
| KR100811253B1 (ko) * | 2001-12-28 | 2008-03-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토 마스크의 제조 방법 |
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Families Citing this family (1)
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| KR100548534B1 (ko) * | 1999-04-22 | 2006-02-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 셀 프로 젝션 마스크 |
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1992
- 1992-12-31 KR KR1019920027344A patent/KR960016312B1/ko not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US7378196B2 (en) | 2001-04-17 | 2008-05-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing mask for correcting optical proximity effect |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| KR960016312B1 (ko) | 1996-12-09 |
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